- •2.3. Методы анализа линейных усилительных каскадов
- •7. Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
- •8. Схемы замещения.
- •9. Составной транзистор – это комбинация двух (или нескольких) транзисторов, которую можно рассматривать как единое целое.
- •14. Операционный усилитель (оу) как аэ аналоговой схемотехники. Модели оу. Представление ачх и фчх и двух- и трехкаскадной моделей оу
- •15. Обеспечение устойчивости оу с цепью оос.
- •16. Реальные параметры и идеализированные свойства оу. Эквивалентная схема оу по постоянному току. Основные операционные схемы (ос): инвертирующая, неинвертирующая и дифференциальная.
- •18. Особенности проектирования и расчета пн и птн
- •19. Статические и динамические нагрузочные характеристики аэ и их использование в аналоговой схемотехнике. Режимы а, в, с, d. Основные энергетические показатели и диаграммы мощности режимов.
- •21.Стабилизация рт с помощью оос. Параметрическая стабилизация. Цепи питания бт. Использование гст для задания режимов работы аэ
- •23. Каскады с повышенным входным сопротивлением на бт и пт. Применение составных транзисторов. Пересчет параметров транзисторов при различных включениях
- •24. Особенности работы каскадов в режиме большого сигнала. Требования, предъявляемые к выходным каскадам. Виды каскадов. Однотактные выходные каскады.
- •25. Построение нагрузочных характеристик. Двухтактные выходные каскады. Классификация, особенности работы и свойства.
- •26. Особенности оценки энергетических показателей двухтактного каскада в режиме в. Методы стабилизации режима по постоянному току при работе с отсечкой тока. Выходные каскады с повышенным кпд
- •27.Бестрансформаторный усилитель мощности.
- •28.Определение параметров транзистора по его входным и выходным вольтамперным характеристикам.
- •29.Широкополосные усилители (шу) с коррекцией ачх и пх. Методы коррекции характеристик (нч и вч).
- •30.Усилители постоянного тока (упт). Принципы построения, обеспечение минимального дрейфа параметров. Упт с преобразованием.
- •31.Усилительные каскады с динамической нагрузкой. Каскадный усилитель. Многокаскадные усилители с оос. Методы увеличения глубины оос. Паразитные обратные связи и методы борьбы с ними.
- •32. Построение нагрузочных прямых по постоянному и переменному току.
- •33. Расчет параметров усилителей с обратными связями
- •34. Основные определения (терминология) в интегральной схемотехнике. Интегральные микросхемы, элементы, компоненты. Элементы конструкции.
- •35. Простые и сложные ис. Степень интеграции ис. Классификация ис
- •36. Система условных обозначений в ис. Методы изготовления (виды технологий) ис
- •37. Оу как активный элемент мэу. Типы оу и их отличительные особенности. Меры предосторожности и полезные советы при использовании оу
- •38.Корректирующие усилители на оу
- •39. Гст на основе оу. Гст с изолированной нагрузкой. Оценка параметров и точности формирования тока с реальным оу. Гст с заземленной нагрузкой.
- •42.Стабилизаторы напряжения сн на основе оу. Сн как элемент схемотехники. Однополярные сн с опорными стабилитронами.
- •43. Сн с повышенной нагрузочной способностью и ограничениям по току. Следящий сн разнополярных напряжений.
- •44. Экстрематоры сигналов на основе оу (однополярные и двухполярные). Оценка точности формирования экстремума.
- •45. Линейные преобразователи переменного напряжения в постоянное. Сущность линеаризации амплитудной характеристики. Критерий малости преобразуемого напряжения. Пн амплитудных значений.
- •46. Электронно-управляемые масштабные пн на основе оу. Пн с линейным и экспоненциальным управлением и электронным переключением полярности коэффициента передачи.
- •47. Мостовой усилитель как преобразователь приращений проводимостей (сопротивлений) в напряжение. Циркулятор сигналов. Линейные преобразователи полных проводимостей (сопротивлений) в напряжение.
- •48. Устройства регулирования сигналов и регулируемые усилители
- •49. Основные свойства и параметры перемножителей сигналов (пс). Реализация математических операций (умножения, деления, возведения в квадрат, извлечения квадратного корня) на основе пс.
- •1.2.7 Синхронный (линейный) амплитудный демодулятор
- •51. Методы реализации пс на основе операций логарифмирования и антилогарифмирования сигналов, на основе изменения проводимости канала пт, на основе использования время амплитудного преобразования
- •1.2.11Времяамплитудный перемножитель сигналов
- •52. Расчет упт и функциональных преобразователей на основе оу.
- •53. Системы сбора и распределения данных. Интегральные компараторы сигналов. Аналоговые коммутаторы ак. Многоканальные коммутаторы: мультиплексоры, демультиплексоры
- •58. Задачи, основные этапы и особенности схемотехнического проектирования. Основные принципы интегральной схемотехники. Теоретические основы интегральной схемотехники. Анализ структур активных
- •59. Транзисторные структуры тс. Диодно-транзисторные структуры дтс как отражатели тока. Токовое зеркало Уилсона. Биполярно-униполярные структуры. Отражатели тока на пт.
- •60. Проблемы непосредственной связи в полупроводниковых ис. Согласование импедансов и уровней постоянного тока. Стабилизация уровней напряжения и тока.
- •61. Источники опорного напряжения ион на бт и пт. Ион с умножением напряжения база-эмиттер бт. Повышение коэффициента фильтрации питающего напряжения. Ион с термокомпенсацией.
- •63. Основные типы каскадов и ососбенности их реализации в полупроводниковых ис: однотактные, двухтактные, дифференциальные. Ду на бт и пт как активные элементы интегральной схемотехники.
- •64. Разновидности схемотехники интегральных ду. Ду на моп-транзисторах с активной нагрузкой.
- •70. Схемотехническое проектирование реальной модели оу. Схемотехника модели. Формирование малосигнальных параметров. Определение параметров статических ошибок оу
- •75. Формирование синусоидальных сигналов с повышенной стабильностью амплитуды и линейностью характеристик управления по частоте.
- •76. Теоретические основы управляемых высокочастотных и низкочастотных автогенераторов. Схемотехническая реализация микроэлектронных автогенераторов на высоких и низких частотах.
- •77. Широкополосный амплитудный демодулятор. Преобразователь частоты импульсов в напряжение. Формирователи импульсных сигналов из синусоидальных.
- •78. Прецизионный амплитудный демодулятор. Линейный частотный модулятор и цифровой частотно-фазовый демодулятор в его составе.
- •79. Сущность проблемы индуктивности в микроэлектронике. Реализация индуктивности с помощью аэ. Реализация активных фильтров (аф).
- •80. Методы синтеза аф и их сравнительная оценка. Аппроксимация нормированной ачх фнч. Преобразование ачх фнч в ачх фвч и в ачх полосовых фильтров пф.
- •81. Усилители с ограниченным коэффициентом передачи в аф. Типовые структуры аф на оу. Режекторно-полосовые фильтры и их свойства, ограничительные свойства аф.
35. Простые и сложные ис. Степень интеграции ис. Классификация ис
Сложность ИС
В настоящее время стандартизованы количественные и качественные меры определения сложности ИС. Количественный фактор соответствует порядку числа элементов на кристалле ИС или в, ее корпусе.
В ГОСТ 17021—75 определен термин степень интеграции интегральной схемы как показатель степени сложности ИС, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов, причем степень интеграции определяется формулой К = = lgN, где К — коэффициент, округляемый до ближайшего большего целого числа, а N — число элементов и компонентов, входящих в ИС. В соответствии с этой формулой ИС первой степени интеграции называется микросхема, содержащая до 10 элементов « компонентов включительно, ИС второй степени интеграции содержит от 11 до 100 элементов и компонентов. Соответственно ИС, имеющую в своем составе от 101 до 1000 элементов и компонентов, следует называть ИС третьей степени интеграции. Аналогично ИС, имеющие число элементов и компонентов от 1001 до 10 000 или от 10 001 до 100 000, — это ИС четвертой и пятой степеней интеграции. Практически сейчас реальны даже ИС шестой степени интеграции. Кроме того, имеют место количественные оценки понятий сложности ИС: малая, средняя, большая, сверхбольшая. Эти определения зависят от числа элементов и компонентов, технологии изготовления и функционального назначения ИС и могут изменяться.
Нетрудно отметить, что аналоговые БИС насыщены элементами во много раз меньше, чем цифровые БИС (особенно униполярные).
Особо следует сказать о том, что сверхскоростной интегральной микросхемой (ССИС) названа микросхема, имеющая время установления для цифровых сигналов 2,5 нс/ЛЭ (ЛЭ — логический элемент) или нижнюю границу рабочего диапазона частот не менее 300 МГц. Кроме того, как при построении РЭА, так и при выборе ее элементной базы большое значение имеет так называемая плотность упаковки элементов. Под плотностью упаковки понимается отношение числа элементов и компонентов ИС к ее объему (без учета объема выводов).
Степень интеграции
В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции, разная для цифровых и аналоговых микросхем (указано количество элементов для цифровых схем):
малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле,
сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле,
ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле,
гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.
В настоящее время название УБИС и ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Itanium, 9300 Tukwila, содержат два миллиарда транзисторов), и все схемы с числом элементов, превышающим 10 000, относят к классу СБИС, считая УБИС его подклассом.
Степень интеграции ИС определяется числом элементов, входящих в состав одного изделия, и определяется как К=lg(N),
где N — число эквивалентных элементов.
Классификация интегральных схем
По принципу действия все ИС делятся на логические (цифровые) и аналоговые (линейно-импульсные).
Логические ИС характеризуются:
временем срабатывания;
потребляемой мощностью;
уровнем входных и выходных напряжений;
значением напряжения помех и др.
Аналоговые ИС характеризуются:
коэффициентом передачи или усиления;
входным и выходным сопротивлением;
уровнем нелинейных искажений;
выходной мощностью;
полосой частот и др.
По конструктивно-технологическому исполнению ИС подразделяются на группы, которым присвоены следующие обозначения (ГОСТ 18682-73 и ОСТ 11013.915-80):
1, 5, 6, 7 — полупроводниковые;
2, 4, 8 — гибридные;
3 — прочие (пленочные, вакуумные, керамические и т.д.).
Различают интегральные схемы:
МИС - малой степени интеграции (К = 1, 2);
СИС - средней степени интеграции (К = 3, 4);
СБИС - сверхбольшой степени интеграции (К = 5, 6, 7);
УБИС - ультрабольшой степени интеграции (К > 7).
По конструктивному исполнению ИС бывают:
корпусные (корпусированные);
бескорпусные
По функциональному назначению ИС согласно ГОСТ 18325-73 подразделяются по подгруппам и видам, например.