Физические константы

Обозначение	Значение	Единица измерения	Физический смысл
k	1.38*10^-23	Дж/К	Постоянная Больцмана
T	290	К	Температура материала(среды)
q	1.6*10^-19	Кл	Заряд электрона
0	8.85*10^-14	Ф/cм	Электрическая постоянная
0X	3.8	-	Относительная диэлектрическая проницаемость SiO2
	11,8	-	Относительная диэлектрическая проницаемость Si
ni	1.4*10^10	см^-3	Собственная концентрация электронов в Si
y	4.15	эВ	Электронное сродство
Ed	1.12	эВ	Ширина запрещенной зоны Si

Расчет параметров:

1. Контактная разность потенциалов:

2. Емкость диэлектрика

3. Напряжение плоских зон

4. Потенциал инверсии

5. Заряд акцепторов

6. Пороговое напряжение

7. Удельная крутизна

8. Ширина ОПЗ в подложке при напряжении исток-подложка

9. Удельная емкость подложки

10.Коэффициент влияния подложки

Семейство выходных характеристик.

Рис.7. Выходные характеристики транзистора,

Изменить пределы тока на графике.

Передаточная характеристика.

Входная ВАХ МДП транзистора

Рис.8. Передаточная характеристика транзистора

Изменить пределы тока на графике. Подписать переменные на графиках.

Зависимости параметров от легирования подложки.

Зависимость удельной крутизны от концентрации примеси в подложке.

Рис.9. Зависимость удельной крутизны от концентрации примеси в подложке,

Уменьшить начальное значение концентрации.

Зависимость порогового напряжения от концентрации примеси в подложке.

Рис.10. Зависимость порогового напряжения от концентрации примеси в подложке

уменьшить начальное значение концентрации.

Зависимость коэффициента влияния подложки от концентрации

примеси в подложке.

Рис.11. Зависимость коэффициента влияния подложки от концентрации примеси в подложке

уменьшить начальное значение концентрации.

Зависимость параметров от толщины диэлектрика.

Зависимость порогового напряжения от толщины диэлектрика.

Рис.12. Зависимость порогового напряжения от толщины диэлектрика

Зависимость удельной крутизны от толщины диэлектрика.

Рис.13. Зависимость удельной крутизны от толщины диэлектрика

Зависимость коэффициента влияния подложки от толщины диэлектрика.

Рис.14. Зависимость коэффициента влияния подложки от толщины диэлектрика.

Рассчитанные значения:

1. Контактная разность потенциалов: φ0=0.143 (В)

2. Емкость диэлектрика: Сg=3,737·10^-8(Ф)

3. Напряжение плоских зон: Uβ=-0.713 (В)

4. Потенциал инверсии: φi=0.619 (В)

5. Заряд акцепторов: Qa=2,612·10^-8 (Кл)

6. Пороговое напряжение: Ut= 0,604 (В)

7. Удельная крутизна: β=1,121·10^-4(A/B)

8. Ширина ОПЗ в подложке при напряжении исток-подложка . δo=2,373·10^-5 (мкм)

9. Удельная емкость подложки: Сb=4,392·10^-8(Ф)

10. Коэффициент влияния подложки: η=1,175