5. Проведение измерений

5.1 Подготовка к работе

5.1.1 Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32».

23

5.1.2 Вызвать сохраненную схему с транзистором из базы EWB.

Дополнить ее до схемы усилительного каскада рисунок 15. Транзистор установить такой, для которого проводилась нагрузочная прямая, R_К – вычисленное в пункте 4.

На схеме V1 – источник напряжения для задания тока базы. Напряжение V1 установить равным V1 = R_б·I_бmin + U_БЭ. U_БЭ = 500мВ, I_бmin = 10 мкА. Сопротивление R_б установить равным R_К.

V1 = Е_К – источник напряжения для задания напряжения на коллекторе. Напряжение источника Е_К установить таким, какое было принято при выполнении пункта 4.

В цепях базы и коллектора включены приборы для измерения токов I_Б и I_К и напряжений U_БЭ и U_КЭ.

Установить R_Э = 1 Ом.

5.1.3 Заготовить таблицу 9.

5.1.4 Включить режим моделирования

Убедиться, что схема собрана правильно, т.е. на базе имеется напряжение, равное напряжению V1, напряжение U_КЭ примерно равно напряжению Е_К, ток коллектора составляет доли мкА (μА) (амперметр М4).

Если что-то не так, то внимательно проверить схему.

5.2 Проведение измерений

5.2.1 Определение характеристик

Увеличивая (или уменьшая) напряжение V1, установить напряжение на базе приблизительно равным 500 мВ.

Записать полученные значения токов и напряжений в таблицу.

Увеличивая далее напряжение V1, устанавливать ток базы 10 мкА, 20 мкА и т.д. согласно таблицы и записывая в нее показания приборов М2, М3, М4.

Ток базы увеличивать до такой величины, пока ток коллектора не достигнет значения I_КНАС или напряжение U_КЭ не станет менее одного вольта.

24

Увеличить ток базы еще на 40 мкА и убедиться, что ток коллектора более не увеличивается, а напряжение U_КЭ не уменьшается.

Табл. 9. Результаты измерений.

IБ μА ( М1)		10	20	40	60	80	100	120	…
UБЭ мВ (М2)	500
UКЭ В (М3)	ЕК
IК мА (М4)	0

5.2.2 Исследование влияния температуры

Установить ток базы равным 60 мкА. Из таблицы 9 переписать значения токов и напряжений на электродах "холодного" транзистора для этого режима в таблицу 10.

Установить температуру транзистора равную 57˚С (меню Analysis, опция Analysis options, вкладка Global).

Вновь записать полученные значения токов и напряжений "горячего" транзистора в таблицу 10.

Табл. 10. Результаты исследования влияния температуры.

	IБ мкА	UБЭ мВ	IК мА	UКЭ В
t = 27^oC	60
t = 57^oC
∆t = 30^oC	∆IБ =	∆UБЭ =	∆IК =	∆UКЭ =

Вычислить величину изменений токов и напряжений транзистора под действием температуры и заполнить строку 3 таблицы.

5.2.3 Сохранить схему, она понадобится в следующих работах.