- •2. Вах электронно- дырочного перехода. Разновидности : гетеропереход, металл-полупроводник.
- •3.Прямое и обратное включение p-n-перехода. Определение пробоя и его виды.
- •4.Полупроводниковые диоды: общее устройство, обозначение на схемах , классификация, маркировка, области применения.
- •5.Выпрямительные диоды: схема включения , вах, параметры, классификация, применение.
- •7.Импульсные диоды: конструкция, режим работы, временная диаграмма, параметры, применение.
- •8. Варикапы, туннельные и обращенные диоды: конструкция, принцип действия, характеристики, применение.
- •9. Многослойные полупроводниковые структуры – тиристоры: определение, классификация, устройство, применение. Понятие угла отпирания.
- •10 Диодные(динисторы) и триодные (тринисторы) тиристоры :вах , принцип действия, время включения и восстановления, применение.
- •11.Транзисторы: определение ,виды, назначение, классификация, устройство, принцип усиления, режимы работ, графическое обозначение в схемах.
- •12.Характеристики, основные параметры, физические процессы в транзисторах. Маркировка и применение.
- •13. Схемы включения биполярного транзистора с общим эммитером (оэ) и общей базой (об), входные и выходные характеристики и параметры; коэффициенты передачи токов эмиттера и базы, применение.
- •14 Полевые транзисторы: типы, назначение, устройство, мдп- структура, характеристики, и параметры.
- •16.Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (им).
- •16. Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (имс).
- •17. Технология изготовления элементов в интегральных микросхемах.
- •19.Оптроны( оптопары): определение, виды конструкций, графическое обозначение, принцип двойного преобразования.
- •20.Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы , фотодиоды, устройство, схемы включения, характеристики, принцип действия, применение.
- •23.Жидкокристаллические индикаторы: конструкция, принцип работы, совместимость с имс, применение.
- •24. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы: матричные и сегментные, конструкция, принцип действия, применения.
- •26.Выпрямительные устройства: определение, структурная схема, назначение, виды, классификация, применение.
- •27.Однофазный однополупериодный и двухполупериодный с выводом от среднего витка обмотки трансформатора; схема, временные диаграммы токов и напряжений, параметры, применение.
- •28. Однофазный двухполупериодный мостовой выпрямитель: схема, временные диаграммы токов и напряжений, принцип выпрямления, параметры, применение.
- •30.Простые сглаживающие фильтры: емкостные и индуктивные: схемы вклюсения, коэффициент сглаживания, применение.
- •32. Влияние фильтров на внешнею характеристику выпрямителя. Применение активных фильтров.
- •34. Способы и система управления тиристорами в управляемых выпрямителях. Практическое применение.
- •33.Классификация и принцип действия управляемых выпрямителей(однофазная схема). Временные диаграммы токов и напряжений.
- •35.Назначение инверторов и их классификация. Инверторы ведомые сетью: схема включения, режимы работы, временные диаграммы.
- •36.Автономные инверторы тока(аит):схема включения, принцип инвертирования, временные диаграммы, применение.
- •37.Автономные инверторы напряжения (аин): схема включения, принцип работы, временные диаграммы, применение.
- •38.Параметрические стабилизаторы: схема, принцип работы, расчетные параметры.
- •40.Импульсные преобразователи напряжения, структурная схема, принцип преобразования, применение.
- •42. Электронные усилители: определение, классификация, структурная схема, элементная база, режимы работы.
- •43.Основные параметры, характеристики электронного усилителя, выбор точки покоя.
- •44. Графический анализ работы усилительного каскада с оэ.
- •45. Обратные связи: виды, схемы введение ос в усилители, влияние на работу электронных усилителей.
- •47.Температурная стабилизация в электронных усилительных каскадах( эмитерно-базовая, эмитерная, коллекторная)
- •48. Усилители постоянного тока (упт) : однотактные упт , явление «дрейф-нуля» и влияние на работу упт.
- •49. Дифференциальные усилители: схема симметричного усилителя, режимы работы, применение.
- •50. Операционные усилители: определение, условное обозначение на схемах, параметры, передаточная характеристика.
- •51Операционые усилители оу инвертирующие и неинвертирующие: схемы, принцип действия, параметры ( входные и выходные), применение.
- •52.Компараторы: назначение, схема, принцип действия, параметры, применение.
- •54. Усилители мощности: назначение, виды, однотактные и двухтактные трансформаторные усилители мощности: схемы, принцип усиления.
- •56. Генераторы гармонических колебаний : определение , классификация, условия возбуждения, lc – генератор , принцип действия, применение.
- •59. Формирователи импульсов, интегрирующие и диффереренцирующие цепи, схемы, принцип формирования укороченных и удлиненных импульсов , применение.
- •61. Мультивибратор на транзисторах и в интегральном исполнении: принцип формирования импульсных сигналов и диаграммы напряжений.
- •62. Одновибратор: устройство, принцип формирования импульсных сигналов на выходе, применение.
61. Мультивибратор на транзисторах и в интегральном исполнении: принцип формирования импульсных сигналов и диаграммы напряжений.
МВ на транзисторах.
Для генерации последовательности прямоугольных импульсов используется автоколебательный мультивибратор, схема которого по-
казана на рис.1. Мультивибратор состоит из двух одинаковых каскадов — усилителей с общим эмиттером. Сигналы с коллекторов этих каскадов через разделительные конденсаторы С1 и С2 поступают на
базы транзисторов. Сигнал с выхода каждого из каскадов усиливается в другом каскаде и снова поступает на вход первого каскада — каждый каскад является для другого цепью обратной связи. Так как усилитель с общим эмиттером изменяет фазу усиливаемого сигнала на 180°, то с учетом
того, что в цепи ОС — таком же усилителе, фаза тоже изменяется на 180°, получим нулевой результирующий фазовый сдвиг. Такой баланс фаз осуществляется в широком диапазоне частот, равном примерно полосе пропускания резистивного усилителя. Большое число генерируемых гармоник в сумме образуют
периодическую последовательность импульсов и в этом случае удобно анализ работы мультивибратора проводить во временной области (рис. 2). Предположим, что в начальный момент времени транзистор V1 в
схеме мультивибратора открыт, а транзистор V2— закрыт. Конденсатор С1 начинает заряжаться через резистор К2. Напряжение на базе второго транзистора V2 будет возрастать. Когда оно достигает напряжения отпирания транзистора, в схеме происходит лавинообразное изменение состояний транзисторов: транзистор V2 открывается, а транзистор V1 закрывается, так как к базе V1 будет приложено закрывающее напряжение, имеющееся на конденсаторе С2. После смены состояний транзисторов начинает перезаряжаться конденсатор С2 через резистор К1 и через время, равное примерно т = R1\С2, произойдет очередное изменение состояния схемы. Амплитуда генерируемых импульсов практически равна напряжению источника питания. МВ широко применяются в качестве генераторов импульсов в компьютерах. Для повышения стабильности их работы в схемы дополнительно включают катушки индуктивности и кварцевые резонаторы, а вместо инвертирующих усилителей ОЭ используют логические элементы.
62. Одновибратор: устройство, принцип формирования импульсных сигналов на выходе, применение.
Назначение ждущих МВ (одновибратор ) – получение импульсов заданной длительности после запуска. Длительность выходного импульса иногда называют временем выдержки или задержки.
Схема ждущего МВ показана на рис 1. В исходном состоянии Т2 насыщен током Iб2= E/R0, потенциалы коллектора Т2 и базы Т1 близки к нулю , напряжение коллектора Т1 Uk1=E, и диод Д имеет смещение 0В. Если на вход схемы попадает отрицательный перепад напряжения (рис 1б), то в точке А появится «дифференциальный » импульс через диод Д проходящий в коллектор Т1 через С0- в базу Т2. Если скорость спада (отрицательного фронта) этого импульса Vсп > Iб2 / (C1C0/C1+C0)
, а длительность фронта больше времени жизни рассасывания носителей в базе Т2 tфр> тау , то ранзистор Т2 начнет закрываться, и на его коллекторе возникнет приращение напряжения, которое, передаваясь в базу Т1 начнет открываться Т1. Возникнет регенеративная ПОС. Спад Uк1, передаваясь через С0 в базу Т2 будет его закрывать , а рост Uк2 – отпирать Т1. В конце этого быстрого процесса на базе Т2 окажется потенциал Uбэнас-E+Uкэнас. Разряд С0 через R0 приведет к росту Uб2 до напряжения отпирания Т2. Длительность процесса и выходного импульса составит t имп= R0C0 ln 2 =0,7R0C0. Как только Т2 начнет отпираться , обратный регенеративный процесс приведет к насыщению Т2 и закрыванию Т1. Теперь напряжение на коллекторе Т1 будет восстанавливаться до уровня Е с постоянной времени, примерно равной R2C0. Функции одновибратора : расширение импульсов- реализуется благодаря тому, что длительность импульса одновибратора определяется параметрами схемы и независит от длительности запускающего импульса; задержка сигнала на заданном уровне – входной сигнал может быть задержан на время равное длительности импульса одновибратора, если к его выходу подключить устройство , реагирующее на перепад напряжения, соответствующий окончанию выходного импульса.
64. Простейшие базовые логические элементы: классификация, схемотехника элементов И, ИЛИ НЕ, разновидности элементов, применение.