- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.1 Загальні положення
- •8.2 Класифікація первинних вимірювальних перетворювачів (пвп)
- •8.3 Основні характеристики та параметри пвп
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
- •8.4 Теплові первинні вимірювальні перетворювачі
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.4 Теплові первинні вимірювальні перетворювачі
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
- •8.5 Оптичні первинні вимірювальні перетворювачі
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.5 Оптичні первинні вимірювальні перетворювачі
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
- •8.12 Методи та прилади для вимірювання температури
- •8.13 Методи та прилади для вимірювання рівня
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.12 Методи та прилади для вимірювання температури
- •8.13 Методи та прилади для вимірювання рівня
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
- •8.14 Методи та прилади для вимірювання вологості
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.14 Методи та прилади для вимірювання вологості
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
- •8.15 Методи та прилади для вимірювання механічних величин
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.15 Методи та прилади для вимірювання механічних величин
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
- •8.16 Методи та прилади для вимірювання тиску
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.16 Методи та прилади для вимірювання тиску
- •Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
- •8.17 Методи та прилади для вимірювання
- •Витрати та кількості рідини та газів
- •Відповіді на запитання до теми 8
- •8.17 Методи та прилади для вимірювання витрати та кількості рідини та газів
Тема 8 вимірювання неелектричних величин електричними методами
8.5 Оптичні первинні вимірювальні перетворювачі
Таблиця 8.5.а
№ питання, завдання |
Питання, завдання |
№ вірної відповіді |
1 |
Які ПВП належать до оптичних ПВП? |
|
2 |
На якому явищі заснована дія оптичних ПВП? |
|
3 |
Що таке внутрішній фотоефект? |
|
4 |
Що таке зовнішній фотоефект? |
|
5 |
Які оптичні перетворювачі належать до генераторних ПВП? |
|
6 |
Які оптичні перетворювачі належать до параметричних ПВП? |
|
7 |
Назвіть загальні параметри та характеристики оптичних перетворювачів. |
|
8 |
Що таке світлова характеристика оптичного ПВП? |
|
9 |
Що таке спектральна характеристика оптичного ПВП? |
|
10 |
Що таке вольт – амперна характеристика (ВАХ) оптичного ПВП? |
|
11 |
Що таке температурна характеристика оптичного ПВП? |
|
12 |
Опишіть конструктивні особливості фотоелементу. |
|
13 |
Опишіть конструктивні особливості фотопомножувача. |
|
14 |
Що таке явище вторинної емісії, яке є основою принципу дії фото помножувача? |
|
15 |
Опишіть конструктивні особливості фото резистора. |
|
16 |
Що таке фотодіод? |
|
17 |
Що наведено на рисунку?
|
|
18 |
Що наведено на рисунку?
|
|
19 |
Опишіть фізичні явища, що покладені в основу принципу дії фото транзистора. |
|
Відповіді на запитання до теми 8
8.5 Оптичні первинні вимірювальні перетворювачі
Таблиця 8.5.б
№ вірної відповіді |
Відповідь |
1 |
Це процес емісії електронів під впливом світлового потоку, який падає на поверхню тіла. |
2 |
Чутливість, опір перетворювача, який затемнений, постійна часу (інерційність перетворювача), робоча напруга, світлова та спектральна характеристика, вольт – амперна характеристика та температурна. |
3 |
Дія оптичних перетворювачів заснована на явищі фотоефекту, а саме, під дією електромагнітного випромінювання в твердому тілі чи рідини звільняють електрони, тобто носії зарядів. |
4 |
Це залежність, яка показує взаємозв’язок вили фотоструму IФ з падаючим світловим потоком Ф |
5 |
В основі такого оптичного перетворювача лежить зовнішній фотоефект, а саме, під дією падаючого світлового потоку виникає фото - ЕРС, яка залежить від інтенсивності падаючого світла та від його спектру. Такі перетворювачі виконуються в вигляді двох електродних вакуумних та газонаповнених перетворювачів з катодом з світлочутливого матеріалу. Анодом такого елементу є металеве кільце або пластина. |
6 |
В основі знаходяться підсилювальні властивості n-p-n та p-n-p переходів, які вмикаються в зворотному напрямку. При цьому сила колекторного струму може змінюватись при освітленні будь – якої області, якщо товщина їх менш, ніж дифузійна довжина носіїв. Як наслідок того, що носії зарядів проникають в базову область, сила колекторного струму залежить від освітленості цієї області. |
7 |
Це явище, яке здійснюється усереднені кристалічної решітки твердого тілі під впливом світлового потоку. При цьому змінюється концентрація носіїв зарядів та їх перерозподіл усереднені кристалу. Такий фотоефект виникає тільки в напівпровідниках та в діелектриках. |
8 |
Це залежність опору перетворювача від температури навколишнього середовища. |
9 |
Для підсилення сигналів, які надходять з фотоелементів, призначений електронний підсилювач, який об’єднаний в загальну з фотоелементом конструкцію. Тому то в перетворювачі, крім основного катоду К, є декілька вторинних катодів К1…Кп, які знаходяться під різними потенціалами, наслідок, струм підсилюється у декілька сотень тисяч раз. |
10 |
Схема включення фото транзистора до кола живлення. |
11 |
Фотоелемент та фото помножувач, фоторезистор, фотодіод та фото транзистор. |
12 |
Виконуються в вигляді плівки напівпровідникового матеріалу, який нанесений на скляну пластину та захищену шаром лаком, що пропускає світло. Світло чутливі матеріали – вісмут, кадмій, сірковий свинець. В основі таких ПВП лежить внутрішній фотоефект, а характерна особливість – двостороння провідність. |
13 |
Схема включення фотодіода до кола живлення. |
14 |
Фоторезистор, фотодіод та фото транзистор. |
15 |
Це явище виходу електронів з поверхні твердих або рідини при бомбардуванні їх поверхні первинними електронами. |
Продовження таблиці 8.5.б
№ вірної відповіді |
Відповідь |
16 |
Ця залежність характеризує взаємозв’язок фотоструму IФ та напруги U при світловому потоці, що не змінюється. |
17 |
Це напівпровідниковий фотоелемент з p-n переходом, зворотній струм через який змінюється в залежності від енергії світлового потоку. Освітлення p-n переходу сприяє проникненню неосновних носіїв зарядів з освітленої зони. Внаслідок чого зменшується зворотній опір фотодіоду, що призводить до збільшення струму в вимірювальному колі. |
18 |
Це залежність відносної чутливості перетворювача S0 від довжини хвилі λ падаючого світлового потоку. Ця характеристика дозволяє визначити діапазон спектру, у якому може бути використаний перетворювач. |
19 |
Фотоелемент та фото помножувач |
Код перевірки результатів =
Завдання практично – стереотипного рівня