Р-n переход

36.Нарисуйте схему для экспериментальных исследований. Поясните назначение элементов схемы и порядок экспериментальной работы.

8. БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.Электронные приборы: Учебник для вузов / В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.

2.Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1980. 383 с.

3.Пасынков В.В., Чиркин А.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1987. 479 с.

4.Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное пособие. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1991. 621 с.

5.Елфимов В.И., Устыленко Н.С. Основы теории p-n перехода: Учебное пособие. Екатеринбург: ООО «Изд-во УМЦ УПИ», 2000. 55 с.

6.Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов: 2-е изд., испр. и

доп. :Сов. радио, 1969. 542 с.

7.Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учеб. пособие для втузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1977. 288с.

8.Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов:

М.: изд-во МГУ, 1986. 256с.

9.Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Под. ред. В.А. Лабунцова М.: Энергоатомиздат, 1990. 576с.

10.	Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Кн. 1. Пер. с англ.
2-е перераб. и доп. изд. М.:Мир,1984. 456с.
11.	Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники.

Задачи и вопросы: Учебн. пособие для вузов/ Под ред. В.А. Терехова. М.:

Высш. шк., 1990. 206 с.

12.Жеребцов И.П. Основы электроники: Учеб. пособие для вузов. 5-е изд., перераб. и доп. Л.: Энергоатомиздат,1989. 352 с.

13.Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы. М.: Радио и связь, 1989. 352с.

14.Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы:

Справочник/Под ред.	Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 744 с.
15.Полупроводниковые	приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны,

тиристоры: Справочник/Под ред. А.В. Голомедова, 2-е изд., стер. М.: Радио и связь, изд. фирма "КУбК-а", 1994. 527 с.

16.Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/ Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. Изд.4-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1976. 744 с.

41

17.Транзисторы и полупроводниковые диоды: Справочник/ Под общ. ред. И.Ф. Николаевского. М.: Связьиздат, 1963. 646 с.

Оглавление

Приложение 1

Пример оформления титульного листа отчета по лабораторной работе

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение

Уральский государственный технический университет – УПИ

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

42

Оценка работы __________

Преподаватель

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО_ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

Отчет по лабораторной работе № 1 по дисциплине «Физические основы электроники»

	Подпись	Дата	Ф.И.О.
Преподаватель	____________________	_________	Сидоров С.П.
Студент	____________________	_________	Павлов И.П.
Группа Р-294

Екатеринбург 2003

Приложение 2

Параметры германиевых выпрямительных полупроводниковых диодов

Параметры		Д7Ж	Д302		Д305	ГД107А	ГД113А	ГД507А
Среднее	прямое	0,5	0,25		0,3	1,0	1,0	0,5
напряжение, Uпр, В
Импульсное прямое								4,0
напряжение, В
				43

	Средний обратный ток
	мкА , при	100	800	2500	20	250	50
	Uобр=Uобрмакс,
	Максимально-	400	200	50	15	115	20
	допустимое обратное
	напряжение, В
	Средний прямой ток,	300	1000	10000	20	15	16
	Iпр макс, мА
	Импульсный прямой	1000	4000	20000		48	200
	ток,мА
	Рабочая частота,	2,4	5,0	5,0
	кГц
Приложение 3

Параметры кремниевых выпрямительных полупроводниковых диодов

Параметры	Д226А	Д242Б	КД102Б	КД103А	КД105Б	КД106А
Среднее прямое	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0
напряжение, Uпр, В
Импульсное прямое				2,5
напряжение, В
Средний обратный	50	3	0,1	1,0	100	10
ток мкА, при
Uобр=Uобр макс
Максимально-
допустимое обратное	300	100	300	50	400	100
напряжение, В
Средний прямой ток,	300	5000	100	100	300	300
Iпр макс, мА
Импульсный прямой	2500	15000	2000	2000	15000	3000
ток,мА
Рабочая частота, кГц	1,0	1,2		20	1,0	30

Приложение 4 Параметры стабилитронов с полевым пробоем

	Параметры	КС133Г	КС147А	КС156А	2С439А	КС456А
	Напряжение	3,3	4,7	5,6	3,9	5,6
	стабилизации
		(5)	(10)	(10)	(51)	(30)
	номинальное

44

(IСТ,мА),В
Разброс	напряжения		3,0÷	+10%	+10%	+10%	+10%
стабилизации			3,6 В
Максимальный		ток	37,5	58	55	176	139
стабилизации,мА
Минимальный		ток	1	3	3	3	3
стабилизации,мА
Прямое	напряжение
при IПР=50мА		(не	1	1	1
более),В
Постоянный обратный
ток		при	0,3	1	1
UОБР=0,7UСТНОМ, мА
Постоянный прямой			50
ток,мА
Дифференциальное			150	56	46	12	10
сопротивление
			(5)	(10)	(10)	(51)	(30)
(IСТ,мА) ,Ом
Температурный
коэффициент			-0,015	-0,09	+0,05	-0,1	0,05
напряжения				÷0,01
стабилизации, %/град
Рассеиваемая			125	300	300	1000	1000
мощность,мВт

45

Приложение 5 Параметры стабилитронов с лавинным пробоем

	Параметры			Д814А	Д814В	Д814Д	2С168А	2С175	КС191
								Ж	Ж
	Напряжение
	стабилизации			8,0	10,0	13,0	6,8	7,5	9,1
	номинальное			(5)	(5)	(5)	(10)	(4)	(4)
	(IСТ,мА),В
	Разброс	напряжения		7,0÷	9,0÷	11,5÷	+10%	7,1÷	8,6÷
	стабилизации			8,5В	10,5В	14,0В		7,9В	9,6В
	Максимальный		ток	40	32	24	45	17	14
	стабилизации,мА
	Минимальный		ток	3	3	3	3	0,5	0,5
	стабилизации,мА
	Прямое	напряжение		1	1	1	1	2	2
	при IПР=50мА, В
	Постоянный обратный			0,1	0,1	0,1	1000	20	20
	ток(UОБР,	В) не более,
				(1)	(1)	(1)	(4,5)	(5)	(6)
	мкА
	Постоянный		прямой					50	50
	ток,мА
	Дифференциальное			6	12	18	28	200	200
	сопротивление
				(5)	(5)	(5)	(10)	(0,5)	(0,5)
	(IСТ,мА) ,Ом
	Температурный
	коэффициент			0,07	0,09	0,095	+0,06	0,07	0,09
	напряжения
	стабилизации, %/град
	Рассеиваемая			340	340	340	300	125	125
	мощность,мВт

46

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

Составители	Елфимов Вячеслав Ильич
	Устыленко Наталья Степановна

Редактор Л.Ю. Козяйчева

Подписано в печать		Формат 60х84 1/16
Бумага типографская	Офсетная печать	Усл. печ. л.
Уч. – изд. л.	Тираж 100 Заказ	Цена «С»

Издательство ГОУ УГТУ-УПИ 620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19

47