ОДЗ 2 семестр ТТЕ (Холод Т.С.)

22. Намалювати повну еквівалентну схему р-n - переходу.

23. Чому пряма гілка реальної ВАХ проходить дещо нижче, ніж пряма гілка теоретичної ВАХ?

24. Чому зворотний струм реального р-n- переходу завжди більше, ніж струм насичення?

25. Охарактеризувати види пробоїв р-n- переходу.

26. Чому на ділянці теплового пробою спостерігається область негативного диференціального опору?

27. Охарактеризувати фізичні процеси в області контакту «метал-напівпровідник». Яке застосування таких контактів?

28. У чому полягає суть ефекту поля в поверхневому шарі напівпровідника?

29. Пояснити відмінність ВАХ германієвих і кремнієвих випрямлювальних діодів.

30. Намалювати ВАХ стабілітрона. Пояснити застосування стабілітронів у електронних схемах.

31. З якою метою в універсальних діодах застосовуються точкові і мікросплавні р-n-переходи?

32. Яка властивість р-n-переходу використовується у варикапах?

33. Охарактеризувати перехідні процеси в діодах. Які існують методи підвищення швидкодії імпульсних діодів?

34. Пояснити конструктивні особливості, характеристики і сферу застосування тунельних і обернених діодів.

Тема 2

1. Охарактеризувати основні режими роботи БТ.

2. Описати фізичні процеси в емітері, базі і колекторі БТ, що працює в активному режимі.

3. Записати вирази для струмів і статичного коефіцієнта передачі h _21б в схемі із загальною базою.

4. Записати вирази для струмів і статичного коефіцієнта передачі h_21е в схемі із загальним емітером.

5. Записати вирази для струмів і статичного коефіцієнта передачі h_21к схеми із закальним колектором.

6. Чому струм бази транзистора в активному режимі у багато разів менше струму емітера?

7. Чому в режимі відсічення зворотні струми емітерного і колекторного переходів відрізняються за величиною один від одного?

8. Чому тільки в активному режимі транзистор стає керованим приладом?

9. У скільки разів і в який бік зміниться вхідний опір транзистора при переході від схеми із загальною базою до схеми з загальним емітером, якщо ?

10. Пояснити явище і суть модуляції ширини бази БТ.

11. Чому при збільшенні колекторної напруги в активному режимі зменшується ширина бази?

12. Прокоментувати залежність h _21б = f ( I_е);

h _21б = f ( U_кб).

13. З якою метою в БТ р-n- переходи виготовляють з різною площею?

14. Чому в сплавних БТ область бази виконується слаболегованою, а області колектора та емітера - сильнолегованими?

15. З якою метою в БТ прагнуть конструктивно зменшити ширину бази?

16. Чому в БТ, увімкненому за схемою з ЗЕ, вхідний опір вищий, ніж у БТ, увімкнений за схемою з ЗБ?

17. Чому схема включення БТ із загальним колектором є основною для побудови каскадів емітерних повторювачів?

18. Дати порівняльну характеристику схеми ЗЕ.

19. Намалювати статичні вхідні характеристики БТ в схемі ЗБ і пояснити їх походження.

20. Намалювати статичні вихідні характеристики БТ в схемі ЗБ і пояснити їх походження.

21 Намалювати статичні вхідні характеристики БТ в схемі з ЗЕ і пояснити їх походження.

22. Намалювати статичні вихідні характеристики БТ в схемі з СК і пояснити їх походження.

23. Намалювати і пояснити походження статичних характеристик прямої передачі і зворотного зв'язку БТ в схемі з ЗБ.

24 Провести порівняльний аналіз характеристик зворотного зв'язку в схемі з ЗБ і ЗЕ.

25.Пояснити фізичний сенс і розмірність диференціальних h-параметрів БТ.

26. Намалювати фізичну Т-подібну схему заміщення БТ і пояснити зміст фізичних параметрів.

27. Намалювати схему і пояснити принцип дії транзисторного каскаду з ЗЕ і двома джерелами живлення.

28. Пояснити порядок побудови вхідних і вихідних характеристик навантажень каскаду на БТ.

29. Чому зі збільшенням температури колекторний струм БТ у схемі з ЗЕ зросте сильніше, ніж у схемі з ЗБ?

30. Чому зі збільшенням частоти зменшується амплітуда колекторного струму і збільшується його відставання за фазою від емітерного?

31. Намалювати частотні характеристики БТ в схемі з ЗЕ і показати на них часткову і граничну частоти.

32. Як зв'язані граничні частоти БТ у схемах з ЗБ і ЗЕ?

33. Які чинники викликають «завал» частотних характеристик БТ на високих частотах?

34. Назвати і розкрити особливості роботи БТ в ключовому режимі.

35. Пристрій і принцип дії дрейфових транзисторів.

36. Конструктивні і технологічні особливості потужних транзисторів.

37. Порядок виготовлення планарних транзисторів.

38. Будова, принцип дії одноперехідних транзисторів.

Тема 3

1. Будова і принцип дії ПТУП.

2. Чому вхідна напруга ПТУП повинна вмикати р-n перехід між каналом і затвором у зворотному напрямку?

3. При якому співвідношенні концентрацій домішок у затворі і каналі польового транзистора з керованим переходом, що має р- канал, можливе ефективне управління струмом стоку.

4. Описати причини дії ПТУП за допомогою кількісних співвідношень.

5. Намалювати і пояснити походження статичних характеристик ПТУП.

6. Дати визначення і вказати межі зміни диференціальних параметрів ПТУП.

7. Чому польові транзистори володіють вищим вхідним опором, ніж біполярні?

8. Будова і принцип дії МДП (МОН) - транзисторів з індукованим каналом.

9. Будова і принцип дії МДП (МОН) - транзисторів із вбудованим каналом.

10. Провести порівняльний аналіз принципу роботи і застосування МДП- транзисторів і ПТУП.

11. Чому у польових транзисторів, на відміну від біполярних, відсутнє явище самоперегріву?

12. Пояснити за допомогою еквівалентних схем частотні властивості польових транзисторів.

13. Розкрити способи забезпечення режиму спокою каскадів на ПТУП. Привести відповідні принципові схеми.

14. Пояснити будову і принцип дії польових приладів із зарядовим зв'язком.

15. Розкрити основні режими роботи – структури.

Тема 4

1. Будова, принцип дії і ВАХ тиристора в динисторному режимі.

2. Будова, принцип дії і сімейство ВАХ тиристора в триністорному режимі.

3. Пояснити механізм утворення і дії позитивного зворотного зв'язку в структурі тиристора.

4. Пояснити принцип дії тиристора за допомогою розгляду роботи тиристорного ввімкнення двох транзисторів різного типу провідності.

5. Що таке блокуюча здатність тиристора і чим вона досягається?

6. Охарактеризувати способи ввімкнення тиристорів.

7. Охарактеризувати способи вимкнення тиристорів.

8. Чому в імпульсному режимі по аноду тиристор відкривається при меншій анодній напрузі, чим у безперервному режимі?

9. Охарактеризувати параметри і систему позначень тиристорів.

Тема 5

1. Пояснити принцип дії, основні характеристики і параметри світлодіодів.

2. Пояснити суть фоторезистивного ефекту в напівпровідниках і його застосування у фоторезисторах.

3. Пояснити процес виникнення фото-ЕДС в освітленому р-n-переході. Від чого залежить величина фото-ЕДС?

4. Пояснити принцип дії і намалювати сімейство ВАХ фотодіода для різних значень світлового потоку.

5. Пояснити роботу фотоприймачів із внутрішнім посиленням.

6. Пояснити пристрій, конструкцію і принцип дії діодного оптрона.

7. Охарактеризувати застосування оптронів як елементів електронних схем.

Додаток 1

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ КРАЇНИ

СУМСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

КОНОТОПСЬКИЙ ІНСТИТУТ

Факультет денної форми навчання

Кафедра електронних

приладів і автоматики

Обов'язкове домашнє завдання

з дисципліни твердотільна електроніка

Варіант

Студент гр. ЕП-00 І.П.Прізвище

Викладач І.П.Прізвище

Конотоп рік