Попов_НГТУ-2015 ноябрь 16

Архитектура управления кубитами на NV-центрах фотонами в микрорезонаторах

Kae Nemoto, et al. Phys. Rev. X 4, 03102, 2014.

81

Архитектура управления кубитами на NV-центрах в микрорезонаторах и сверхпроводящих переходах

Kae Nemoto, et al. Phys. Rev. X 4, 03102, 2014.

82

Архитектура управления кубитами на NV-центрах в микрорезонаторах и сверхпроводящих переходах

Kae Nemoto, et al. Phys. Rev. X 4, 03102, 2014.

83

Архитектура управления кубитами на NV-центрах в микрорезонаторах и сверхпроводящих переходах

Fidelity = 99.98%

Kae Nemoto, et al. Phys. Rev. X 4, 03102, 2014.

T2*= 11 ms M. Lukin et al. Phys. Rev. Lett. 110, 067601, 2013

84

Мультисистемный чип для “Интернета Всего”

Блок–схема сенсора / актюатора “I-o-E”

Момент воздействия

КНИ нейроморфный процессор для параллельной обработки информации

UltraCMOS Global и др.

КНИ чип RF-связи в сетях 4G LTE 10 млн. чипов / день

	ИФП КНИ нанотранзистор:
	Принцип работы – модуляция тока	Система-на-кристалле
	канала полем виртуального затвора
		(СнК)

Толщина Si/SiO2 пленок КНИ (5 – 30) нм; Ширина нанопроволоки: (15 – 90) нм;

В 2016 г.:

5 млн.чипов / день для “Интернета Всего”!

85

Развитие платформ информационных технологий

В ИФП СО РАН разработана:

-методы получения и контроля свойств материалов для ReRAM;

-технология МНОП флэш, high-k флэш и резистивной памяти;

-технология КНИ нанотранзисторов для КМОП СБИС,

нейроморфных ИС и сенсоров.

В ИФП СО РАН разрабатываются:

-Синаптические нанотранзисторы и материалы ReRAM и FeRAM;

-логика нейроморфных систем на синаптических ячейках с мемристорами и КНИ нанотранзисторами;

-квантовая логика на кубитах NV-центров, квантовых точек и ридберговских атомов

Спасибо за внимание!

и приглашаем в Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова

на кафедру и на работу.

Обещаем – будет интересно!

Результаты работ по новым диэлектрикам в ИФП СО РАН

1.Методом высокоразрешающей РФЭС изучен ближний порядок в аморфных пленках SiOx (0<x<2). Как модель случайных связей (RB), так и модель случайной смеси (RM) не описывают экспериментальные отоэлектронные спектры SiOx (x<2). Предложена модель строения SiOx.

2.Измеренные фотоэлектронные спектры валентной зоны SiOx (x<2) свидетельствуют о присутствии в них кремниевой фазы и фазы оксида кремния.

3.Моделирование РФЭС валентной зоны m-HfO2 с вакансией кислорода (HfO1.94) однозначно указывает на то, что пик 3 эВ в экспериментальных XPS спектрах обусловлен

вакансиями кислорода.

4.В широком диапазоне электрических полей и температур теория многофононной

ионизации описывает экспериментальные данные по переносу заряда в HfO2: зависимость тока от электрического поля и температурные зависимости тока.

5.Ловушки с параметрами: WT=0.34 eV, Wopt= 0.45 eV, Wph= 0.03 eV, me=0.5m0, относятся к переходному слою вблизи границы SiO2/HfO2, а ловушки с параметрами: WT =0.5 eV,

Wopt= 0.8 eV, Wph= 0.03 eV, me=0.5m0 расположены в объёме HfO2. В HfOx WT=1.25 eV,

Wopt= 5. 2 eV для нейтральной и WT=1.25 eV, Wopt= 2.7 eV для отрицательно заряженной вакансии кислорода. Полученные параметры глубоких центров в HfO2 необходимы для расчета токов утечек в МДП транзисторах и ReRAM флэш-памяти.