6. Обработка результатов измерений

6.1 Построить графики вольт-амперных характеристик диодов в одних координатах согласно рисунка 6.

6.2 По графикам

– определить дифференциальное сопротивление диодов

r_Д = ΔU_ПР/ΔI_ПР. Для определения r_Д построить на графике характеристический прямоугольный треугольник, как показано на рисунке 6. Вершины треугольника расположить на 500 и 1000 мА. ΔI_ПР = (1000мА – 500мА). Сопротивление определить для нормальной и повышенной температуры;

– определить статическое сопротивление диода при прямом токе, равном 500 мА,

R₀ = U_ПР/I_ПР.

Сопротивление определить для нормальной и повышенной температуры;

–

∆U^t_пр

вычислить температурный коэффициент напряжения ТКН на прямой ветви вольт-амперной характеристики для обоих диодов

Т

∆t

КН= Δt [мВ/⁰С].

6.3 На полученных графиках построить также идеализированную ВАХ p-n-перехода.

7. Отчет по работе

Отчет по работе должен содержать следующие разделы:

– цель работы;

– справочные параметры исследуемых диодов, необходимые пояснения;

– схемы для получения прямой ветви ВАХ диодов; – таблицу с результатами измерений;

– графики ВАХ диодов для нормальной и повышенной температур;

– рассчитанные параметры;

– выводы по результатам проделанной работы.

8. Контрольные вопросы

- Что такое «полупроводниковый диод»?

- Дайте определение понятия «вольт-амперная характеристика полупроводникового диода».

- Поясните влияние температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики p-n-перехода.

- Назовите составляющие обратного тока p-n-перехода и поясните их физический смысл.

- Что такое «пробой p-n-перехода»?

- Поясните смысл терминов «статическое сопротивление диода» и «дифференциальное сопротивление диода». Как можно найти указанные величины по результатам измерений.

- Почему эти сопротивления имеют разную величину.

- Объясните влияние объемного сопротивления базы на вольт-амперную характеристику p-n-перехода.

- Начертите схему для исследования прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n-перехода.

- Объясните, почему прямое напряжение на диоде Шоттки меньше, чем на кремниевом диоде.

Библиографический список

1. Павлов В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: учебник для вузов. 2-е изд., исправ. / В.Н.Павлов, В.Н.Ногин. М.: Горячая линия-Телеком, 2001. 320 с.

2. Лачин В.И. Электроника: учеб. пособие / В.И.Лачин, Н.С.Савёлов. – Изд. 6-е, перераб. и доп. - Ростов-на-Дону: изд-во “Феникс”, 2007. 703 с.

3. Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: учеб. для вузов. / В.Г.Гусев, Ю.М.Гусев. - 4-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2006. - 799 с.

4. Кардашев Г.А. Виртуальная электроника. Компьютерное моделирование аналоговых устройств. – 2-е изд., стереотип. – М.: Горячая линия-Телеком, 2009. – 260 с.

5. Карлащук  В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Том 1. Моделирование элементов аналоговых систем / В.И. Карлащук. – 6-е изд., перераб. и доп. – М. : СОЛОН-ПРЕСС, 2006. – 672 с.

6. Булычев А.Л. Электронные приборы / А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 416 с.