Исходные данные:

Концентрация акцепторов в затворе:

Концентрация доноров в канале:

Концентрация в истоке и стоке:

Толщина эпитаксиальной пленки:

Глубина затвора:

Длина канала:

Ширина канала:

Список констант:

Постоянная Больцмана:

Заряд электрона:

Относительная электрическая проницаемость:

Электрическая постоянная:

Металлургическая толщина канала:

Температура комнатная:

Собственная концентрация:

Полная концентрация примеси:

Расчет транзистора:

Подвижность электронов:

Контактная разность потенциалов:

Напряжение отсечки:

Удельное сопротивление канала:

Сопротивление канала:

Крутизна, при :

Максимальный ток стока, достигаемый при напряжении на затворе равным нулю:

Передаточная характеристика:

Рис. 8 Рассчитанная передаточная характеристика

Семейство выходных характеристик:

Крутая часть характеристики

Пологая часть характеристики

Крутая часть характеристики

Пологая часть характеристики

Крутая часть характеристики

Пологая часть характеристики

Рис. 9 Семейство выходных характеристик

Зависимость крутизны на рабочем участке от напряжения на затворе:

Рис. 10 Зависимость крутизны на рабочем участке от напряжения на затворе

Зависимость напряжения отсечки от концентрации доноров в эпитаксиальной пленке:

Рис. 11 Зависимость напряжения отсечки от концентрации доноров

в эпитаксиальной пленке

Список литературы

1. Пасынков в.В. , Чиркин л.К. Полупроводниковые приборы. – м.: Лань, 2002

2. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. –

М.: Высшая школа, 1991

3. Макаров Е.А., Усольцев Н.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие. НГТУ, 2004

4. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов, 1973,1984 в 2 т.

5. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов, 1980, 1990.

6. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших ИС, 1991.

7. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы, 1990.

8. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Г. Основы микроэлетроники. – М.: Радио и связь, 1991.