- •Часть 3
- •13.2 Одночастотные полупроводниковые лазеры с составным резонатором Фабри-Перо и их модификация с3 – полупроводниковые лазеры.
- •13.3. Одночастотные полупроводниковые лазеры с внешней дифракционной решеткой.
- •13.4. Одночастотные полупроводниковые лазеры с внутренней дифракционной решеткой.
- •13.6 Одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконной дифракционной решеткой.
- •13.7 Одночастотные полупроводниковые лазеры с внутренней дифракционной решеткой (вертикально - излучающие полупроводниковые лазеры).
- •14.1 Импульсные полупроводниковые лазеры.
- •14.2 Прямая амплитудная модуляция излучения полупроводникового лазера.
- •15.1 Методы измерения сверхкоротких импульсов.
- •15.2. Модуляция добротности полупроводникового лазера (активная и пассивная).
- •15.3 Синхронизация мод в полупроводниковом лазере.
- •16.1 Теорема Лагранжа.
- •16.3. Оптические системы на основе полупроводниковых лазерных линеек и лазерных матриц.
16.1 Теорема Лагранжа.
Построим теперь изображение не точки, а светящегося малого отрезка А1В1, перпендикулярного продолжению оси OS (рис.227). Построение изображения будем производить параксиальным пучком света. В случае параксиальных лучей тангенсы углов u1 и u2, определяющие максимальное раскрытие (апертуру) соответственно падающих на преломляющую поверхность и сопряженных им изображающих пучков, можно заменить значениями самих углов.
Рис. 227.Построение малого объекта с помощью тонкой линзы и параксиальных пучков.
Обозначим показатели преломления сред соответственно слева и справа от преломляющей поверхности через n1 и n2, длину отрезка – через y1, длину изображения – через y2, расстояния от А1В1 и А2В2 до преломляющей поверхности -- соответственно через a1 и a2, углы падения и преломления – через i и r.
Из Δ А1В1S и Δ А2В2S соответственно имеем:
tg i=y1/a1; tg r = y2/a2. (102)
Ввиду малости длин y1 и y2 тангенсы углов падения и преломления можно заменить синусами соответствующих углов. Принимая во внимание также закон преломления света, получим:
tg i / tg r = sin i /sin r = (y1/a1) (a2/ y2) = n2/n1 (103)
С другой стороны, исходя из треугольников A1PS и A2PS, а также из условия параксиальности, имеем:
tg u1 = PS/A1S = PS/a1~ u1; tg u2 = PS/A2S = PS / a2 ~ u2 (104)
Отсюда:
a1/a2=u2/u1 (105)
Учитывая (111) и ( 109), получим:
y1n1u1 = y2n2u2 (106)
Это соотношение носит название теоремы Лагранжа-Гельмгольца.
Если апертура пучка так велика, что параксиальность нарушается, тогда вместо теоремы Лагранжа-Гельмгольца пользуются условием синусов Аббе:
y1 n1 sin u1 = y2 n2 sin u2 (107)
Выводы из теоремы Лагранжа-Гельмгольца. Проанализировав теорему Лагранжа-Гельмгольца, можно получить из нее следующие выводы:
-
Поскольку отношение a2/a1 в пределах апертуры параксиальных лучей остается постоянным при всех значениях углов u1 и u2, то, как следует из теоремы Лагранжа-Гельмгольца, т.е.:
y2 /y1 = (n1/n2)(u1/u2) = (n1a2) (n1a1) = const (108)
т.е. увеличение (отношение величины изображения к величине предмета) малого предмета, расположенного около оси, сохраняется неизменным для всех лучей параксиального пучка. Это говорит о том, что изображение рассмотренного предмета передается параксиальным пучком без изменения.
2. Заданный световой пучок с помощью оптических систем* можно преобразовать в другой пучок только в рамках условия Лагранжа-Гельмгольца. Отсюда следует, что никакая оптическая система не может увеличить яркость светового пучка. Исходя из этого, теорему Лагранжа-Гельмгольца часто называют одним из видов принципа сохранения энергии.
* См.: Слюсарев Г.Г. «О возможном и невозможном в оптике». М., 1957, пар.7, с.51-53; его же «Геометрическая оптика, 1946, пар.4, гл.VI.
16.2. Оптические системы на основе полупроводниковых лазеров.
Одной из первых оптических систем на основе полупроводниковых лазеров является оптический модуль полупроводникового лазера, состыкованного с одномодовым или многомодовым волокном. При всей своей внешней простоте это сложная система, которая должна обеспечить стабилизацию рабочей температуры юстированных оптических элементов, что достигается с помощью элемента пелтье и датчика температуры. Герметичность модуля обеспечивается чаще всего лазерной сваркой. Обратная связь с помощью фотодиода обратной связи. При необходимости модуль снабжается высокочастотным вводом.
Рис. 228. Внешний вид оптического модуля полупроводникового лазера.
Рис.229.Схематическое изображение оптического модуля полупроводникового лазера – оптического усилителя состыкованного с волоконной дифракционной решеткой.
Рис.230. Схематическое изображение оптического модуля полупроводникового оптического усилителя состыкованного с набором одномодовых волокон собранных на выходе в волоконно оптический кабель.
После возникновения мощных одиночных полупроводниковых лазеров были разработаны мощные полупроводниковые модули сумматоры, позволяющие собрать в одном многомодовом волокне излучение нескольких полупроводниковых лазеров. Для этого были придуманы множество схем сумматоров оптического излучения.
Рис. 231. Мощный оптический модуль с сумматором оптического излучения четырех полупроводниковых лазеров, каждый из которых введен в отдельное кварцевое многомодовое волокно.