Раздел XII
ТРАНСМИТТЕРЫ И БЛОКИ ДЕШИФРАТОРА
XII. 10. Блоки дешифратора типов бс-да, бк-да и би-да
С 24.07.2002 г. ряд конденсаторов в блоке БК-ДА, приведенных i табл. 171 книги 2 справочника «Аппаратура железнодорожной автоматики и телемеханики», заменены:
|
Условное обозначение на рис. 222 и в табл. 171 |
Было до 24.07.2002 г. |
Стало с 24.07.2002 г. |
|
С1 |
К50-20-25В-2000мкФ (2 шт. параллельно) |
К50-35-25В-2200мкФ (2 шт. параллельно) |
|
С2 |
К50-20-25В-500мкФ |
К50-35-25В-470мкФ |
|
СЗ |
К50-20-25В-2000мкФ (2 шт. параллельно) |
К50-35-25В-2200мкФ (2 шт. параллельно) |
|
Резерв |
К50-20-25В-500мкФ |
К50-35-25В-470мкФ |
|
Резерв |
К50-20-100В-100мкФ |
К50-35-25В-100мкФ |
|
Резерв |
К50-20-25В-1000мкФ (2 шт. параллельно) |
К50-35-25В-1000мкФ (2 шт. параллельно) |
XII. 12. Датчик импульсов микроэлектронный
типа ДИМ-1. Электрическая принципиальная схема
с перечнем элементов
Электрическая принципиальная схема датчика импульсов ДИМ-1 (черт. 36291-101-00) приведена на рис. 159.
Наименование и тип элементов, примененных в датчике ДИМ-1, приведены в табл. 165
Таблица 165 Наименование и тип элементов, примененных в датчике ДИМ-1
|
Условное обозначение на рис. 159 |
Наименование элементов |
Тип элемента |
|
А1 |
Плата формирователя импульсов ФИ |
черт. 36291-121-00 |
|
А2 |
Плата усилителя У1 |
черт. 36291-122-00 |
|
R1, R3 |
Резисторы |
С2-ЗЗН-0,5-270Ом±10% |
|
R2 |
Резистор |
С2-ЗЗН-1-1,5кОм±10% |
|
R4 |
Резистор |
С2-ЗЗН-0,125-1,2кОм±10% |
|
R5 |
Резистор |
С2-ЗЗН-0,125-1,8кОм±10% |
|
R6 |
Резистор |
С2-ЗЗН-0,125-330Ом±10% |
|
R7 |
Резистор |
С2-ЗЗН-2-270м±Ю% |
|
R8 |
Резистор |
С2-ЗЗН-2-470м±Ю% |
|
R9 |
Резистор |
С2-ЗЗН-2-390Ом±10% |
|
R10 |
Резистор |
С2-ЗЗН-0.5-1,5кОм±10% |
|
R11 |
Резистор |
С2-ЗЗН-0,5-1,0кОм±10% |
|
R12, R13 |
Резисторы |
С2-ЗЗН-0,125-1,0кОм±10% |
|
VD1, VD6...VD8 |
Диоды |
КД243Б; аАО.336.800ТУ |
|
VD3 |
Индикатор единичный |
АЛ307БМ; аАО.336.076ТУ |
|
VD4, VD5 |
Стабилитроны |
КС522А; аАО.336.002ТУ; включены последовательно |
|
VT1 |
Транзистор |
КТ683Б; аАО.336.802ТУ; допустима замена на КТ630Б |
|
VT2 |
Транзистор |
КТ816Г; аА0.336.186ТУ |
XII. 12.1. Датчик импульсов микроэлектронный типа дим-2. Электрическая принципиальная схема с перечнем элементов
Электрическая принципиальная схема датчика импульсов ДИМ-2 (черт. 36291-201-00) приведена на рис. 160.
Наименование и тип элементов, примененных в датчике ДИМ-2, приведены в табл. 166.
Таблица 166 Наименование и тип элементов, примененных в датчике ДИМ-2
|
Условное обозначение на рис. 160 |
Наименование элемента |
Тип элемента |
|
А1 |
Плата формирователя импульсов ФИ |
черт. 36291-121-00 |
|
А2 |
Плата усилителей У2 |
черт. 36291-222-00 |
|
R1, R5, R9, R13 |
Резисторы |
С2-ЗЗН-0.125- 8,2кОм±10% |
|
R2, R6, R10, R14 |
Резисторы |
С2-ЗЗН-0,125-3,9кОм±10% |
|
R3, R7, R11, R15 |
Резисторы |
С2-ЗЗН-0,25-1,0кОм+10% |
|
R4, R8, R12, R16 |
Резисторы |
С2-ЗЗН-0,5-3,9кОм±10% |
|
R17, R18 |
Резисторы |
С2-ЗЗН-2-560Ом±10%; включены параллельно |
|
R19 |
Резистор |
С2-ЗЗН-2-270 Ом±10% |
|
R20 |
Резистор |
С2-ЗЗН-0,125-200 Ом±10% |
|
R21 |
Резистор |
С2-ЗЗН-1-39 0м±Ю% |
|
VD1 |
Стабилитрон |
КС482А; аАО.336.002ТУ |
|
VD2, VD3 |
Стабилитрон |
КС515А; аАО.336.002ТУ |
|
VD4 |
Диод |
КД243Б; аАО.336.800 ТУ |
|
VD5, VD6 |
Стабилитроны |
КС522А; аАО.336.002ТУ; включены последовательно |
|
VT1...VT4 |
Транзистор |
КТ315Г; ЖК3.365.200ТУ |
|
VT5, VT6 |
Транзистор |
КТ817В;аА0.336.187ТУ |