Биполярный транзистор

Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующимивыпрямляющими электронно-дырочными переходами, тремя (или более выводами). Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениямиинжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Структура биполярных итранзисторов приведена на рисунках.

Взаимодействиемеждупереходами осуществляется при малой толщине области между переходами. В этом случае носители заряда,инжектированные через переход, смещенный в прямомнаправлении, могут преодолеть малую базовую область и дойти до второго перехода.

Второй переход смещен в обратном направлении. При отсутствии инжекции носителей в область базы ток второго (обратно смещенного перехода) мал. При наличии инжекции носителей в базовую область, достигшие второго перехода носители изменяют ток, протекающий через обратно смещенный переход. То есть, ток первого перехода управляет током второго перехода.

Область транзистора, используемая в режиме инжекции, называется эмиттером.

Область транзистора, осуществляющая экстракцию (удаление) носителей заряда называется коллектором.

Средняя область транзистора называется базой.

Электронно-дырочный переход, расположенный между эмиттером и базой, называется эмиттерным переходом. Электронно-дырочный переход, расположенный между коллектором и базой, называетсяколлекторным переходом.

Для величин, относящихся к эмиттеру, коллектору и базе применяются индексы "э", "к", "б" соответственно. Например, токи в соответствующих проводниках, обозначаются . Напряжения между соответствующими электродами обозначаются двойными индексами:-напряжение между базой и эмиттером.

Электронно-дырочные переходы биполярного транзистора могут быть смещены как в прямом, так и в обратном направлении. При этом возможны три режима работы транзистора:

1. Режим отсечки-оба перехода смещены в обратном направлении и через транзистор проходят малые токи

2. Режим насыщения- оба перехода смещены в прямом направлении. Через транзистор при этом проходят сравнительно большие токи.

3. Активный режим- эмиттерный переход смещен с прямом направлении, коллекторный переход смещен в обратном направлении. В этом режиме наиболее эффективно осуществляется управление током.

Физика работы биполярного транзистора в активном режиме.

Активный режим является основным режимом работы транзистора. В активном режиме на эмиттерном переходе прямое напряжение внешнего источника, то есть сопротивление эмиттерного перехода низкое -несколько ом.. На коллекторном переходе обратное включение внешнего источника - сопротивление коллекторного перехода высоко - несколько мегаом. Благодаря высокому сопротивлению коллекторного перехода в цепь коллектора можно включать нагрузку с большим сопротивлением, а ток коллектора при этом останется практически неизменным, так как он все равно будет определяться очень большой величиной сопротивления обратно смещенного коллекторного перехода.

При прямом смещении эмиттерного перехода его потенциальный барьер понижается и через переход течет ток основных носителей заряда -ток эммитера . Инжектированные через эмиттерный переход в базу носители заряда, частично рекомбинируют в базе. Ввиду малой толщины базы основная часть инжектированных носителей заряда диффундирует сквозь базу и (для базы это неосновные носители) достигает коллекторного перехода.

В исходном состоянии коллекторный переход закрыт обратным включением внешнего источника. Поэтому на коллекторном переходе существует потенциальный барьер и соответствующее электрическое поле. Через коллекторный переход могут проходить только неосновные носители. Поэтому инжектированные через эмиттерный переход носители - для коллекторного перехода это неосновные носители - подхватываются полем и проходят через коллекторный переход, создавая коллекторный ток . Следовательно, коллекторный переход осуществляет удаление -экстракцию- неосновных носителей из базовой области.

Те носители, которые не принимают участия в создании коллекторного тока, а рекомбинируют в теле базы, создают тем базовый ток .

Очевидно, что ток коллектора меньше тока эмиттера. Из условия равенства токов в узле (закон Кирхгофа для токов) следует следующее равенство:.

Необходимо чтобы ток базы был по возможности ниже. Обычно ток базы составляет единицы процентов от величины тока эмиттера. Это достигается при изготовлении транзисторов уменьшением концентрации примесей в базе, уменьшением толщины базы. При выполнении этих условий можно считать, что токи эмиттера и коллектора примерно равны .

Следовательно ток коллектора может изменяться от очень малой величины (практически от нуля), определяемой обратным током электронно-дырочного перехода, до значения тока эмиттерного перехода.

Если ток коллектора возрастает при неизменном напряжении на коллекторе (-схема включения с общей базой), то физически это означает, что сопротивление коллекторного перехода снижается до величины того же порядка, что и сопротивление эмиттерного перехода. Следовательно, в результате инжекции носителей из эмиттера происходит преобразование сопротивления коллектора (transferresistor- отсюда и название транзистор).

Напряжение на эмиттерном переходе значительно меньше чем напряжение на коллекторном переходе (). Токи коллектора и эмиттера практически равны. Мощности выделяемые в эмиттерной цепии коллекторной цепиразличны, причем. Следовательно, биполярный транзистор способен усиливать мощность входного сигнала, то есть является усилительным прибором.