- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3. Типы связей в кристаллических структурах.
- •4. Политипия и изоморфизм. Полиморфизм. Фазовые переходы.
- •5. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •6. Основные принципы симметрии в кристаллофизике ( принцип Неймана, Кюри). Предельные группы симметрии (группы Кюри).
- •7. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •8. Диэлектрические с-ва как св-ва описываемые тензором второго ранга.
- •9. Магнитные с-ва кр-лов. Физическая природа диамагнетизма и парамагнетизма. Ферромагнетики, ферримагнетики и антиферромагнетики.
- •10.Пъезоэлектрический эффект как тензорное св-во кр-ла.
- •11. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •12.Общая классификация дефектов в кристаллах.
- •13. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов.
- •14. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов.
- •15. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •16. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •17. Общие закономерности дефектообразования в элементарном кристалле содержащем одну примесь. Примеси в бинарных кристаллах.
- •18.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •19.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •20. Влияние температуры, нарушений стехиометрии и примесей на коэффициент хаотической самодиффузии.
- •21. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •22. Гетеродиффузия. Эффекты Френкеля и Киркендаля.(из интернета).
- •23.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •24. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •25.Влияние точечных дефектов нестихеометрии на кинетику твердофазных реакций. Влияние примесей на кинетику твердофазных реакций. Такого нет в моих лекциях
4. Политипия и изоморфизм. Полиморфизм. Фазовые переходы.
Политипия- явление характерное для некоторых кристаллических структур-плотноупакованных. Политипы- построенные из одних и тех же слоев кристаллы, но последовательность чередования слоев либо расстояние между слоями-отличаются. У политипов различаются св-ва(как правило по направлению оси z) особенно сильно политипия сказывается на оптических свойствах. (пример карбид кремния)Изоморфизм- способность химически и геометрически близких атомов и ионов замещать друг друга в кристаллич. решетке, образуя кристаллы переменного состава,химически близкими считаются атомы с одинаковой валентностью, поляризацией, и способностью образовывать одинаковый тип связи.(пример изоморфный ряд кремния или германия). Фазовым переходом 1 рода называется некое изменение в веществе при котором происходит выделение или поглощение теплоты , скачком меняется внутренняя энергия и энтропия, так же структура и физич. с-ва зависящие от взаимного расположения частиц. Полиморфизм-св-во некоторых вещ-в существовать в различных кристалличес ких модификациях отличающихся по симметрии и по св-вам. Каждая такая модификация называется фазой и может существовать в определенной области температур и давлений.( самым известным примером полиморфизма является углерод.) Фазовый переход 2 рода- переход при котором нет скачкообразного изменения внутренней энергии или энтропии,кристаллическая структура если и меняется,то меняется постепенно.В точке фазового перехода меняется симметрия.
5. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
В зависимости от того как расположена валентная зона и зона проводимости, можно выделить ряд случаев:1) вал зона и зп перекрываются, электроны свободно гуляют между зонами без приложения какой либо энергии активации.2) вал зона (не важно перекрывается она зп или нет) не заполнена целиком. 1 и 2 случаи отвечают образованию металла. Металлом(металл фазой) называется такая фаза в которой либо не все квантовые составляющие валентной зоны заняты электронами, либо валентная зона перекрывается зоной проводимости, при этом число незанятых квантов состояний соизмеримо с числом атомов в единице объема. Электрическая проводимость при н.у. очень велика но с ростом температуры падает. 3) Валентная зона не перекрывается зп(это значит что ширина запрещ зоны >3RT=0,08 эВ, при Т=293К) 3RT-тепловая энергия решетки или тепловые квантовые колебания. 4) Электроны плотно заполняют все уровни в валентной зоне(не важно зп перекрывается с вз ил нет). 3 и 4 случаи отвечают за образование полупроводников и диэлектриков. Фазой с п/п св-вами называется фаза в которй все квантовые состояния валентной зоны заняты,а ширина зп лежит в диапазоне от 0,08<Eg<3,2 эВ. 3,2 эв-граница условная- эта энергия есть ультрафиолетовая граница спектра. с ростом температуры проводимость растет. Фазой с диэлектрическими св-вами называется фаза в которой все квантовые составляющие валентной зоны заняты,а ширина зп >3,2 эВ. Проводимость диэлектриков крайне мала с ростом температуры растет. Приместные полупроводники. Попадание даже малейшей примеси в п/п материал (10-6-10-8%)сильнейшим образом сказывается на его электро-физических свойствах.