Физические параметры важнейших полупроводников

Полу- проводник	Ширина запрещенной зоны, эВ	Подвижность при 300 К, м^2В^-1с^-1 электронов дырок	Эффективная масса электрона дырки mn/me mp/me	Время жизни носителей заряда, с	Относительная диэлектрическая проницаемость
Ge	0,66	0,39 0,19	0,52 0,388	10^-3	16,0
Si	1,12	0,15 0,045	1,05 0,53	2,5 10^-3	11,9
GaSb	0,72	0,5 0,085	0,042 0,4	10^-7	15,7
GaAs	1,42	0,85 0,04	0,067 0,082	10^-8	13,1
InSb	0,17	8,0 0,125	0,0145 0,4	10^-9	17,7
InAs	0,36	3,3 0,046	0,023 0,4	2 10^-9	14,6
InP	1,35	0,46 0,015	0,077 0,64	10^-8	12,4