книги / Транзисторы

Транзисторы кремниевые п-р-п

диффузионные КТ312А—КТ312В

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Использование в видеоусилителях телевизоров, в устройствах вычислительной техники, а также в аппаратуре народнохозяйствен­ ного и бытового применения.

2. Габаритный чертеж и располож ение выводов

3. Конструктивные данные

Вес транзистора		(макс.)	0,8 г
Высота	корпуса	(макс.)	4,3 мм
Диаметр	фланца	(макс.)	7,6	»
Диаметр баллона .			6,8	»
Длина выводов		(мин.)	28	>
Диаметр	выводов (мин.)		0,4	»

4 . У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и

Не допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса транзистора и в течение более 10 сек. Должны быть при­ няты меры против перегрева транзистора в процессе пайки.

Допускается установка транзистора в аппаратуру без дополни­ тельного крепления при свободной длине выводов не 'более 5 мм.

5 .	У ст ой ч и вост ь п р о т и в в н е м н и х в о зд е й с т в и й
Диапазон	температур окружающей среды	—40 ч - 85° С
Относительная влажность при +40 ±5° С		98%
Ударные	ускорения (макс.)	75	g
Вибрация в диапазоне Юн-600 гц (макс, ускорение)		7,5	g

6. К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы

Величина для транзисторов

Наименование параметра	Обозна­	Един.
	чение	изм.

КТ312А КТ312Б KT312IJ

Максимальная частота коэффициента усиле­ ния по току

Коэффициент	усиления
по току
Напряжение	коллек­
тор — эмиттер при со­
противлении	в цепи

базы Яб^ЮО ом

/ т	Мгц	Ы . 0 [	1> 1 2 0 1	|> 1 2	0 |
Л21э	—	10— 100	25-100	50—280
Uкэ R	в	15	30	15

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР КТ312А

/. Максимально допустимые данные

при. температуре окружающей среды Тс= —20 + 85° С

1. МОЩНОСТИ (мет) И ТОКИ

Определение

Постоянная мощность, рассеиваемая тран­ зистором без дополнительного теплоот­ вода

Постоянный ток коллектора

(ма)

Обозначение Величина

Рт 12251

тт

При 7’с > + 6 0 °С мощность рассчитывается по формуле
	85 — Т°с		мет.
	= 75Н-----Q J — ,
	2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)
	Определение		Обозначение	Величина
Напряжение	коллектор — база при	хх в
цепи эмиттера			^кбо	ГЩ
Напряжение	коллектор — эмиттер	при		__
/?б = 100 ом				|J5 ]
Напряжение эмиттер — база при хх в цепи			^эб	I а I
коллектора				И )
Напряжение	коллектор — эмиттер в режи­
ме насыщения			UKSH	1 < 0 . 8 1

Напряжение эмиттер — база	в режиме на­	l < U l
сыщения	и э6н

		ч// . Н а ч а л ь н ы е т о к и				( м к а )
	при температуре окружающей среды Гс= + 20-f- ±5° С
					Обозна­		Величина
		Определение
					чение
Ток	коллекторного		перехода при хх		А<бо				!_ioj
в	цепи эмиттера,		при £/ко = 15 в				—
То	же,	при£/,(б = 15 в, 7^=85°С			Асбо		—		Щ
Ток	эмиттерного		перехода при хх						По]
в цепи		коллектора U0б=4		'в	^эбо		—
		III. У с и л и т е л ь н ы е			п а р а м е т р ы
						о
		при температуре окружающей среды Тс 5=3 +20 ±5° С
		1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА
		при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ± 5 э С
			ЕМКОСТИ И ЧАСТОТЫ
			Обозна­ Един.		Величина		Режим измерений
	Определение
			чение	изм.	мин.	макс.	"к	/ э, ма	/.«<
							(£/э). в
Емкость		коллекторного		пф
перехода			ск		Ш	ш	1 0		|1	10» 1
Емкость эмиттерного пе­				пф		щ
рехода			сэ		7		(1)		|1	10» I
Постоянная времени це­				псек	50	1500 |		5 |5 • 106|
пи коллектора			г'6С к				1 0
Предельная частота’уси-					80			5
ления		по току	/т	М ги ,			1 0

		2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА
		при	Uи = 2 в,	/,к—20 ма
		Определение		Обозна­	Величина
				чение	мин.	макс.
Коэффициент усиления по току				^21Э	ГкП	|100|
		3. ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
		£/к= 5	в, / к = 1 ма и /=80 Мгц
Определение			* Обозна-	Един.	Величина
			чсние	ИЗМ.	мин.	макс.
Входная	проводимость:			мсим	10	20
модуль			1Упэ 1
фаза			Фпэ	град.	40	70
Входная	проводимость:			мсим	10	25
модуль			1Упб 1
фаза			Фпб	град.	—20	—35
Крутизна	характеристи­
ки:				мсим	10	20
модуль			I У219 I
фаза			1Фг1э 1	град.	—40	—65
Выходная	проводимость:			мсим	2	5
модуль			1У22Э
фаза			1Ф22Э	град.	60	100
		ТРАНЗИСТОР КТ312Б
			ПАРАМЕТРЫ
при				О
		температуре окружающей среды 7'с = + 20± 5°С
Определение			Обозна­	Един.	Величина
			чение	ИЗМ.	мин.	макс.
Предельная		частота уси­		Мгц		180
ления по току			/т		11201
Напряжение		коллектор-
база при хх в цепи
эмиттера		коллек­	и кб0	в		30
Напряжение
тор — эмиттер при			^кэ я	в		30
Яб<100	ом				—

				Продолжение
Определение	Обозна­	Един.	Величина
	чение	изм.	мии.	макс.
Постоянная времени це­		псек		14 0 0 1
пи коллектора	г'6С к		50
Коэффициент усиления			из	1100 |
по току	Л21Э	—

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений КТ312А.

ТРАНЗИСТОР КТ312В

ПАРАМЕТРЫ

	при температуре	<окружающей	среды	т[! = +20±5‘’ С
	Определение	Обозна­	Един.	Величина
		чение	изм.	мин.	макс.
	Предельная частота уси­	/т	Мгц	[120]
	ления по току				—
	Постоянная времени це­		псек	20	|400j
	пи коллектора	г'ъСк

Напряжение		коллек­
тор — эмиттер в			ре­
жиме	насыщения		при
Iк = 20 ма, / б = 2 ма
Коэффициент		усиления
по току
Входная проводимость
при	£/к=5	в,	/ к =
= 1 ма и f= 100 Мгц:
модуль
фаза
» ■	.............. —

^КЭН	в	0.1	0.45
^213	—	m	]~280j
1Упэ 1	моим	9	15
Фпэ	град.	40	70

	Определение			Обозна-
				чение
Входная проводимость
при	Uк= 5		в,	/,( =
= 1	ла	и f = 100		Мгц:
модуль				1Упэ1
фаза				Фпэ
Крутизна		характеристи­
ки	и п=Ь		в,	/,< =
при
*= 1 ма		и f *= 100		Мгц:
модуль				1У21Э 1
фаза				Ф21Э
Выходная		проводимость
при	Uк=*5		в,	/ на
= 1	ма	и f = 100		Мгц:
модуль				1У22Э 1
фаза				Ф22Э

Продолжение

Един.	Величина
ИЗМ.	МШ1.	макс.

мсим	15	30
град.	—20	—30
моим	12	20
град.	- 3 5	- 5 5
мсим	2,5	4,5
град.	55	100

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений КТ312А.

'*0

ма

i,2

	____	Q
1,0		-- Л - и—
		-	h -
0 8			4
06	'		: :	—
			т -
0.4
			FU -
		:::
			—
0 .2		: : i	—
		■JC
		-9*	0 8 !.
0	0 , 2	С)А 0 ,6

и эб /В

Типопые входные характеристики транзисторов КТ312А—КТ312В для схемы с общим эмиттером

Типовые выходные характеристики транзисторов КТ312А—КТ312Б для схемы с общим эмиттером

-60	-40	-20	0	4-20 4-40 +60 + 80	И00 +120
					тоос

Типовые зависимости токов эмиттерного и коллекторного переходов транзисторов КГ312А— КТ312В от температуры окружающей среды ((/^ = 15 в, 6/эб=1 в)

Вст (Т°) Вст(20°С)

Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов KTJ12A—КТ.'Л2В от температуры окружающей среды

Зависимость емкости коллекторного перехода транзисторов КТ312А — КТ312В от напряжения на коллекторе