По лабораторной работе «Изучение температурной зависимости сопротивления проводника и полупроводника»

Исполнитель студент(ка) гр._____

Цель работы: ...

Краткое описание метода исследования: ...

Расчетные формулы: (объяснить входящие в формулы физические величины и указать единицы их измерения в СИ) …

Оборудование: ...

Средства измерений и их характеристики

Таблица 4.2

Наименование прибора	Предел допускаемой относительной погрешности (в % от измеренного значения)
Омметр	=0,8 %
Термометр	=1,0 %

Результаты измерений

Таблица 4.3

№	t, ºC	Т, К	1/T, К^–1	Rпр, Ом	Rпп, Ом	lnRпп
1
2
…	…
N	70

Результаты расчетов

1. k₁ = … = … Ом/ºС; (4.8)

2

Написать формулу, показать расчёт и записать результат!

. R₀ = … Ом;

3. _t = … = … 1/ºC; (4.10)

4.  = … = … %; (4.11)

5. k₁ = … = … Ом/ºС; (4.13)

6. R₀ = … Ом; (4.14)

7.  = … = … %; (4.12)

8. E = … = … %; (4.15)

9. _t = … = … 1/ºC; (4.16)

10. Окончательный результат: _t = … ± … 1/ºС, Е = … %;

11. k₂ = … = … К; (4.9)

12. W = … = … Дж = … эВ. (4.7) (1 эВ Дж).

13. Оценка погрешностей ширины запрёщенной зоны W исследуемого полупроводника.

14. Вывод.

Примечание. К отчёту прилагаются два графика, построенные по данным табл. 4.3.

Температурный Ширина запрещённой зоны

коэффициент сопротивления веществ

Таблица 4.4 Таблица 4.5

Вещество	t10^–3 К^–1		Вещество	DW, эВ (при 20 ºС)
Al W Cu Pb Ag Нихром	4,5 5,1 4,3 4,2 4,1 0,2		C (алмаз) Se Ge Si GaAs InAs	5,40 1,79 0,66 1,11 1,43 0,36

41