2 Методи виміру ерс Хола
2.1 Класичний метод
Для виміру ефекту Хола використовують різноманітні методи: виміри при постійному магнітному полі і постійному струмі, при змінному магнітному полі і постійному або змінному вимірювальному струмі, методом Ван-дер-Пау та ін.
У найпростішому випадку (постійне магнітне поле і постійний вимірювальний струм) схема виміру показана на мал.2.1.
Ч
Малюнок 2.1
Як виходить з (1.3) для напівпровідника n-типу ЕРС Хола:
(2.1)
де d - товщина зразка в напрямку магнітного поля.
Звідси визначається постійна Хола:
(2.2)
По виміряному значенню постійної Хола Rнn визначається концентрація електронів:
(2.3)
і холівська рухливість електронів:
(2.4)
Вимір ефекту Хола супроводжується деякими фізичними явищами, а напруга на холівських електродах складається з п'ятьох компонентів:
ЕРС Хола, Uх;
ЕРС викликана ефектом Еттинсхаузена, Uе;
ЕРС викликана ефектом Нернста, Uн;
ЕРС викликана ефектом Рігі-Ледука, Uр;
Напруга U0, яка пов’язана з нееквіпотенційним розташуванням холівських електродів.
Для усунення сторонніх ефектів проводять виміри при різних сполученнях напрямків струмів і магнітного поля:
При +I, +B U1 = Uх + Uе + Uн + Uр + U0,
При +I, -В U2 = -Uх - Uе - Uн - Uр + U0,
При -I, +B U3 = -Uх - Uе + Uн + Uр - U0,
При -I, -В U4 = Uх + Uе - Uн - Uр - U0.
Звідси:
(2.5)
Так як зміна напрямку магнітного поля і вимірювального струму однаковим чином впливають на знак ЕРС Хола і ЕРС пов'язаної з ефектом Еттинсхаузена, то подібним чином позбутися ефекту Еттинсхаузена неможливо. Але так, як термомагнітній ефект Еттинсхаузена по своїй природі інерцієн, то його вплив можна обмежити при переході до вимірів ефекту Хола при змінному струму.
2.2 Вимір ефекту Хола методом Ван-дер-Пау
Для виміру ефекту Хола викладеним вище класичним методом, необхідно щоб зразок мав форму прямокутного паралелепіпеда, що ускладнює процедуру вимірів. Для контролю зразків у вигляді пластин довільної форми Ван-дер-Пау запропонував зручний метод, сутність, якого полягає в наступному.
По периферії плоского зразка довільної форми підключають чотири контакти A, B, C, D (мал.2.4) і вимірюють два значення опору:
; (2.6)
Ван-дер-Пау довів, що питомий опір зразка з товщину d, виражається співвідношенням:
(2.7)
де - поправочна функція.
Графік цієї функції зображено на мал.2.2.
Для визначення холівської рухливості носіїв заряду вимірюють ΔRbdac - зміна опору Rbdac= Uac/Ibd, викликана магнітним полем В:
(2.8)
де R'bdac - опір зразка при накладенні магнітного поля В.
Холівська рухливість носіїв заряду визначається співвідношенням:
(2.9)
Після чього можна визначити концентрацію вільних носіїв:
(2.10)
При виведенні співвідношень (2.9) і (2.10) передбачалося, що контакти розташовуються точно по периферії і мають точкові розміри.
Малюнок 2.2
Малюнок 2.3
Малюнок 2.4