- •Раздел XII
- •XII. 10. Блоки дешифратора типов бс-да, бк-да и би-да
- •XII. 12. Датчик импульсов микроэлектронный
- •XII. 12.1. Датчик импульсов микроэлектронный типа дим-2. Электрическая принципиальная схема с перечнем элементов
- •XII. 13. Датчик импульсов микроэлектронный дим-3
- •XII. 14. Генераторы кодов гк-кэб
- •XII. 15. Датчик импульсный бесконтактный диб
XII. 14. Генераторы кодов гк-кэб
Генераторы кодов ГК-КЭБ предназначены для эксплуатации в составе аппаратуры кодовой автоблокировки на электронной элементной базе КЭБ и обеспечивают выработку кодовых сигналов.
Генераторы кодов выпускаются в двух модификациях:
ГК5-КЭБ, чертеж 16936-70-00;
ГК7-КЭБ, чертеж 16936-70-00-01.
Внешний вид генераторов кодов ГК-КЭБ приведен на рис. 163.
Длительность импульсов и интервалов, образуемых генераторами кодов ГК5-КЭБ и ГК7-КЭБ, приведена на рис. 164.
Питание генераторов осуществляется от сети переменного тока напряжением (230+2з) В с частотой (50±1) Гц.
Потребляемая мощность должна быть не более 10 ВА.
Временные параметры импульсов кода, выдаваемых изделием на кодовых и дополнительных выходах КП, КЖ, Ж, должны соответствовать приведенным на рис. 164. Допустимое изменение длительности на кодовых выходах должно быть не более:
±(0,1 + 0,02 to) с, при частоте 50 Гц;
±(0,02 + 0,02 to) с, при частоте 25 Гц,
где: to — длительность импульса.
Допустимое изменение длительности на дополнительных выходах КП, КЖ, Ж при напряжении питания от 12 до 18 В (средневыпрям-ленное значение) должно быть не более ±0,3 to.
Максимальное значение напряжения при токе коммутируемого сигнала до 1 А на кодовых выходах должно быть не более 260 В частотой 50 или 25 Гц.
Максимальное значение тока при напряжении коммутируемого сигнала 50 В должно быть не более 5 А.
Изоляция электрических цепей изделия в соответствии с ГОСТ 12997-84 относительно корпуса должна выдерживать в течение 60 с действие испытательного напряжения 2000 В практически синусоидальной формы частотой от 45 до 65 Гц.
Сопротивление изоляции изделия должно быть в нормальных климатических условиях по ГОСТ 15150-69 — не менее 100 МОм; при воздействии верхнего значения температуры — не менее 20 МОм; при воздействии повышенной относительной влажности окружающей среды — не менее 5 МОм.
Генератор кодов предназначен для эксплуатации при температуре от минус 45 до плюс 70 °С.
Габаритные размеры генераторов кодов приведены на рис. 163.
XII. 15. Датчик импульсный бесконтактный диб
Назначение. Датчик ДИБ (чертеж 36767-01-00) предназначен для управления работой блока силового кодирования БСК, осуществляющего импульсное питание цепей переменного тока: ламп табло и пультов управления ЭЦ, ламп пультов ограждения составов, ламп светофоров и других нагрузок железнодорожной автоматики.
Некоторые конструктивные особенности. Датчик ДИБ конструктивно выполнен в габаритах реле НМШ.
Электрическая принципиальная схема датчика ДИБ приведена на рис. 165.
Наименование и тип элементов, примененных в схеме, приведен в табл. 173.
Электрические параметры. Ток, потребляемый датчиком ДИБ при номинальном напряжении источника электрического питания, не должен превышать 0,12 А.
При номинальном напряжении источника питания и нагрузке равной 0,9—1,1 кОм датчик должен обеспечивать генерацию импульсов 2,5—4,2 В. Длительность импульсов и интервалов должна быть соответственно: 1 с и 0,5 с; 0,5 с и 1 с; 0,5 с и 0,5 с с точностью ±10%.
Изменение длительности импульсов напряжения на выходе при изменении напряжения источника питания не должно быть более
Таблица 173
Наименование и тип элементов, примененных в схеме датчика ДИБ
мое обозначение на рис. 165 |
Наименование элемента |
Тип элемента |
R |
Резистор |
С5-35-25-56 0м±Ю% |
C |
Конденсатор |
К50-12-50В-200МКФ |
Д |
Стабилитрон |
Д816А |
Ш |
Основание |
Чертеж 24122-00-12 |
Окончание табл.173
Условное обозначение на рис. 165 |
Наименование элемента |
Тип элемента |
П1, П2 |
Платы |
Чертеж 36767-03-00 |
R1* |
Резистор |
МЛТ-0,5-470 кОм±5% |
R2 |
Резистор |
МЛТ-0,5-100Ом±10% |
R3, R4 |
Резисторы |
МЛТ-0,5-10кОм+10% |
R5 |
Резистор |
МЛТ-1-1 кОм+10% |
R6, R7 |
Резисторы |
МЛТ-0,5-18кОм±10% |
R8 |
Резистор |
МЛТ-1-1 кОм±10% |
R9, R10 |
Резисторы |
МЛТ-0,5-10 кОм+10% |
R11 |
Резистор |
МЛТ-0,5-100Ом+10% |
R12* |
Резистор |
МЛТ-0,5-820 кОм±5% |
R13* |
Резистор |
МЛТ-0,5-820 кОм±5% |
С1, С2 |
Конденсаторы |
МБМ-160 В-1 мкФ±10% |
Д1,Д2 |
Диоды |
КД 102А |
Т1 |
Транзистор |
КТ 1176 |
Т2, ТЗ |
Транзисторы |
КТ315Г |
Т4 |
Транзистор |
КТ117Б |
5% от значения, устанавливаемого при номинальном напряжении источника питания.
Уровень выходного напряжения внутреннего ограничителя напряжения питания должен находиться в пределах 18,0—25,5 В при изменении напряжения питания.
Габаритные размеры 200x87x112 мм.