50.Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (электронная спектроскопия для химического анализа). Эффект Оже. Электронная оже-спектроскопия.
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (англ. X-ray photoelectron spectroscopy) – метод поверхностного анализа, использующийся для определения химического состава твердых поверхностей. Позволяет определять энергию связи. Анализ основан на определении энергии электронов, испускаемых твердым телом в результате подвергания его монохроматическому рентгеновскому излучению
Эффект Оже — явление в физике, в ходе которого происходит заполнение электроном вакансии, образованной на одной из внутренних электронных оболочек атома путём «выбивания» другого электрона рентгеновским излучением.[1] Эффект Оже был открыт в 1925 году на основе анализа экспериментов в камере Вильсона.
При «выбивании» излучением на внутренней электронной оболочке образуется вакансия. Такое состояние неустойчиво и электронная подсистема стремится минимизировать энергию за счёт заполнения вакансии электроном с одного из вышележащих уровней энергии атома. Выделяющаяся при переходе на нижележащий уровень энергия может быть испущена в виде кванта характеристического рентгеновского излучения, либо передана третьему электрону, который вынужденно покидает атом. Первый процесс более вероятен при энергии связи электрона, превышающей 1 кэВ, второй — для лёгких атомов и энергии связи электрона, не превышающей 1 кэВ.
Второй процесс называют по имени его открывателя Пьера Оже — «эффектом Оже», а высвобождающийся при этом электрон, которому был передан избыток энергии, — Оже-электрон. Энергия Оже-электрона не зависит от энергии возбуждающего излучения, а определяется структурой энергетических уровней атома.
51. Электронные энергетические зоны в твёрдых телах. Кривая Вильсона. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
53 Дрейфовая скорость и подвижность носителей заряда. Рассеяние носителей заряда на колебаниях решётки. Температурная зависимость подвижности.
Собственные полупроводники. Понятие дырки. Концентрация электронов проводимости и дырок. Термисторы.
Примесные полупроводники. Донорная и акцепторная примесь. Полупроводники p-типа иn-типа. Концентрация электронов проводимости и дырок. Химические сенсоры.
56 Поглощение света полупроводником. Спектр поглощения. Фотопроводимость. Фоторезисторы. Процесс ксерокопирования.
57 p-n-переход. Вольтамперная характеристика p-n-перехода. Полупроводниковый диод как выпрямитель. Фотодиоды и солнечные батареи.
МДП-структуры. Явления обеднения и инверсии. МОП-транзистор с индуцированным каналом. КМОП-логика.
Приборы с зарядовой связью. ПЗС-матрица.
Строение ядра. Свойства ядерных сил Радиоактивность. Виды радиоактивного распада. Закон радиоактивного распада.
