Иные направления исследований
Различные
одноэлектронные приборы можно получить
при увеличении количества туннельно-связанных
наноостровов. Один из таких приборов –
одноэлектронная ловушка. Главное
свойство данного прибора – это так
называемая би- или мультистабильная
внутренняя зарядовая память.
У одноэлектронной ловушки в пределах
некоторого диапазона напряжения,
прикладываемого к затвору, один из
наноостровов (обычно ближайший к
затвору) может быть в одном, двух или
более устойчивых зарядовых состояниях,
то есть содержать один, два или несколько
электронов. На этой основе уже сегодня
создаются различные логические элементы,
которые в ближайшем будущем могут стать
элементной базой нанокомпьютеров.
В
2008 г. группа учёных из университета
Манчестера (А.
Гейм, К. Новосёлов и
др.) сообщила о результатах эксперимента,
в котором доказана принципиальная
возможность создания одноэлектронного
транзистора c размерами около 10 нм.
Подобный одноэлектронный транзистор
может являться единичным элементом
будущих графеновых микросхем.
Исследователи графена считают, что
можно сократить размеры квантовой
точки до 1 нм при сохранении физических
характеристик.
7
