Burambayeva_ESAU_ret-22_24_2013 (1)
.docx<variant>направленным движением носителей заряда в зоне проводимости
<variant>направленным движением носителей заряда в зоне запрещенных энергий
<variant>направленным движением носителей заряда в валентной зоне
<variant>прямым движением носителей заряда
<variant>обратным движением носителей заряда
<question>Что такое p – n переход?
<variant>область, состоящая из ионов акцепторной и донорной примеси;
<variant>область, состоящая из электронов донорной примеси;
<variant>область, состоящая из дырок донорной примеси;
<variant>область, состоящая из электронов и дырок примеси;
<variant>область, состоящая из положительных ионов акцепторной примеси.
<question>Укажите ВАХ выпрямительного диода.
Ia Ia
Ia
Ia Ia
Ua Ua Ua Ua Ua
А) В) С) D) Е)
<variant>А
<variant>В
<variant>С
<variant>D
<variant>E
<question>Как обозначается на схемах выпрямительный диод?
<variant>А) В) С) D) Е)
<variant>A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
E
<question>Что такое стабилитрон?
<variant>параметрический стабилизатор;
<variant>усилительный элемент;
<variant>генератор сигналов;
<variant>компенсационный стабилизатор;
<variant>выпрямитель.
<question>Укажите условное обозначение стабилитрона.
А) В) С) D) Е)
<variant>A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Укажите ВАХ стабилитрона.
Ia Ia
Ia
Ia Ia
Ua
Ua
Ua
Ua
Ua
А) В) С) D) Е)
<variant>A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Что такое транзистор?
<variant>Полупроводниковый прибор с двумя p – n переходами
<variant>Электронный прибор, имеющий один p- n переход
<variant>Стабилизатор
<variant>Автогенератор
<variant>Усилитель
Полупроводниковый прибор, имеющий три p-n перехода.
<question>Какая схема включения транзистора нашла наибольшее применение?
<variant>общий эмиттер;
<variant>Общий коллектор;
<variant>общая база;
<variant>общий коллектор и общая база;
<variant>общая база и общий эмиттер.
<question>Как обозначается транзистор p-n-p типа?
Э
К Э К Э К Э К Э К 
Б Б Б Б Б
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Как обозначается транзистор n-p-n типа ?
Э
К Э К Э К Э К Э К
Б Б Б Б Б
А) В) С) D) Е)
<variant>A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>В чем заключается недостаток биполярного транзистора?
<variant>большое потребление мощности от входного источника;
<variant>большой коэффициент усиления;
<variant>маленький коэффициент усиления;
<variant>малое потребление мощности от входного источника;
<variant>большое входное сопротивление.
<question>Что такое (h21) β у транзистора?
<variant>коэффициент передачи по току;
<variant>коэффициент искажений;
<variant>коэффициент мощности;
<variant>коэффициент передачи по напряжению;
<variant>коэффициент передачи по мощности.
<question>Укажите условное обозначение биполярного транзистора.
А) В) С) D) Е)
<variant>A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>В каком режиме работает полевой транзистор МДП-типа с индуцированным каналом?
<variant> в режиме обеднения;
<variant> в режиме обогащения;
<variant>в режиме обеднения, а затем обогащения;
<variant>в режиме обогащения, а затем обеднения;
<variant>в режиме холостого хода.
<question>Укажите схему включения транзистора с общим эмиттером:
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Почему в транзисторе маленький ток базы?
<variant>база очень тонкая;
<variant>очень высокая скорость пролета электронов через базу;
<variant>очень высокая скорость пролета дырок через базу;
<variant>из-за модуляции базы;
<variant>мала подвижность носителей в базе.
<question>Укажите обозначение полевого транзистора с p-n переходом.
А) В) С) D) Е)
<variant>A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>В чем заключается достоинство полевых транзисторов?
<variant>малая потребляемая мощность и большое Rвх ;
<variant>малая потребляемая мощность и малое Rвх;
<variant>большая потребляемая мощность и большое Rвх ;
<variant>большая потребляемая мощность и малое Rвх;
<variant>малое Rвх и большое Rвых.
<question>Укажите условное обозначение транзистора МДП-типа.
А) В) С) D) Е)
<variant>D
<variant>A
<variant>B
<variant>C
<variant>E
<question>Укажите
условное обозначение полевого транзистора
МДП-типа с встроеным каналом р-типа.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Укажите
условное обозначение полевого транзистора
.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Какую роль играет управляющий электрод в однооперационном тиристоре?
<variant>обеспечивает включение тиристора;
<variant>обеспечивает выключение тиристора;
<variant>защищает от перегрузки по току;
<variant>защищает от перенапряжений;
<variant>обеспечивает включение и выключение тиристора.
<question>Укажите условное обозначение динистора.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Что такое динистор?
<variant>тиристор без управляющего электрода;
<variant>разновидность полупроводникового диода;
<variant>разновидность транзистора;
<variant>запираемый тиристор;
<variant>разновидность запираемого тиристора;
<question>Укажите условное обозначение тиристора с управлением по аноду.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Что такое напряжение загиба тиристора?
<variant>напряжение пробоя тиристора;
<variant>прямое напряжение на аноде;
<variant>напряжение на управляющем электроде;
<variant>напряжение на аноде до включения;
<variant>напряжение выключения.
<question>При каком токе тиристор может самопроизвольно выключится?
А)
Iвкл
; б
) I выкл;
С)
а
,
а
, D) Iуд
, Е) Uзаг
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Что такое степень интеграции ИМС?
<variant>число компонентов в одном корпусе ИМС;
<variant>число конденсаторов в интегральной микросхеме (ИМС);
<variant>число катушек индуктивности в ИМС;
<variant>число резисторов в ИМС;
<variant>число диодов в ИМС.
<question>При какой степени интеграции N микросхема называется БИС;
<variant>N = 800
<variant>N =10;
<variant>N =100;
<variant> N =103
<variant>N = 450;
<question>Что такое оптрон?
<variant>заключенные в один корпус светодиод и фотоприемник;
<variant>усилитель;
<variant>генератор;
<variant>датчик тока;
<variant>датчик напряжения.
<question>Укажите правильное обозначение светодиода
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Укажите
правильное обозначение фотодиода.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Укажите правильное обозначение фототиристора.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>Е
<question>Укажите правильное обозначение фототранзистора.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Укажите правильное обозначение оптрона.
А) В) С) D) Е)
<variant> A
<variant>B
<variant>C
<variant>D
<variant>E
<question>Для чего применяются оптроны
<variant>для электрической связи цепей;
<variant>для гальванической развязки цепей;
<variant>для магнитной связи цепей;
<variant>для генерации сигналов;
<variant>для усиления сигналов.
<question>На чем основан принцип работы светодиода?
<variant>излучение кванта энергии при генерации носителей;
<variant>излучение кванта энергии при рекомбинации носителей;
<variant>излучение кванта энергии при трении носителей;
<variant>излучение кванта энергии при высоком давлении;
<variant>излучение кванта энергии при нагревании.
<question>Какому состоянию электронного ключа соответствует режим отсечки транзистора?
<variant>закрытому;
<variant> открытому;
<variant> полуоткрытому;
<variant> полузакрытому;
<variant>неустойчивому.
<question>Какому состоянию электронного ключа соответствует режим насыщения транзистора?
<variant> открытому;
<variant> закрытому;
<variant> полуоткрытому;
<variant> полузакрытому;
<variant>неустойчивому.
<question>Назначение стабилитронов в выпрямителях ?
<variant>для стабилизации выпрямленного напряжения;
<variant>для сглаживания пульсации выпрямленного напряжения;
<variant>для выпрямления переменного тока;
<variant>для регулирования выпрямленного напряжения;
<variant>для ограничения уравнительных токов.
<question>Назначение диодов в выпрямителях ?
<variant>для стабилизации выпрямленного напряжения;
<variant>для сглаживания пульсации выпрямленного напряжения;
<variant>для выпрямления переменного тока;
<variant>для регулирования выпрямленного напряжения;
<variant>для ограничения уравнительных токов.
<question>Назначение тиристоров в управляемых выпрямителях ?
<variant>для стабилизации выпрямленного напряжения;
<variant>для сглаживания пульсации выпрямленного напряжения;
<variant>для выпрямления переменного тока;
<variant>для выпрямления и регулирования переменного напряжения;
<variant>для ограничения уравнительных токов.
<question>Темновым током фотоприборов называется
<variant>ток в отсутствии светового излучения
<variant>ток в присутствии светового потока
<variant>ток рекомбинации
<variant>ток генерации зарядов
<variant>ток инжекции
<question>Уменьшение концентрации носителей за счет перехода из зоны проводимости в валентную зону называется
<variant>рекомбинацией
<variant>генерацией
<variant>инжекцией
<variant>экстракцией
<variant>диффузией
<question>Увеличение концентрации носителей за счет перехода в валентную зону из зоны проводимости называется
<variant>генерацией
<variant>рекомбинацией
<variant>инжекцией
<variant>экстракцией
<variant>диффузией
<question>Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями называется:
<variant> p-n- переходом
<variant>акцептором
<variant>донором
<variant>электродом
<variant>анодом
<question>Диффузионный ток через p-n переход обусловлен:
<variant>градиентом концентрации носителей заряда
<variant>тепловым движением носителей заряда
<variant>электрическим полем
<variant>полем p-n- перехода
<variant>полем внешнего источника питания
<question>Дрейфовый ток через p-n переход обусловлен:
<variant>обратносмещенным переходом
<variant>прямым электрическим полем
<variant>носителями заряда
<variant>электронами
<variant>дырками
<question>Зона вблизи границы p и n областей, обедненная подвижными основными носителями заряда называется:
<variant>p-n- переходом
<variant>акцептором
<variant>донором
<variant>электродом
<variant>анодом
<question>Напряжение, приложенное к двухслойному диоду, называется прямым, если реализуется подключением:
<variant> «+» к аноду, «-» к катоду
<variant> «-» к аноду, «-» к катоду
<variant> «+» к аноду, «+» к катоду
<variant> «-» к аноду, «+» к катоду
<variant>Не прикладывается напряжение
<question>При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p-n перехода:
<variant>открыта
<variant>закрыта
<variant>отсутствует
<variant>заполнена электронам
<variant>заполнена дырками
<question>При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p-n перехода
<variant>закрыта
<variant>открыта
<variant>отсутствует
<variant>заполнена электронам
<variant>заполнена дырками
<question>Биполярные транзисторы имеют ______ p-n перехода
<variant>2
<variant>1
<variant>3
<variant>4
<variant>5
<question>Для стабилитронов характерно
<variant>работа в третьем квадранте ВАХ
<variant>работа в первом квадранте ВАХ
<variant>работа во втором квадранте ВАХ
<variant>работа в четвертом квадранте ВАХ
<variant>у него нет ВАХ
<question>Напряжение на управляющем электроде тиристора служит для
<variant>включения тиристора
<variant>выключения тиристора
<variant>закрывания тиристора
<variant>выпрямления тока
<variant>смещения характеристики
<question>При какой схеме включения биполярного транзистора обеспечивается максимальный коэффициент усиления сигнала по мощности
<variant> с ОЭ
<variant>с ОК
<variant>с ОБ
<variant>с ОИ
<variant>с ОЗ
<question>При какой схеме включения биполярного транзистора обеспечивается максимальный коэффициент усиления сигнала по напряжению
<variant>с ОЭ
<variant>с ОК
<variant>с ОБ
<variant>с ОИ
<variant>с ОЗ
<question>Чтобы выключить неуправляемый тиристор необходимо
<variant>убрать напряжение анод-катод
<variant>убрать напряжение на управляющем электроде
<variant>подать обратное напряжение
<variant>подать прямое напряжение
<variant>подать напряжение смещения
<question>Чтобы выключить управляемый тиристор необходимо
<variant>убрать напряжение на управляющем электроде
<variant>убрать напряжение анод-катод
<variant>подать обратное напряжение
<variant>подать прямое напряжение
<variant>подать напряжение смещения
<question>К каким приборам относятся транзисторы?:
<variant>полупроводниковым
<variant>фотоэлектрическим
<variant>усилители
<variant>фильтры
<variant>выпрямители
<question>Прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности пригодный для усиления мощности
<variant>транзистор
<variant>тиристор
<variant>диод
<variant>динистор
<variant>стабилитрон
<question>Полупроводниковая ИС
<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки
<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки
<variant>– это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке
<variant>активных компонентов нет
<variant>нет таких микросхем
<question>Пленочная ИС
<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки
<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки
<variant>– это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке
<variant>это микросхема, у которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой ИС), а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла
<variant>нет таких микросхем
<question>Гибридная ИС (или ГИС)
<variant>– это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке
<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки
<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки
<variant>это микросхема, у которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой ИС), а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла
<variant>нет таких микросхем
<question>Совмещенная ИС
<variant>это микросхема, у которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой ИС), а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла
<variant>– это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке