Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

f TlMru

Зависимость предельной частоты транзисторов КТ312А—КТ312В от ток эмиттера

Зависимость постоянной времени цели коллектора транзисторов КТ312А—КТ312В от тока эмиттера

Зависимости /{-параметров транзисторов КТ312А — КТ3123 от температуры окружающей среды

Г QСн леем

Зависимость постоянной времен:! цепи коллектора транзисторов К^312А —КГЗГ2В от напряжен!!}! на коллекторе

Зависимость входной проводимости транзисторов КТ312А и КТ312Б для схемы с общим эмиттером от частоты тока коллектора

В Ч2ш

О ' 05

1.0

1.5

20

25

3.0

3 0

?29в.мсии

Зависимость выходной проводимости транзисторов КТ312А и КТ312Б для схемы с общим эмиттером от частоты и тока коллектора

6пе>иои»

о 1 2 э

10 11 с^ .и о и м

Зависимость входной проводимости транзисторов КТ312В для схемы с общим эмиттером от частоты и тока коллектора

О

Ю_______ 20______ 30

40 qgia.HOMM

6218,мсим

Зависимость крутизны транзисторов

КТ312А и КТ312Б

от частоты и тока коллектора

10_______ 20_______ 30

40 Чцэ.мсим

Зависимость крутизны транзисторов КТ312В от частоты и тока коллектора

Транзисторы германиевые р-п-р

планарные ГТ313А, ГТ313Б

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Работа в качестве усилителей гетеродинов и преобразователей телевизионных и радиовещательных приемников и использование в аппаратуре народнохозяйственного и бытового применения.

2. Габаритный чертеж и располож ение выводов

о

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

2 2

Высота

корпуса

(макс.)

5.3 мм

Диаметр

фланца

(макс.)

11.2

»

Диаметр

баллона

8.4

»

Длина выводов

(мин.)

17

»

Диаметр

выводов (мин.)

0,5

>

4. У казания по эксплуат ации

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Пайку производить паяльником мощностью 50—60 вт в течение 10 сек, приняв меры против перегрева транзис­ торов.

Допускается установка транзистора в аппаратуру без дополни-* тельного крепления при свободной длине выводов не более 5 мм.

5 . Устойчивость против внеш них воздействий

Диапазон температур окружающей

среды

—20-5—}-55° С

Относительная влажность при

+40±5° С

 

95-7-9896

Ударные ускорения (макс.) .

 

 

 

.

50 g

Вибрация в диапазоне 10^-70

гц

(макс,

ускорение)

 

3 g

б. Классификационные парамет ры

 

 

 

 

 

Величина для

Наименование параметра

 

Обозна­

Един.

транзисторов

 

 

чение

изм.

 

ГТ313Б

 

 

 

ГТ313А

Предельная частота усиления по току в схеме с общим эмитте­ ром

Постоянная времени цепи кол­ лектора

Емкость коллекторного перехода

/ т

Мгц

300-5-1000 450-5-1000

'6 с к

псек

со о •—4•I- 2

1> 4 0 1

С к

пф

12 .5 1

ш

 

 

 

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР ГТ313А

/. М аксимально допустимые данные

1. МОЩНОСТИ (мет) И ТОКИ (ма)

Определение

Обозначение

Величина

Постоянная

мощность, рассеиваемая

тран­

зистором

без

теплоотвода

при

Т с=

= +20° С

 

 

 

 

То же; при

Тс =

-f- 55° С

 

 

Постоянный

ток

коллектора

при

Т°с =

= +55° С

 

 

 

 

P m

|100|

P m

]~50~|

f к m

По]

2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды Т°с = —20-$-+55° С

 

 

Определение

 

 

Обозначение |

Величина

Напряжение

коллектор — база

при

XX в

 

 

 

цепи эмиттера

 

 

 

 

U кбо

ГЩ

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

 

 

 

У?э = 500 ом и 7?б=2

ком

 

 

 

^кэ R

п и

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

 

 

 

/?б = 500 ом

 

 

 

 

 

"«ЭЯ

12

 

 

//.

Начальные токи (м ка)

 

 

при температуре окружающей среды Т с = + 2 0 ±5° С

 

 

Определение

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

 

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при

 

 

 

Щ

хх

в цепи

эмиттера и UK6 = 12в

I кбо

 

0 ,1

в цепи коллектора и U06 = 0,25 в

I эбо

 

0,1

ГТоТ

Ток

эмиттерного перехода при

хх

 

 

 

 

III. Усилительные параметры

1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

а) ПАРАМЕТРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

при Т°с = +20±5° С,

£/к = 5

в, / э= 5 ма и /= 50 -s- 103

гц

Определение

Обозна­

Един.

 

Величина

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

|

макс.

 

 

 

Входное

сопротивление

 

ом

5

при / э=1 ма

 

Лцб

Коэффициент

обратной

^ 12б

 

0,6- К Г 3

связи по напряжению

Выходная

проводимость

Л22б

мксим

2,5

Коэффициент

усиления

 

20

по току

 

 

h2\s

\ЕИ

2,5 • 1(Г3

5

$ 1 °

 

 

б) ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

 

 

 

 

 

при

7'°=20±5°С и к= Ъ в, / э= 1 ма и /= 10е

 

 

 

Определени

Обозначение

Един.

 

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Входная

проводимость

 

 

 

 

 

 

 

 

— модуль

1У 11

 

мсим

 

12

16

 

— фаза

 

Фпэ

 

град

 

40

60

 

Входная

проводимость

 

 

 

 

 

 

 

 

— модуль

|Упб1

 

мсим

 

25

50

 

— фаза

 

Фпб

 

град

- 1 0

—30

 

Крутизна

характеристи­

 

 

 

 

 

 

 

 

ки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— модуль

|У 21э|

 

мсим

 

20

95

 

— фаза

 

Ф21Э

 

град

—30

—50

 

Выходная проводимость

 

 

 

 

 

 

 

 

— модуль

1У22Э 1

мсим

 

2

 

3,0

— фаза

 

Ф22Э

 

град

 

65

85

 

Предельная частота уси­

 

 

 

| 300 1

110001

ления

по току

Л

 

 

 

 

 

в) ЕМКОСТИ

 

 

 

 

 

 

ярц температуре

окружающей 'среды

Тс = + 2 0 ±5° С

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим измерений

Определение

Обозна­

Един.

 

 

 

 

 

/

чение

изм.

мин.

макс.

( у э)

/э, ма

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£/к, в

 

Мгц

Емкость

коллекторного

 

пф

1

 

5

 

5

перехода

 

с к

12.51

 

Емкость

эмиттерного пе­

 

пф

3

Щ

0,25

 

5

рехода

 

 

С э

 

Постоянная

времени

г'б Ск

псек

30

 

5

5

 

5

цепи коллектора

\75\

 

^ ■■- . — —