книги / Транзисторы

ТРАНЗИСТОР П307А

		ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей				среды Тс = +20±5° С
			Обозна­		Един.	Величина
	Определение
			чение		изм.		макс.
Коэффициент усиления по -току				^219	—	|3 0 |	|90]
Сопротивление насыщения				Гн	ОМ	—	12001
Коэффициент	усиления	при	Тс =		—	Щ	| 270
= +70° С				Л2,э
Коэффициент	усиления	при	Тс =			\Щ	90
= —40е С				Л21Э	—
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­
чаются от данных, параметров и режимов измерений П307.
	ТРАНЗИСТОР П307Б
		ПАРАМЕТРЫ			о
при температуре окружающей среды Гс = + 2 0 ± 5 С
				Обозна­	Един.	Величина
	Определение
				чение	изм.	мин.	макс.
Коэффициент	усиления	по току		й2\ъ	—	|50]	11501
Сопротивления насыщения				Гн	ОМ	1 1 2 0 1 1 3 3 0 1
Коэффициент	усиления	по току при		^21Э	—	jlo ]	14 5 0 1
Тс= +70° С
То же, при Т°с= —60±2°С				Л21Э	—	Щ	11501

ТРАНЗИСТОР П307В

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Гс = + 20±5°С

■	' —ЦТ	■-—=------ —---------------------
				Величина
		Определс1ше	Обозна­	Един.
			чение	изм.
				мин.	макс.

Ток	коллекторного	перехода при	хх
в	цепи эмиттера	и UKб = 60 в
То же, при Т°с = 4-70±2° С
Ток	коллекторного	перехода	при
R96 ^\Q ком, (/« = 60 в

Сопротивление насыщения

Коэффициент усиления по току

Напряжение	коллектор — база
Напряжение	коллектор — эмиттер

при У?эб< Ю ком

^кбо

^кбо

Гн

/*21Э

U кбо

мка 0,005 i~20]

мка 2

1ю о!

мка 0,01 Щ

ом

60

| 2501

— |50] 11501

вн о

в— ГбоТ

ТРАНЗИСТОР П307Г

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей	среды	Т°с = 4-20±5э С		■- я
	Обозна­	Един.	Величина
Определение
	чение	изм.	мин.	макс.
Сопротивление насыщения	Гн	ОМ	100	250
Входное сопротивление	Лц	ОМ	—	70

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П307.

ТРАНЗИСТОР П308

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды 7,° = + 20±5°С

	Обозна­	Величина
Определение		Един.
	чение	изм.	макс.
		мин.

Ток	коллекторного		перехода	при	мка
£У„б = 120		в		^кбо		0,02	Щ
То	же, при	7\! = + 70±2°С		^кбо	мка	2	|100|
Ток	коллекторного		перехода	при	мка
RG<>Ю ком, (Укб= 120 в				Л<э/?		0,02	50
Сопротивление насыщения				га	ом	120	13301

Коэффициент усиления по току

h2\s

—

Ш

|8 0 |

Продолжение

		Обозна­	Един.	Величина
	Определение
		чение	изм.	мни.	макс.
Напряжение	коллектор — база	U*6o	в	—	1120 |
Напряжение	коллектор — эмиттер		в	_	1120 |
при Яэб<Ю ком

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П307.

ТРАНЗИСТОР П309

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Т°с *=+ 20 ±5° С

Величина

Определение	Обозна­	Един.
	чение	изм.

мин. макс.

Ток	коллекторного		перехода	при	мка
£/„б = 120		в		Л<бо
То же, при		Г° = +70±2°С		Лсбо	мка
Ток	коллекторного		перехода	при

0 ,0 2

2

Щ

|ю о |

/?эб< 1 0 ком,	£ / „ = 1 2 0 в	Л<э R	мка	0 ,0 2	I	5 0 1
Сопротивление насыщения		Гм	ом	60	|	2 0 0 1
Напряжение коллектор — база		U кбо	в	—	1 1 2 0 1
Напряжение	коллектор — эмиттер
при /?эб<^Ю ком			в	—		1 2 0 1

Типовые входные харак­ теристики транзисторов П307—П309 для схемы с общим эмиттером

О

0,2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4 U ,б .в

Типовые выходные характеристики / к = / ( ^ кэ) тРамзисТ0Р0в 11307—П309 для схемы с общим эмиттером

1кбо

кка

	R6.0M
Зависимость предельно допустимого	напряжения коллектор —эмиттер транзисто­
ров П307 — П309	от сопротивления в базе

1к б о

мне

U H6 = I2 )в

-60

-4 0

- 2 0

О

4-20

+ 4 0

4-60

+ 80

+100

4420

Т® ,°С

Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов ПЗОЗ—П399 от температуры окружающей среды

Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов П307—IIЗОд от напряжения коллектора

Гн(Т°с )

М 20'С)

Транзисторы германиевые р-п-р

диффузионно-сплавные высокочастотные ГТ308А—ГТ308В

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Усиление и генерирование электрических колебаний, работа в импульсных схемах и аппаратуре народно-хозяйственного значения.

2. Габаритный чертеж и располож ение выводов

(О

Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзи­ стора

3. Конструктивные данные

Вес транзистора		(макс.)		2 г
Высота	корпуса	(макс.)	8	мм
Диаметр	фланца	(макс.)	11,7	»
Длина выводов		(мин.)	30	»

Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

4. Указание по эксплуат ации

Транзисторы крепятся с помощью специальной панельки или за выводы путем пайки их оловом. При механическом воздействии с ускорением свыше 2 g транзисторы крепятся за корпус.

5.	Устойчивость против внеш них воздействий
Диапазон	температур				окружающей среды				—55 4 - 60° С
Атмосферное давление								от 2,7-10* доЗ*105я/лг2
Относительная			влажность			при + 40± 5СС				95ч-98?б
Термоцнклирование				в	диапазоне		температур		— 55ч-Н-60°С
Достоянные		ускорения			(макс.)					150 g
Многократные			удары		(макс, ускор.)					150 g
Одиночные		удары		(макс,		ускорения)				500	g'
Ёибрация в диапазоне 10ч-2000 Щ (макс,										15	g
ускорение)
			6. Классификационные параметры
						Обо­	Един.	Величина для транзисторов
Наименование параметра
						значе­	изм.	ГТ308А	V ГТ308Б	{^Т308В
						ние
Предельная		частота		ко­
эффициента			усиления				Мгц	90	120	120
по току						/т
Постоянная времени це­							псек		400	500
пи обратной связи						г'6С к		400
Коэффициент			усиления
по току		на	большом					20ч-75	504-120	804-200
сигнале						Л21Э
Коэффициент			усиления
по току на малом сиг­									> 1 5	> 2 5
нале						^219
				7. Тепловые парамет ры
		Определение					Обозначе­		Един.	Величина
								ние	изм.
Наибольшая			температура			перехода			°с
(кристалла)								Тумаке		1“Н*51
Наименьшая			температура			перехода		*го	°с
(кристалла)								1 мин		1— 551
Тепловое		сопротивление				переход —		-^пс	°с	0.25
окружающая среда									мет

Г _ -

--------------------------

------