Основные устройства памяти:

– ROM [Read Only Memory] или ПЗУ (постоянное запоминающее устройство), например, HDD, СD-ROM, DVD-ROM, микросхемы с плавкими перемычками;

– ППЗУ – перепрограммируемое ПЗУ (например, Flash-карты или микросхемы со стиранием записанной информации ультрафиолетом через окно в корпусе микросхемы);

– RAM [Random Access Memory] или ОЗУ – устройство переменной памяти с произвольным доступом. ОЗУ – оперативное запоминающее устройство. Различают ОЗУ статическое (информация хранится до перезаписи новой, например, на D-триггерах) и динамическое (DRAM), где информация сохраняется в каждой ячейке памяти на очень короткое время (такая память строится обычно на ячейках с зарядовой связью – ПЗС-структурах);

– CMOS [технология Complementary Metal Oxide Semicondactor]– физическая память в виде отдельной микросхемы для длительного хранения данных о конфигурации и настройках компьютера BIOS (обычно источником питания является аккумулятор или батарейка);

– SDRAM – синхронная динамическая память ОЗУ, наиболее распространена в виде модуля DIMM [Dual Inline Memory Module], имеющего контактные площадки с двух сторон платы (в отличие от SIMM [Single Inline Memory Module] – модуля памяти ОЗУ, имеющего контактные площадки с одной стороны платы);

– НЖМД (накопитель на жёстком магнитном диске) – HDD (Hard Disk Driver), жаргонно –жёсткий диск или «винчестер», выполнен в герметичном корпусе. Совокупности одноимённых дорожек соосных одиночных дисков образуют цилиндры. Современные компьютеры используют накопители ёмкостью от 60 Гб до 100 Тб;

– НГМД (накопитель на гибких магнитных дисках) – FDD (Floppy disk driver) – использует в качестве носителя информации сменные магнитные диски или дискеты, защищённые от внешнего воздействия бумажным конвертом или пластмассовым корпусом. Примеры условных записей на дискетах: SS – Single Side (односторонняя); DS – Double Side (двухсторонняя); SD (Single Density) – одинарная плотность записи; DD (Double Density) – двойная плотность; HD (High Density) – высшая плотность записи;

– FLASH-карта – энергонезависимое электронно-программиру-емое ППЗУ, составленное из однотранзисторных ячеек памяти, выполненных по МОП (металл-окисел-полупроводник) технологии. Запоминание в ячейках реализуется за счёт туннельного эффекта. Стирание и запоминание осуществляется блоками электронным способом (в отличие от ППЗУ со стиранием ультрафиолетовыми лучами);

– кэш-память [от франц. cacher-прятать] – сверхоперативная, постоянно обновляемая малая память с высокой скоростью работы для хранения наиболее часто повторяющихся слов. Кэш хранит ограниченное число данных и тегов. Тег [TAG-признак] содержит информацию о физическом адресе данных. При каждом обращении процессора к оперативной памяти (RAM) специальный контроллер кэш-памяти проверяет по тегу наличие этой копии в кэше. Если она имеется, то вырабатывается специальный сигнал Hit на чтение имеющейся копии из кэша, а если копии нет, то выполняются чтение данных из RAM и размещение их в кэше (рис. 8). Поскольку большинство прикладных программ имеют циклический характер и многократно используют одни и те же данные, то наличие кэша уменьшает количество обращений к относительно медленной оперативной памяти RAM. В современных компьютерах кэш строят по двухуровневой схеме (по кэш-данным и кэш-команде) в виде одного или двух модулей памяти (L1 и L2);

Центральный

процессор

ОЗУ

(RAM)

Адрес Данные