3 Полупроводниковые материалы
3.1.1 Полупроводниковые материалы применяются для изготовления:
в +транзисторов
в + выпрямителей переменного тока
в – дросселей
в – ламп накаливания
3.1.2 Количество зон, входящих в энергетическую диаграмму полупроводника …
+ три
одна
две
четыре
3.1.3 Германий относится к ...
+ полупроводникам
проводникам
диэлектрикам
магнитным материалам
3.2.1 Носителями зарядов в полупроводниках являются:
в + электроны
в + дырки
в – нейтроны
в – протоны
3.2.2 Электропроводность, характерная для полупроводников:
в + р-типа
в + n-типа
в – d-типа
в – с-типа
3.2.3 Примесь, которую необходимо добавить к чистому полупроводнику, чтобы он стал полупроводником р-типа …
+ акцепторную
донорную
замещения
внедрения
3.2.4 Примесь, которую необходимо добавить к чистому полупроводнику, чтобы он стал полупроводником n-типа …
+ донорную
акцепторную
замещения
внедрения
3.2.5 Свойства электронно-дырочного перехода положены в основу принципа действия …
+ диода
дросселя
безконтактного реле
ламп накаливания
3.2.6 Назначение p-n перехода …
+ выпрямление тока
усиление тока
стабилизация сопротивления
стабилизация напряжения
3.2.7 Сопротивление полупроводников зависит от:
в + температуры
в + наличия примесей
в – слабых электрических полей
в – конфигурации электрического поля
3.2.8 Полупроводник, у которого основными носителями заряда являются электроны – это полупроводник типа …
+ «n»
«р»
«p-n»
«n-p»
3.2.9 Полупроводник, у которого основными носителями заряда являются дырки – это проводник типа …
+ «р»
«n»
«p-n»
«n-p»
3.2.10 Донорная примесь создает на энергетической диаграмме полупроводника дискретные энергетические уровни ...
+ заполненные электронами, вблизи дна свободной зоны
заполненные электронами, вблизи потолка валентной зоны
свободные, вблизи дна свободной зоны
свободные, вблизи потолка валентной зоны
3.2.11 Акцепторная примесь создает на энергетической диаграмме полупроводника дискретные энергетические уровни ...
+ свободные, вблизи дна зоны проводимости
свободные, вблизи потолка валентной зоны
заполненные электронами, вблизи дна зоны проводимости
заполненные электронами, вблизи потолка валентной зоны
3.2.12 Донорная примесь – это:
в + элементы более высокой группы периодической системы, чем основной полупроводник
в + поставщик электронов в зону проводимости
в – элемент более низкой группы периодической системы, чем основной полупроводник
в – примесь, захватывающая электроны из валентной зоны полупроводника
3.2.13 Акцепторная примесь – это:
в + элемент более низкой группы периодической системы, чем основной полупроводник
в + примесь, захватывающая электроны из валентной зоны полупроводника
в – элементы более высокой группы периодической системы, чем основной полупроводник
в – поставщик электронов в зону проводимости
3.2.14 Эффект Холла характерен для …
+ полупроводников
проводников
диэлектриков
магнитных материалов
3.2.15 Эффект Холла формируется при воздействии на полупроводниковую пластину полем ...
+ поперечным
продольным
продольно-поперечным
сложной конфигурации
3.3.1 Факторами, которые управляют электропроводностью полупроводников являются:
в + свет
в + тепло
в – магнитное поле
в – влага
3.3.2 Внешний фактор, управляющий работой фотоэлемента …
+ свет
тепло
механическое усилие
магнитное поле
3.3.3 Управляемость электропроводностью полупроводников посредством механических усилий положена в основу принципа действия …
+ тензорезисторов
варисторов
фоторезисторов
терморезисторов
3.3.4 Фотопроводимость полупроводника – это изменение сопротивления под воздействием …
+ света
температуры
давления
напряжения
3.3.5 Терморезистор – полупроводниковый прибор, сопротивление которого зависит от …
+ температуры
напряженности поля
света
давления
3.3.6 Терморезистор – полупроводниковое устройство, сопротивление которого с увеличением температуры ...
+ уменьшается
увеличивается
не изменяется
колеблется
3.3.7 Терморезистор можно применять для измерения ...
+ температуры
светового потока
механических усилий
напряжения
3.4.1 Материалами, не являющимся полупроводниками, являются ...
+ Стронций
Хром
Кремний
Сера
3.4.2 Элементами, обладающими свойствами полупроводников,
являются ...
+ Сера
Селен
Сурьма
Стронций
3.4.3 Основными полупроводниковыми материалами для изготовления транзисторов являются …
+ Германий
Кремний
Магний
Сурьма
3.4.4 Основными собственными полупроводниками являются:
в + Германий
в + Кремний
в – закись меди
в – окись цинка
в – бор
3.4.5 Более термостойкими являются полупроводниковые устройства, выполненные на основе ...
+ кремния
германия
селена
мышьяка
3.5.1 Полупроводниковым химическим соединением является ...
+ карбид кремния
гемиоксид меди
пермаллой
бариевый феррит
3.5.2 Полупроводниковыми химическими соединениями АIIВVI являются:
в + сульфиды
в + селениды
в – алсиферы
в – арсениды
3.5.3 Полупроводниковые химические соединения АIIIВV – это ...
в + арсениды
в + фосфиды
в – селениды
в –нихромы
3.5.4 Арсенид галлия – это полупроводниковое химическое соединение типа ...
+ AIIIBV
AIIBVI
AIVBIV
AVBIII
3.5.5 Антимонид индия – это полупроводниковое химическое соединение типа ...
+ AIIIBV
AIIBVI
AIVBIV
AVBIII