Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
LR-3 (2)ЭИЭ.docx
Скачиваний:
9
Добавлен:
02.06.2015
Размер:
734.67 Кб
Скачать

Расчет параметров по экспериментальным данным:

  • Сопротивление базы (сумма сопротивлений активной и пассивной областей базы)

Сопротивление эмиттерного перехода

  • Сопротивление коллекторного перехода

  • Коэффициент передачи по току

  • Дифференциальный коэффициент передачи по току

  • Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное в связи с модуляцией толщины базы

  • Выходное дифференциальное сопротивление

  • Емкость коллекторного перехода

Расчет параметров по справочным данным:

  • Сопротивление базы (сумма сопротивлений активной и пассивной областей базы)

  • Сопротивление эмиттерного перехода

  • Сопротивление коллекторного перехода

  • Коэффициент передачи по току

  • Коэффициент передачи тока эмиттера

  • Коэффициент перехода эмиттер-коллектор

  • Выходное дифференциальное сопротивление

  • Емкость коллекторного перехода

6. Справочные данные биполярного транзистора 2Т312Б

Максимальное значение напряжения коллектор-база

Uкэ=35 В

Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер

Uкб=35 В

Максимальное значение напряжения база-эмиттер

Uбэ=4 В

Постоянный (импульсный) ток коллектора

Iк=30 (60) мА

Емкость коллекторного перехода

Рк=225 мВт

Емкость эмиттерного перехода

Ск=5 пкФ

Коэффициент передачи токи в схеме с общим эмиттером (Uкб=2 В, Iэ=20 А)

h21э=25…100 ед.

Рабочая температура

Т=-40…85 °С

В ходе работы были измерены следующие параметры (для схемы ОЭ, статический режим):

Ток делителя

Iд=0,3 мА

Ток коллектора

Iк=4,8 мА

Потенциал базы

φб=5,43 В

Потенциал коллектора

φк=4,75 В

Потенциал эмиттера

φэ=7,042 В

Выводы по работе:

  1. Получены семейства входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;

  2. В схеме с общим эмиттером биполярный транзистор обеспечивает усиление, как по напряжению, так и по току;

  3. h-параметры, рассчитанные по экспериментальным графикам, близки к справочным данным;

  4. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, усилитель тока управляемый током, позволяющий получить значительное усиление входного сигнала по мощности.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]