- •Контакт металла с полупроводником
- •Электронно-дырочный переход.
- •Прямое включение внешнего источника электропитания к электронно-дырочному переходу.
- •Обратное включение внешнего источника напряжения.
- •Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
- •Полупроводниковые диоды
- •Транзисторы
- •Полевые транзисторы
- •Принцип действия полевого транзистора с управляющим переходом.
- •Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •Полевые транзисторы с индуцированным каналом
- •Биполярный транзистор
- •Физика работы биполярного транзистора в активном режиме.
- •Параметры биполярных транзисторов.
Параметры биполярных транзисторов.
Коэффициент передачи эмиттерного тока:. Обычно коэффициент передачи эмиттерного тока близок к единице ().
Для схем с общим эмиттером используется коэффициент передачи базовоготокаКоэффиценты передачи эмиттерного и базового тока связаны соотношением
.
Поскольку коэффициент , то величина коэффициентасоставляет десятки и даже сотни.
Для анализа работы транзистора на переменном токе с малыми амплитудами используют понятие дифференциального коэффициента передачи базового тока . Обычно.
Различают три схемы включения транзистора:
С общим эмиттером (ОЭ)
С общей базой (ОБ)
С общим коллектором (ОК)
Общим является электрод, потенциал которого принимается за нулевой.
Для каждой схемы включения вводятся свои семейства характеристик, которые позволяют правильно выбрать рабочий режим транзистора и наиболее эффективно использовать его возможности. Основными характеристиками транзистора являются входные и выходные статические характеристики. Входные статические характеристики связывают ток и напряжение на входе. Выходные статические связывают ток и напряжение на выходе.
Для схемы с общей базой входной статической характеристикой является зависимость. Выходной статической характеристикой является зависимость
Входные характеристики имеют вид характеристики перехода, включенного в прямом направлении (прямая ветвь характеристики диода). С увеличение напряжения на коллекторе характеристики смещается влево.
Выходные характеристики аналогичны обратной ветви вольт-амперной характеристики диода.
и для транзисторов:
обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой при токе эмиттера, равном нулю.
В схеме с общей базой ток коллектора практически равен току эмиттера. Поэтому усиление по току в схеме с общей базой отсутствует.
При включении транзистора по схеме с общим эмиттеромвходной характеристикой является зависимость, а выходной
и для транзисторов:
В схеме с общим эмиттером входной ток базы значительно меньше выходного тока коллектора. Поэтому в схеме с общим эмиттером осуществляется усиление как по току, так и по напряжению.
При включении транзистора по схеме с общим коллекторомвходной характеристикой является зависимость, а выходной
В схеме с общим коллектором выходное напряжение передается на вход, то есть очень сильна обратная связь.
Коэффициент усиления по току схемы с общим коллектором почти такой же как и у схемы с общим эмиттером. Коэффициент усиления по напряжению в силу обратной связи близок к удинице (меньше единицы). Усиление мощности сигнала в схеме с общим коллектором возможно только за счет усиления по току.
Выходной сигнал в семе в общим коллектором (выходное напряжение) повторяет входной сигнал. Поэтому каскад с общим коллектором иногда называют эмиттерным повторителем (эмиттерным потому что резистор нагрузки включается в цепь эмиттера).
Система обозначений для биполярных транзисторов установлена ОСТ 11336-919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Для биполярных транзисторов второй элемент кода–букваТ. На графическом изображении биполярного транзистора стрелка указывает направление протекания эмиттерного тока при прямом напряжении на переходе эмиттер-база.
Например: КТ937А-2- кремниевывй биполярный транзистор, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А. безкорпусной, с гибкими выводами на кристаллодержателе.