ВОПРОСЫ к ЭКЗАМЕНУ - СМА

ВОПРОСЫ к ЭКЗАМЕНУ

Электронная Оже-спектроскопия( ЭОС)

1. Возможности, применение, особенности метода ЭОС.

2. Физические основы метода ЭОС. Механизм Оже-процесса.

3. Глубина выхода Оже-электронов.

4. Вероятность Оже-эффекта. Вероятность выхода Оже-электронов из разных матриц.

5. От чего зависит интенсивность линий Оже-спектра.

6. Собственная ширина атомных уровней. Энергетическое разрешение (разрешающая способность) в ЭОС.

7. jj- и LS-связи.

8. Методика обработки и расшифровки Оже-спектров.

9. Качественный и фазовый анализ методом ЭОС (принцип и возможности).

10. Количественный анализ с помощью метода ЭОС.

11. Устройство оборудования для измерения методом ЭОС.

12. Аппаратура для ЭОС. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом ЭОС.

13. Аппаратура для ЭОС. Источники электронов (устройство, принцип работы и требования).

14. Аппаратура для ЭОС. Энергоанализатор электронов типа цилиндрическое зеркало (АЦЗ). (устройство, принцип работы и энергетическое разрешение).

15. Область применения и ограничения метода ЭОС.

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС)

1. Возможности, применение, особенности метода РФС.

2. Физические основы метода РФС.

3. РФС-спектры. Их получение. Структура пиков. Валентные уровни.

4. Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом РФС. Уравнение фотоэффекта и учет работы выхода энергоанализатора. Точность определения энергии связи методом РФС.

5. Аппаратура для РФС. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом РФС.

6. Аппаратура для РФС. Источники рентгеновского излучения. Способы монохроматизации рентгеновского излучения.

7. Аппаратура для РФС. Полусферический энергоанализатор электронов (ПСА). (устройство, принцип работы и энергетическое разрешение).

8. Энергетическое разрешение (разрешающая способность) в методе РФС.

9. Количественный анализ с помощью метода РФС.

10. Химический анализ методом РФС. Химический сдвиг.

11. Определение состава по глубине образца методом РФС. Определение толщины тонких пленок.

12. Область применения и ограничения метода РФС.

Вторичная ионная масс-спектрметрия (ВИМС)

1. Возможности, применение, особенности метода ВИМС. Динамический и времяпролетный ВИМС.

2. Взаимодействие первичных ионов с твердым телом. Механизм образования вторичных ионов. Коэффициент вторичной ионной эмиссии.

3. Основные параметры, влияющие на выход вторичных ионов. Процесс распыления ионов в методе ВИМС.

4. Аппаратура для ВИМС. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом ВИМС.

5. Аппаратура для ВИМС. Источники первичных ионов (жидкие металлы, газы).

6. Аппаратура для ВИМС. Масс-анализаторы вторичных ионов (квадрупольный, магнитный, времяпролетный).

7. Методика получения масс-спектра в методе ВИМС. Структура масс-спектра. Явление интерференции масс.

8. Глубинный профиль распределения в методе ВИМС. Методика получения глубинного профиля. Выбор параметров получения глубинного профиля (область анализа, скорость травления).

9. Влияние параметров исследования для получения глубинного профиля для метода ВИМС (форма, энергия, угол падения и плотность первичного пучка, свойства матрицы).

10. Глубинный профиль распределения в методе ВИМС. Профилометрия. Структура кратера распыления. Влияние параметров исследования метода ВИМС на структуру кратера распыления.

11. Глубинный профиль распределения в методе ВИМС. Получение концентрационных профилей распределения.

12. Количественная обработка данных методом ВИМС. Приготовление эталонов для количественного анализа.

13. Область применения и ограничения метода ВИМС.

14. Сравнение метода ВИМС динамического и времяпролетного.

Сканирующая зондовая микроскопия

1. Возможности, применение, особенности методов СЗМ.

2. Физические основы метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Туннельный эффект.

3. Физические основы метода атомно-силовой микроскопии (АСМ).

4. Аппаратура для СТМ. Требования и устройство сканирующего элемента для метода СТМ.

5. Аппаратура для АСМ. Требования и устройство сканирующего элемента для метода АСМ.

6. Конструкция установок СЗМ (основные положения).

7. Возможности метода СТМ (рельеф поверхности, локальная работа выхода электронов).

8. Возможности метода АСМ (рельеф поверхности, атомное разрешение).

9. Область применения и ограничения методов СЗМ.