Вопросы для самопроверки.

1.В чём отличие принципа действия полевых и биполярных транзисторов?

2.Поясните название: полевой, канальный, униполярный.

3.В чём заключается принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом?

4.Как и почему называются выводы полевого транзистора?

5.Какая аналогия между выводами биполярных и полевых транзисторов?

6.Как обозначаются полевые транзисторы с p-n переходом в схемах?

7.Можно ли использовать полевой транзистор с p-n переходом при открытом p-n переходе?

8.От каких причин зависит ширина канала в полевом транзисторе с p-n переходом?

9. Поясните, название МДП и МОП транзисторы.

10.В чём заключается принцип действия МДП-транзистора?

11.Что такое встроенный и индуцируемый каналы?

12.Какое напряжение нужно подать на затвор МДП-транзистора с индуцируемым n-каналом, чтобы ток стока увеличился?

13.Какое напряжение нужно подать на затвор МДП-транзистора с встроенным n-каналом, чтобы между истоком и стоком отсутствовал ток?

14.Чем отличаются каналы в полевых транзисторах с p-n переходом и МДП-транзисторах?

15.Как обозначаются МДП-транзисторы в схемах?

2.8. Характеристики и параметры полевых транзисторов.

Рассмотрим характеристики полевых транзисторов с p-n переходом. Прежде всего, отметим, что если при отсутствии напряжения между истоком и стоком на затвор полевого транзистора приложить достаточно большое запирающее напряжение, зоны p-n перехода смыкаются (см. рис.2.34). Поскольку в зоне отрицательно смещённого p-n перехода количество носителей заряда мало, тока между истоком и стоком протекать не будет, практически при любом напряжении между истоком и стоком. Напряжение, при котором ток между истоком и стоком становится близким к нулю, называется напряжением отсечки U_ОТС.

Е сли между истоком и стоком приложить напряжение U_С, как показано на рис.2.38, то смыкание зон p-n перехода произойдёт при меньшем напряжении на затворе, а границы зоны p-n перехода искривляются (см. рис.2.38). Это связано с тем, что запирающее p-n переход напряжение между затвором и стоком больше, чем между затвором и стоком на напряжение U_С.

Рис.2.38. Границы зоны p-n перехода в полевом транзисторе при разных напряжениях на стоке U_С.

На рис.2.38 приведены границы зон p-n перехода при различных напряжениях между истоком и стоком. Как видно, при напряжении U_С2 происходит смыкание зон p-n перехода, а при U_С3 видно, что длина канала уменьшается.

Из приведённого рисунка очевидно, что при заданном U_З<U_ОТСизменение тока стока в зависимости от напряжения на стоке будет происходить по-разному в зависимости от того, будут ли перекрыты зоны перехода или нет.

П ри малых напряжениях на стоке рост тока будет происходить достаточно быстро (см. рис.2.39)

Рис.2.39. Зависимости тока стока от напряжений на затворе а) и напряжений на стоке б).

При достижении напряжения U_С, соответствующему смыканию зон p-n перехода, рост тока резко замедляется, т.к. происходит его насыщение. В этом случае токопроводящий слой, близкий к стоку, превращается в токовый шнур, который поддерживает ток практически неизменным даже при больших изменениях напряжения на стоке. Напряжение, при котором канал приобретает форму шнура, называется напряжением насыщения U_СН.

При изменении напряжения на затворе характеристики I_С=f(U_С) принципиально не изменяются, но при больших U_З характеристики пойдут ниже, а напряжение насыщения U_СН уменьшается.

Используя зависимости I_С=f(U_С), можно построить и функции I_С=f(U_З) при различных напряжениях на стоке. Эти зависимости можно использовать, чтобы определить один из главных параметров полевых транзисторов - его крутизну S. Крутизна полевого транзистора определяется следующим образом при U_С=const и заданном U_З. Крутизна обычно измеряется в мА/В и для типовых транзисторов она равна десятым долям - единицам мА/В. Чем больше крутизна S, тем больше изменяется ток в стоковой цепи при изменении напряжения на затворе, т.е. тем большее усиление можно обеспечить с помощью полевого транзистора. Именно поэтому стараются использовать полевой транзистор при достаточно больших напряжениях на стоке и приемлемо малых напряжениях на затворе (см. рис.2.39).

Следует учитывать, что запирающее напряжение на затворе, обеспечивающее режимный ток полевого транзистора, должно быть таким, что при подаче входного сигнала напряжение на затворе всегда оставалось отрицательным. В противном случае управляющий p-n переход окажется смещённым в прямом направлении и полевой транзистор потеряет своё основное достоинство - большое входное сопротивление.

Другим важным параметром полевого транзистора является дифференциальное сопротивление канала r_К на пологом участке зависимости I_С=f(U_С). Оно определяется, как при U_З=const и заданном токе I_С. Это сопротивление обычно достаточно велико, поэтому зависимости I_C=f(U_C) на пологом участке практически параллельны оси абсцисс.

Произведение S и r_К называется коэффициентом усиления напряжения полевого транзистора μ: μ=Sr_К. Коэффициент μ показывает какой предельный коэффициент усиления по напряжению можно получить, если выполнить на полевом транзисторе усилительный каскад.

Э квивалентная схема полевого транзистора с p-n переходом приведена на рис.2.40.

Рис.2.40. Эквивалентная схема полевого транзистора с p-n переходом для малого сигнала.

В этой эквивалентной схеме учтено, что полевой транзистор управляется полем, т.е. в отличие от биполярного транзистора входное сопротивление очень велико и в схеме не учитывается. Ёмкости С_ЗС, С_ЗИ, С_ИС оказывают влияние только на высоких частотах, уменьшая коэффициент усиления каскадов, выполненных на полевых транзисторах. Основные усилительные свойства полевого транзистора определяются генератором тока SU_ЗИ и сопротивлением канала r_К.

По сравнению с биполярными транзисторами полевые транзисторы с p-n переходом имеют не только существенно большее входное сопротивление, но и малый уровень собственных шумов. Шумами в электронных устройствах принято называть флуктуации электрического тока или напряжения, обусловленные хаотичным движением носителей заряда. Уровень собственных шумов активных приборов определяет тот минимальный сигнал, который может быть усилен при их использовании.

Рассмотрим характеристики и параметры МДП транзистора с индуцируемым n-каналом. Прежде всего напомним, что при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком будет близок к нулю. При приложении некоего порогового напряжения U_ПОР между истоком и затвором вблизи поверхности полупроводника возникает токопроводящий канал. На рис.2.41 приведено распределение электронов в индуцированном канале при U_З>U_ПОР и отсутствии напряжения между истоком и стоком. (Подложка транзистора, как правило, соединяется с истоком.) Как уже отмечалось выше, положительное напряжение на затворе создаёт поле, притягивающее электроны и создающее n-канал. При отсутствии напряжения между истоком и стоком поле в диэлектрике однородное, поверхность полупроводника эквипотенциальна и толщина канала одинакова на всём протяжении.

Р ис.2.41. Распределение электронов в индуцированном канале при отсутствии напряжения между истоком и стоком.

Картина изменяется, если между истоком и стоком приложено напряжение, как показано на рис.2.42.

Р ис.2.42. Распределение электронов в индуцированном канале при введении напряжения между истоком и стоком.

В этом случае между истоком и затвором будет действовать напряжение большее, чем между стоком и затвором на величину напряжения U_С. Следовательно, поле в диэлектрике вблизи стока будет меньше, чем вблизи истока, т.е. канал вблизи стока сужается. При некотором напряжении на стоке называемом напряжением насыщения канал сузится до минимальной величины, называемой "горловиной" канала. Образование "горловины" канала эквивалентно образованию канала шнуровой формы в полевом транзисторе с p-n переходом. На рис.2.43 показано изменение ширины канала в зависимости от напряжения на стоке U_C.

Р ис.2.43. Граница индуцируемого канала в зависимости от напряжения на стоке.

На рис.2.44 приведены зависимости I_C=f(U_С) при различных напряжениях на затворе. Эти зависимости практически эквивалентны зависимостям для полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Р ис.2.44. Статические характеристики МДП-транзистора:

а - выходные; б - передаточные.

В тоже время зависимости I_C=f(U_З), приведённые на этом же рисунке, по сравнению с полевым транзистором с p-n переходом смещены в область положительных значений напряжений на затворе, что связано с тем, что только при положительных напряжениях на затворе индуцируется токопроводящий канал. Напряжение на затворе, при котором возникает ток стока, называется пороговым напряжением. Вместе с тем, если канал встроенный, то характеристики I_C=f(U_З) получаются аналогичными характеристикам полевого транзистора с p-n переходом. При этом МДП-транзистор в отличии от полевого с p-n переходом может работать как при отрицательных, так и при положительных напряжениях на затворе, поскольку для слоя диэлектрика не имеет значения полярность приложенных напряжений.

За исключением U_ПОР МДП-транзисторы, как и полевые с p-n переходом характеризуются одинаковыми параметрами: U_ОТС, U_СН, S, r_К, С_ЗИ, С_ЗС, С_СИ; для расчёта схем на их основе можно использовать эквивалентную схему, приведённую на рис.2.40.

МДП-транзисторы по сравнению с полевыми транзисторами с p-n переходом имеют меньшую температурную стабильность и больший уровень шума. Это связано с тем, что канал в МДП-транзисторе расположен вблизи поверхности полупроводника рядом с диэлектриком, который, как правило, загрязнён примесями. Примеси вызывают температурную нестабильность и флуктуации электрического тока. Однако благодаря разнообразию характеристик различных типов МДП-транзисторов, удобству и простоте изготовления они находят широкое применение в современных цифровых микросхемах. На их основе делаются основные узлы и блоки современных компьютеров.

Биполярные транзисторы существенно уступают полевым по величине входного сопротивления, но превосходят их по усилительным и частотным свойствам. Именно поэтому на их основе делаются микросхемы высокочастотных усилителей.