- •Фгбоу впо «вятский государственный университет»
- •Текст задания
- •2. Исследование динамического режима работы выпрямительного диода.
- •2.1. Построение схемы. Схема изображена на рисунке 2.1.
- •2.2. Изменение параметров модели диода.
- •3. Построение вах стабилитрона.
- •3.1. Построение схемы стабилитрона. Схема представлена на рисунке 3.1.
- •4. Исследование простейшего однополупериодного выпрямителя.
- •5. Исследование параметрического стабилизатора напряжения.
- •Вариант №16.
- •6.1 Заполнение таблицы значений прямой ветви вах по известной справочной характеристике согласно заданному варианту.
- •6.3. Получение значений некоторых других параметров модели диода по его вфх.
- •6.4. Ручной расчет динамических параметров диода по вах
5. Исследование параметрического стабилизатора напряжения.
Построение схемы. Схема представлена на рисунке 5.1.
Рисунок 5.1 – Схема параметрического стабилизатора напряжения.
Построение амплитудной характеристики. АХ представлена на рисунке 5.2.
Рисунок 5.2 – АХ параметрического стабилизатора напряжения.
Как только напряжение на стабилитроне достигает напряжения стабилизации, наступает лавинный пробой, увеличивается ток через стабилитрон и усиливается падение напряжение на резисторе Rбалл, соответственно напряжение на нагрузке чуть уменьшается. Это приводит к уменьшению тока через стабилитрон и балластный резистор и восстановлению напряжения на нагрузке равным Uст. Для обеспечения возможности стабилизации и при понижениях входного напряжения рабочая точка на ВАХ стабилитрона выбирается вблизи точки (Ucт ном, Icт ном).
Коэффициент стабилизации.
Вариант №16.
Марка диода Д2Ж
.
6.1 Заполнение таблицы значений прямой ветви вах по известной справочной характеристике согласно заданному варианту.
ВАХ исследуемой модели полупроводникового диода Д2Ж представлена на рисунке 6.1
Рисунок 6 – ВАХ диода Д2Б
Значения представлены в таблице 2.
Таблица 2 – Значения.
Vf |
If |
0.1 |
0.1e-4 |
0.2 |
0.1e-3 |
z0.3 |
0.3e-3 |
0.4 |
0.5e-3 |
0.5 |
0.7e-3 |
0.6 |
1e-3 |
0.7 |
2e-3 |
0.79 |
3e-3 |
Тепловой ток (ток насыщения): IS=2,5e-6 А
Коэффициент инжекции: N=2.5
Объемное сопротивление: RS=125.355 Ом
Погрешность построения 9.1%
Рисунок 6.2 – Прямая ветвь ВАХ.
6.2. Получение значений обратного сопротивления RL(сопротивления утечки) и напряжения лавинного пробоя BV диода по обратной ветви ВАХ
Построение обратной ветви ВАХ. Построение показано на рисунке 6.3.
Значения представлены в таблице 3.
Параметры представлены в таблице 3.1.
Таблица 3 – Значения.
Vrev |
Id |
10 |
0.009e-3 |
20 |
0.01e-3 |
40 |
0.02e-3 |
50 |
0.03e-3 |
60 |
0.05e-3 |
70 |
0.07e-3 |
80 |
0.08e-3 |
90 |
0.09e-3 |
Рисунок 6.3 – Обратная ветвь ВАХ.
Таблица 3.1 – Полученные параметры.
RL |
1279.05 |
BV |
500 |
6.3. Получение значений некоторых других параметров модели диода по его вфх.
Построение ВФХ. ВФХ показана на рисунке 6.4.
Таблица 4 представляет вводные данные.
Таблица 4 – Исходные данные.
Uобр, В |
C, пФ |
0 |
597 |
0.5 |
472 |
1 |
402 |
1.5 |
356 |
2 |
322 |
2.5 |
296 |
3 |
276 |
3.5 |
259 |
4 |
245 |
4.5 |
232 |
5 |
222 |
5.5 |
213 |
6 |
204 |
6.5 |
197 |
Рисунок 6.4 – ВФХ.