Резонансно-туннельные диоды

Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода (а) и вольтамперная характеристика диода на основе гетероструктуры InAs/AlSb (б)

Преимуществом резонансно-туннельных диодов по сравнению с обычными туннельными диодами является более высокое быстродействие (до 2,5 ТГц) За счёт большей прозрачночти барьера и меньшей удельной барьерной ёмкости.