Вопросы_спецтех

Спецтехнология

1 .Опишите фазы основного производства ИС и назначение основного оборудования входящего в состав соответствующей фазы. Наименование фаз.

2.Опишите фазы вспомогательного производства и назначение вспомогательного оборудования,

входящего в состав соответствующей фазы. Наименование фаз.

3.Опишите особенности производства ИС в части техники безопасности и требования к оборудованию

с учётом особенностей по ТБ.

4.Опишите причины соблюдения стабильных сверхчистых производственных условий при

изготовлении ИС.

5.Классификация помещений по микроклимату и запылённости.

6.Опишите конструкцию боксов с применением схем данной конструкции.

7.Опишите основные источники загрязнения пи производстве ИС с указание процентного

распределения их роли в дефектности.

8.Опишите какие основные газы используются при производстве ИС. Основные назначения газов

соответственно.

9. Опишите устройство, порядок работы, принцип действия установки очистки газы азота(УГОА) с использованием схемы УГОА.

10. Опишите устройство, порядок работы, принцип действия установки очистки газа водорода(УГОВ) с использованием схемы УГОВ.

II .Расскажите о понятии "точка росы". Приведите пример о сравнение газов с разной toC росы по влажности.

12. Опишите устройство с использованием схем манометра с одновитковой трубчатой пружиной, принцип действия манометра.

13. Опишите оптическую схему анализатора запылённости АЗ-5 с изображением схемы, принцип действия прибора, его устройство.

14. Опишите устройство пылезащитных боксов, изобразите схему боксов, порядок работы боксов. 15.С учётом конструкции боксов расскажите о фильтрах грубой (предварительной) очистки и фильтрах тонкой очистки.

16 Опишите понятие относительной и абсолютной влажности и методы измерения относительной влажности. Уточните какие приборы реализуют тот или иной метод.

17. Опишите устройство гигрометров с применение схем, принцип действия гигрометров.

18. Опишите приборы, применяемые для измерения температуры (термометры жидкостные и биметаллические), их устройство, пределы измерения.

19. Опишите устройство оборудования для очистки воды с использованием схемы установки, принцип действия установки, объясните понятие централизованной очистки и финишной очистки.

20. Опишите способы контроля качества деионизованной воды, приборы применяемые при контроле, принцип их действия, тип.

21.Расскажите об основном параметре деионизованной воды, использование его для оценки качества отмывки.

22. Опишите устройство установки, с использованием схемы, кристаллографической ориентации слитков методом световых фигур. Принцип действия.

23. Опишите основные характеристики автомата "АЛМАЗ-6М" контролируемые наладчиком, для проверки готовности автомата к работе.

24.ПривеДите достоинства и недостатки используемых способов ориентации кристаллографической плоскости слитка.

25. Опишите устройство, принцип действия автомата "АЛМАЗ-6М" с использованием кинематической схемы автомата.

26. Опишите порядок крепления алмазного круга с внутренней режущей кромкой и его натяга с использованием схемы крепления и натяга.

27. Опишите устройство и порядок работы станции очистки СОЖ с использованием схемы.

28. Опишите устройство турбомолекулярного насоса, принцип его действия, порядок работы.

29. Опишите устройство, порядок работы с использованием схемы установки шлифовки с двухсторонним шлифованием.

30. Опишите устройство, порядок работы установки полировки (химико-мехонической) с использованием схемы установки.

31. Опишите назначение, устройство и порядок работы установки посадки кристаллов в корпус ЭМ-4085.

32. Опишите устройство, порядок работы установки снятие фаски с использованием кинематической схемы установки.

33. Опишите назначение, принцип действия ротаметров с использованием схемы установки.

34. Опишите назначение, устройство и порядок работы, автомата гидромеханической отмывки с использованием схемы.

35. Опишите порядок работы узла центрифуги при отмывке и сушке.

36. Опишите порядок работы узла подачи и вращения цилиндрической щётки на позицию отмывки.

37. Опишите устройство перемещения подложкодержателя установки термической обработки для выполнения процессов диффузии, окисления с использованием схемы.

38. Опишите устройство нагревательной камеры с использованием схемы камеры, основные отказы в работе.

39. Опишите назначение, устройство, градуированные характеристики преобразователей температуры (термопар), типы, пределы измерения.

40. Опишите устройство, порядок работы системы газораспределения установок для процессов окисления,

41. Опишите устройство, порядок работы системы поддержания заданной температуры (РЕПИД) с использованием схемы.

42. Опишите различные конструкции загрузочных устройств установки термообработки пластин с использованием схемы.

43 .Изложите понимание вакуума, опишите примерную схему вакуумного оборудования с пояснением назначения узлов, приборов входящих в оборудование.

44. Опишите устройство механических объемных вращательных (пластинчато-роторных, пластинчато-статорных) насосов с использованием схем насосов, принцип действия данных насосов.

45. Опишите устройство преобразователя манометрического термопарного с использованием его схемы, принцип действия преобразователя, с каким вакуумметром используется ПМТ.

46. Опишите устройство двухроторного насоса Рутса с использованием схемы, принцип действия, достоинства этого типа насосов.

47. Опишите устройство высоковакуумного насоса (паромасляного) насоса с использованием схемы насоса, принцип действия, технические характеристики насоса.

48. Опишите устройство преобразователя манометрического ионизационного с использованием схемы преобразователя, принцип действия, с какими вакуумметрами он применяется.

49. Опишите назначение, устройство, порядок работы установки разварки межсоединений ЭМ-4020Б.

50. Опишите инструмент разварки, его геометрию как важный фактор работы оборудования.

51. Опишите назначение устройства и порядок работы установки ЭМ-2005 резки пластин на кристаллы.

52. Опишите типы установок эпитаксиального наращивания по конструкции реактора.

53. Опишите устройство установки наращивания эпитаксиальных слоев типа УНЭС-100 с использованием схемы установки, порядок работы установки.

54. Опишите работу системы газораспределения установки наращивания эпитаксиальных слоев с использованием схемы газораспределения УНЭС-100, назначение отдельных газов, устройств системы.

55. Опишите устройство скруббера, назначение скруббера, принцип действия, его связь с системой газораспределения УНЭС-100 с применением схемы.

56 Опишите устройство оптического пирометра, с использованием схемы пирометра, принцип действия, случаев применения ОПП и Р.ов.

57. Опишите конструкцию подложкодержателя в установке наращивания эпитаксиальных слоев с учётом удельного веса ПГС.

58. Опишите классификацию установок ионного легирования с применением (нарисуйте) компоновочных схем установок и их наименование, расскажите об устройстве установок ионного легирования по компоновочным схемам.

59. Опишите устройство ионного источника с применением схемы ионного источника, принцип действия ионного источника,

60. Опишите назначение, устройство, принцип действия порядок работы установки ионной имплантации "Визувий -8", основные отказы.

61. Опишите устройство цилиндра Фарадея, с применением схемы цилиндра, принцип действия. Изложите необходимость применения заземляющих и подавляющей диафрагмы.

62. Объясните различие между цилиндром Фарадея и универсальным дозиметром исходя из их назначения.

63. Опишите устройство масс-сепоратора с применением схемы магнитного масс-сепоратора, принцип его действия.

64. Опишите назначение системы сканирования, типы систем сканирования, принцип действия системы сканирования.

65. Опишите назначение азотных ловушек, принцип действия.

66. Опишите устройство затвора шиберного типа с применением схемы затвора, его необходимость применения.

67. Опишите устройство установки контактной фотопечати ЭМ-576 с использованием компоновочной схемы и блочной схемы установки, её назначение.

68. Опишите устройство механизмов выравнивания поверхностей подложки ф/ш и конструктивные отличие с использованием схем.

69. Опишите устройство блока экспонирования (осветитель) установки фотопечати ЭМ-576 с использованием оптической схемы.

70. Опишите устройство установки ЭМ-584 проекционной фотопечати с использованием блочной схемы установки, её назначение и принцип работы.

71. Опишите устройство, назначение и принцип работы координатно-измерительной системы (КИС) с использованием схемы системы и датчика системы.

72. Изложите основные технические отличия установок проекционной фотопечати ЭМ-584,ЭМ-584А,ЭМ-5084.

73. Опишите устройство, назначение и порядок работы системы совмещения с использованием схемы системы совмещения.

74. Опишите устройство линейного шагового двигателя (ЛШД) с использованием схемы индуктора и статора, схемы расположения индуктора на статоре.

75. Изложите назначение конденсора и с какой целью применяется конденсор в оптических схемах.

76. Опишите устройство, назначение и порядок работы системы авто фокусировки с использованием схемы системы автофокусировки.

77. Опишите этапы работы линейного шагового двигателя с использованием схемы коммутации.

78. Опишите устройство, назначение узла подъема координатного стола с использованием схемы стола и его связи с системой автофокусировки.

79. Опишите устройство кулисного механизма установки монтажа кристалла в корпус (на выводную рамку) с использованием схемы, принцип действия.

80. Опишите методы разварки межсоединений "встык","внахлёст", основные требования к геометрии инструмента.

81. Опишите порядок работы механизма микросварки (подачи, обрыва золотой проволоки, образование шарика) установки разварки ЭМ-4020Б.

82. Опишите устройство оборудования герметизации и применяемую оснастку для проведения процесса герметизации пластмассой с использованием функциональной схемы герметизации, порядок работы.

83. Опишите устройство, назначение, и порядок работы установки термоциклирования ТО-5081 с использованием схемы установки.

84. Опишите устройство вибростенда, его назначение и порядок работы с использованием схемы стенда.

85. Опишите процесс выращивания монокристаллического кремния.

86. Опишите процесс формирования рисунка методом фотолитографии с использованием рисунков,

87. Опишите процесс диффузии, этапы диффузии, от чего зависит скорость диффузии, от чего зависит концентрация примесей.

88. Опишите процесс ионной имплантации в сравнении с термодиффузией, возможности ионной имплантации, методы устранения повреждения кристаллической решётки после ионной имплантации.

89. Опишите процесс травления диоксида кремния. Проявление легированного диоксида.

90. Опишите конструктивно-технологические особенности биполярных ИМС. 91 Опишите основные этапы технологии биполярных ИМС.

92. Опишите конструктивно-технологические варианты МДП ИМС.

93. Опишите базовый технологический процесс получения МОП ИМС с кремневым затвором.