Федеральное агентство связи

ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

Уральский технический институт связи и информатики (филиал)

Расчет усилителей на биполярных транзисторах

Курсовая работа по дисциплине «Основы схемотехники»

Пояснительная записка

210405 000000 089 ПЗ

Руководитель		В.А. Матвиенко
канд. техн. наук, доцент
Студент группы РЕ-01		К.В.Кустышева

Екатеринбург, 2012

Содержание

Введение – 3

1. Исходные данные к курсовой работе – 4

2. Выбор режима работы транзистора – 6

3. Расчет делителя в цепи базы – 8

4. Определение h – параметров транзистора по статическим параметром – 9

5. Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора – 12

6. Расчет основных параметров каскада – 14

7. Оценка нелинейных искажений каскада – 15

8. Выбор режима резисторов и конденсаторов – 19

Заключение – 21

Приложение 1. Принципиальная схема – 22

Приложение 2. Перечень элементов – 23

Введение

Курсовая работа по дисциплине «основы схемотехники», заключается в расчете типового усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.

Целью курсовой работы является

• закрепление теоретических знаний, полученных при изучении дисциплины;

• формирование углубленного понимания физических процессов в усилительных устройствах;

• изучение методов расчета усилительных устройств и их основных параметров;

• ознакомление с элементной базой аналоговых электронных устройств;

• получение навыков информационного поиска и пользования справочной информацией;

• ознакомление с системой стандартизации и приобретение опыта применения стандартов в практической деятельности;

• усвоение правил составления и оформления технической документации.

Исходные данные к курсовой работе включают:

• тип транзистора;

• номинальное напряжение источника питания;

• сопротивление резистора в цепи коллектора;

• сопротивление нагрузки каскада.

Выполнение данной курсовой работы призвано активизировать самостоятельную работу студента, и является важным этапом в формировании профессиональных компетенций.

1. Исходные данные к курсовой работе

Дано:

Вариант	Транзистор	E, В	Rк, кОм	Rн, кОм
89	КТ301В	20	3,6	5,1

Наименование	Обозначение	режимы измерения
		минимальное	максимальное	Uk,В	Uэ,В	Iк,мА	Iб,мА	Iэ,мА	F,мГц
Обратный ток коллектора, мкА	IКБО		10	20
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО		10		3
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер,В	UКЭ нас		3			10	1		10^-3
Напряжение насыщения база - эмиттер ,В	UБЭ нас		2,5			10	1		10^-3
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21э|		1	10				3	20
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	h21э	20	60	10				3
Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с ОБ, мкСм	h22б		3	10				3	10^-3
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ		80		0,5				2
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк		10	20					2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс	τк		4,5	10				2	2
Максимальная частота генерации, мГц	fmax	30		10				3

2) Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с = -55…+85 ⁰С

Наименование	Обозначение	Значения
Постоянный ток коллектора, мА	Iк max	10
Постоянный ток эмиттера, мА	Iэ max	10
Постоянное напряжение эмиттер-база, В	Uэб max	3
Постоянное напряжение коллектор-база, В	Uкб max	30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при к.з. между Э и Б, В	Uкэк max	30
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=-55…+60 ^0С, мВт	Pк max	150
Температура перехода,^0С	Tn max	120
Тепловое сопротивление переход-корпус,^0С/мВт	Rт, п-к	0,6
Допустимая температура окружающей среды,^0С	T	-55...+85