2.Получение основной кривой поляризации

Для получения основной кривой поляризации потребуется координаты вершин нескольких частных петель гистерезиса.

2.1. Получить максимальную петлю гистерезиса. Записать координаты ее вершины X и Y в таблице 2.

2.2. Уменьшить напряжение питания схемы настолько, чтобы по оси X вершина петли сместилась на половину большого деления шкалы экрана осциллографа. Записать координаты вершины петли.

2.3. Проводить измерения, указанные в предыдущем пункте, до сведения петли в точку.

Таблица 2. Координаты вершин частных петель гистерезиса

Номер петли	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
X, дел
E, В/м
Y, дел
D Кл/м^2
S

3.Обработка результатов измерений

3.1. По формулам (5) и (9) перевести величины X и Y таблицы 1 и таблицы 2 в величины E и D.

3.2. Для различных значений E и D таблицы 2 рассчитать статистическую диэлектрическую проницаемость .

3.2. По данным таблицы 2 построить основную кривую поляризации в координатах D и E.

3.3. По данным таблицы 1 построить максимальную петлю гистерезиса в координатах D и E. По этому графику найти коэрцитивное поле E_С, остаточное смещение D_r, остаточную поляризованность P_r и поляризованность насыщения P_s

3.4. По данным таблицы 2 построить график зависимости статистической диэлектрической проницаемости от напряженности поля _S = f(E).

3.5. Определить тангенс угла диэлектрических потерь в сегнетоэлектрике tg() и добротность сегнетоконденсатора Q.

Контрольные вопросы и задания

1.Почему напряжение на пластинах Y пропорционально D, а на X - E?

2.Выведите формулы (5) и (9).

3.Какие вещества относят к сегнетоэлектрикам? Каковы их характерные свойства? Практическое применение?

4.Что такое поляризованность? Электрическое смещение? Диэлектрическая восприимчивость? Диэлектрическая проницаемость? Их связь.

5.От чего зависит диэлектрическая восприимчивость и проницаемость сегнетоэлектрика?

6.В чем состоит явление гистерезиса в сегнетоэлектрике?