- •Тексты лекций
- •Занятие 1. Устройство и принцип действия транзистора
- •1.Схема включения, принцип действия, электрическая модель, частотные свойства биполярного транзистора
- •2. Статические характеристики, параметры биполярного транзистора
- •3. Режимы работы транзистора
- •Старший преподаватель кафедры n9 доцент п/п г.Подлеский
- •Занятие 3. Транзистор в режиме усиления
- •1. Нагрузочные характеристики транзистора
- •2. Анализ режима неискаженного усиления
- •3. Схемы питания транзистора
- •Заключительная часть
- •Старший преподаватель кафедры n9 доцент п/п г.Подлеский
- •Вводная часть
- •Основная часть
- •1. Транзистор в режиме переключения
- •2. Принцип действия и вольтамперные характеристики тиристоров
- •Заключительная часть
- •Старший преподаватель кафедры n9 доцент п/п г.Подлеский
- •План контрольной работы
- •Вводная часть
- •Основная часть
- •Заключительная часть
- •Задание на самостоятельную подготовку:
Заключительная часть
Подвести итог занятия. Оценить работу группы, поставить задачу на устранение выявленных недостатков и на повторение пройденного материала.
Назначить время дополнительной консультации и курсантов, которые должны прибыть на неё в обязательном порядке.
Задание на самостоятельную подготовку:
1. Повторить материал лекций 4.1, 4.3.
Старший преподаватель кафедры N9 Г.Подлеский
Задание к контрольной работе (для курсантов)
Учебные вопросы:
1. Графоаналитический расчет режима неискаженного усиления.
Методические рекомендации курсантам по подготовке к контрольной работе
При подготовке к занятию внимательно изучить содержание лекций 4.1, 4.3 и рекомендованной литературы. Обратить особое внимание на порядок расчета режима усиления и схем питания транзисторов. Повторить требования инженерной графики к вычерчиванию принципиальных электрических схем.
Литература:
1. В.А.Батушев "ЭЭВТС", стр.154-159.
2. Конспект лекций.