4. Порядок выполнения работы

   1. Собрать схему (рисунок ), снять семейство входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме ОБ.

   2. Собрать схему (рисунок ) и снять семейство входных и выходных вольтамперных характеристик в схеме ОЭ.

   3. Снять семейство стокозатворных и стоковых характеристик полевого транзистора с p-n переходом в схеме с общим истоком (рисунок ).

   4. Измерить емкость p-n перехода биполярного транзистора. Для этого откалибровать осциллограф (вольтметр) с помощью эталонного конденсатора С_ЭТ, при этом установить переключатель S1 (рисунок ) в верхнее положение и измерить напряжение U_ЭТ на резисторе R_ЭТ. Далее переключить S1 в нижнее положение и измерить напряжение U_ТР и рассчитать значение емкости по вышеприведенной формуле. Напряжение смещения U_СМ выбрать равным -5В. C_ЭТ равно 20пФ.

5. Обработка результатов

   1. Пользуясь семейством статических вольтамперных характеристик в схеме ОБ, определить в какой-либо рабочей точке (на линейном участке входных вольтамперных характеристик) h–параметры биполярного транзистора и вычислить параметры эквивалентной схемы замещения rК, rБ, rЭ;

   2. По семейству вольтамперных характеристик в схеме ОЭ определить h – параметры транзистора и вычислить параметры , β;

   3. Определить параметры S, r_i полевого транзистора.

6. Требования к отчету

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

• схемы испытаний;

• эквивалентные схемы транзисторов;

• все снятые статические вольтамперные характеристики;

• вычисленные значения h – параметров и параметры физической эквивалентной схемы;

• измеренное значение емкости C_p-n.

7. Контрольные вопросы

   1. Пояснить принцип работы биполярных и униполярных транзисторов.

   2. Как связаны в транзисторах токи и напряжения?

   3. Пояснить физический смысл параметров эквивалентных схем транзисторов.

   4. Каковы типовые значения параметров эквивалентных схем транзисторов?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4

ИЗУЧЕНИЕ ОДИНОЧНЫХ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ

1. Цель работы

Определение основных характеристик и параметров одиночных усилительных каскадов, построенных на биполярных и униполярных(полевых) транзисторах.

2. Схема установки

3. Параметры элементов лабораторного стенда

3.1.1. Величины ёмкостей конденсаторов и сопротивлений резисторов:

С1=С2=С7=5 мкФ, С2=20 мкФ, С3=0,1 мкФ,

С4=С6=С8=С9=С11=20 мкФ,

R1=R8=R10=R17=0,1 кОм, R2=R9=33 кОм,

R4=R15=3 кОм, R5=R7=R16=2 кОм, R6=4,5 кОм

R11=500 Ом, R12=1 кОм, R3=15 кОм.

3.1.2. Параметры биполярных транзисторов V1, V2 – МП26Б (p-n-p – типа, германиевый, сплавной, низкочастотный)

Таблица 1.1

Ток базы	15 мА
Β (h21Э)
При 20^0С	30…80
При 60^0С	30…160
fα	Не менее 500 кГц
UКЭ.НАС при IК=100 мА	Не более 1,0В
UКБ ДОП (при х.х. в цепи базы)	Не менее 70В
h11б	Не более 35 Ом
h12б	Не более 4·10^-3
h21б	Не менее 0,968
h22б	Не более 1,0 мкСм
h11Э	Не более 1600 Ом
IКО (20^0С)	Не более 75 мкА
rб на частоте 500 Гц	Не более 160 Ом
Мощность на коллекторе	т.

3.1.3. Параметры полевого транзистора V3 – типа КП103В (кремниевый, планарный с управляющим p-n – переходом и каналом n – типа).

Таблица 1.2

Ток стока (при UСИ=10В, UЗИ=0)	0,3…2,5 мА
S (при UЗИ=0, UСИ=10В)	0,4…0,24 мА/В
Напряжение отсечки (при UСИ=10В, IС=10мкА)	0,4…1,5В
Ток затвора (при UЗИ=10В, UСИ=0В)	Не более 20нА
FШ (при UЗИ=0)	Не более 3дБ
Емкость СЗИ	Не более 20пФ
Емкость ССЗ	Не более 8пФ
UЗС ДОП	15В
UCB ДОП	10В
Рассеиваемая мощность	120мВт
Диапазон температуры окружающей среды	От -55 до -85^0С
ri	10^5 Ом