Лекции_2 / ТЛ4_CVD [Режим совместимости]

CVD реактордлямногослойных материалов

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	11

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	12

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	13

Механизмыроставискеров

Пар жидкость твердое

Пар твердое

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	14

Пар-жидкость-твердое

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	15

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	16

Пар-твердое

а	б	в

Рис.2. а - Одностенные углеродные нанотрубки выращенные на поверхности кварца методом CVD[3]; б - углеродные нанотрубки полученные методом PECVD [4]; в - «наногребни» ZnO выращенные методом CVD[5].

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	17

а	б	в

Рис.3. Железные покрытия полученные методом CVD из карбонила железа Fe(CO)5, при различных температурахподложки: а - 400 °С (х27500); б - 500 °С (х27500); в- 600 °С (х15500) [6].

а	б	в

Рис.4. а –нанокристаллический диоксид олова полученный методом CVD [7]; б - пучки углеродных нанотрубок полученные методом СCVD[8]; в – кремниевые «нанопроволки» полученные методом CVD [9].

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	18

а

б

Рис. 5. а – детали c функциональными покрытияминанесенными методом CVD; б – искусственный алмаз выращенный методом CVD

CVI - Chemical Vapour Infiltration

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	19

CVI - Chemical Vapour Infiltration

Синтез CVI волокнистого С/SiC материала

© ИОНХ РАН © Севастьянов В.Г.,
Попов В.С.	20