2. Порядок выполнения работы

1. Собрать схему для снятия статических характеристик МДП‑транзистора.

Регулировка напряжений V_G, V_D и V_BS осуществляется ручками потенциометров, смонтированных на панели. Ток стока измеряется по падению напряжения на нагрузочном сопротивлении в цепи стока микровольтметром. Требуется, чтобы сопротивление нагрузки R_Н было много меньше сопротивления канала R_С, поэтому падение напряжения V_Rн должно быть много меньше напряжения V (примерно в 100 раз).

ВНИМАНИЕ! Во избежание пробоя статическим электричеством подзатворного диэлектрика запрещается прикасаться к выводам затвора руками без предварительного заземления затворной цепи.

2. Снять семейство I_D = f(V_D) при изменении напряжения на стоке от 0 до -10 В: через 1 В в крутой части и через 2 В в пологой части вольт‑амперной характеристики. Напряжения на затворе устанавливаются: -4 В, -6 В, -8 В, -10 В.(см. табл. 1).

Начертить таблицу 1 и результаты измерений занести в таблицу. Построить график зависимости I_D = f(V_D) и определить из графика напряжение отсечки .

Таблица 1

VG, B	VD, B	0	-1	-2	-3	-4	-6	-8	-10
-4	ID, мA
-6	ID, мA
-8	ID, мA
-10	ID, мA

3. Снять семейство переходных характеристик МДП‑транзистора I_D = f(V_G) при различных значениях напряжения сток‑исток. Величину напряжения на затворе изменять в диапазоне от -1 В до -10 В через 1 В.

а) Выставить напряжение на стоке: V_D = -0,1 В и снять I_D = f(V_G) в области плавного канала.

б) Последовательно выставляя V_D = -4 В, -10 В, снять характеристики МДП‑транзистора в области отсечки.

Занести результаты измерений в таблицу 2, построить графики I_D = f(V_G).

По формулам (10) и (12) рассчитать значения порогового напряже­ния V_T и подвижности дырок μ_p. Для этого на графике зависимости I_D = f(V_G) в области плавного канала проэкстраполировать прямолинейный участок зависимости к значению I_D = 0. Значение V_G при этом, как следует из (10), будет V_G = V_T – V_D/2. Величину подвижности μ_p определить из тангенсов угла наклона зависимости I_D = f(V_D) и I_D = f(V_G).

Таблица 2

VD, B	VG, B	0	-1	-2	-3	-4	-6	-8	-10
-0,1	ID, мA
-4	ID, мA
-10	ID, мA

4. Подать на подложку напряжение смещения V_BS, противоположное по полярности напряжению стока V_D. Снять семейство характеристик I_D = f(V_G) в области плавного канала (V_D = -0,1 В) при различных V_BS (см. табл. 3).

Таблица 3

VBS, B	VG, B	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10
0	ID, мA
2	ID, мA
4	ID, мA
6	ID, мA
8	ID, мA
10	ID, мA

Построить графики зависимости I_D = f(V_G) при различных значениях V_BS и определить по (10) значения порогового напряжения V_T. Построить график зависимости , и по (15) и (16) рассчитать величину N_B.

5. Отчет о работе должен содержать:

а) Схему для снятия характеристик МДП‑транзистора;

б) Таблицы результатов измерений;

в) Графики переходных I_D = f(V_G) и проходных I_D = f(V_D) характеристик МДП‑транзистора, графики зависимости I_D = f(V_G) при различных напряжениях V_BS,

;

г) Найденные из графика I_D = f(V_D) значения напряжения отсеч­ки и сравнение их с расчетными по (11);

д) Рассчитанные значения порогового напряжения V_T, подвижности дырок μ_p и уровня легирования подложки N_B.