- •Моделирование технологических процессов
- •Вопросы к экзамену
- •Минимальные воспроизводимые размеры и многие проектные нормы определяются в первую очередь процессами травления.
- •Выбор моделей травления/осаждения
- •Примеры различных типов моделей.
- •Особенности использования геометрических алгоритмов
- •Примеры моделирования процессов травления/осаждения
- •Примеры моделирования процессов травления/осаждения
- •Алгоритм струны
- •Алгоритм струны (продолжение)
- •Схема расчета элементарных продвижений точек закрепления струны
- •Расчет результирующего перемещения
- •Расчет результирующего перемещения
- •Точность алгоритма продвижения струны
- •Алгоритм продвижения струны в присутствии маски
- •Преобразования струны с добавлением новой точки
- •Сужение углов между сегментами
- •Образование областей затенения
- •Обобщенная геометрическая модель травления
- •Результаты моделирования
- •Цель моделирования фотолитографии
- •Основные этапы численного моделирования фотолитографии
- •Расчет изображения на поверхности фоторезиста
- •Распределение освещенности в плоскости фоторезиста
- •Распределение освещенности в плоскости фоторезиста в случае точечного источника
- •Распределение освещенности в плоскости фоторезиста для протяженного источника
- •Два фактора, приводящих к деградации изображения
- •Формирование изображения на поверхности фоторезиста
- •Параметры, характеризующие маску
- •Параметры, характеризующие маску
- •Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста
- •Физические и химические факторы, учитываемые при расчете распределения интенсивности по глубине
- •Моделирование нестационарного процесса отбеливания материала резиста
- •Схема алгоритма анализа прохождения света в тонких пленках
- •Пример расчетных кривых для распределения интенсивности света в пленке фоторезиста
- •Моделирование процесса проявления
- •Скорость травления химически однородных резистов
- •Полиномиальная аппроксимация скорости травления
- •Типичный профиль края линии в фоторезисте
- •Усовершенствованные методы фотолитографии для формирования наноразмерных структур
Схема расчета элементарных продвижений точек закрепления струны
изотропное |
анизотропное травление |
|
травление |
d = Vn∙cos[(θ1 + θ2)/2] t |
|
di = V0 ∙ t. |
||
|
Направление перемещения определяется биссектрисой угла, образованного нормалями к двум соседним отрезкам.
Если механизм травления имеет одновременно и изотропную, и анизотропную составляющие, то перемещения могут быть рассчитаны для двух механизмов независимо. Результирующее перемещение находится как сумма двух векторов.
11
Расчет результирующего перемещения
1
1' |
показатель анизотропии |
|
VY/ VX = 3 |
||
2 |
3 120°
2'
4
3' |
5 |
6 |
7 |
4'
5' |
6' |
7' |
V0 = VX и (Vn + V0 )/ V0 = 3, следовательно Vn =2VX
изотропное
травление di = V0 ∙ t.
анизотропное травление d = Vn∙cos[(θ1 + θ2)/2] t
12
Расчет результирующего перемещения
|
|
1 |
показатель анизотропии |
||||||||
|
|
|
|||||||||
|
1' |
|
VY/ VX = 3 |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2' |
3 |
120° |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3' |
|
|
5 |
|
|
6 |
|
7 |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
4' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
5' |
6' |
7' |
||||
d1-3 = V0 ∙ |
t |
+ Vn∙cos[(θ1 + θ2)/2] |
t = |
|
|
|
|
|
|||
= V0 ∙ t + 2V0∙cos[(60°+ 60°)/2] |
t = 2 V0 ∙ |
t ; |
|||||||||
d4 = V0 ∙ |
t + 2V0∙cos[(60°+ 0°)/2] |
|
t = (1+√3) V0 ∙ t ; |
||||||||
d5-7 = V0 ∙ |
t |
+ 2V0∙cos(0°) |
t = 3 V0 ∙ |
t . |
|
|
13
Точность алгоритма продвижения струны
Зависит от дискретности представления границы раздела, т.е. от длины сегментов струны
В процессе продвижения фронта длина сегментов может изменяться.
Чтобы избежать такого рода погрешностей, необходимо ввести проверку длины сегментов на каждом новой шаге построения фронта. Если длина какого-либо нового сегмента превышает установленный параметр LMAX, вводится новая точка, и сегмент разбивается на
два отрезка
14
Алгоритм продвижения струны в присутствии маски
Маска
Подложка
Изотропное травление
15
Преобразования струны с добавлением новой точки
если L>LMAX
Новая точка
Новая точка вводится путем деления пополам угла, образованного перемещениями 1 - 1' и 2 - 2'. На биссектрисе этого угла откладывается расстояние равное средне арифметическому двух перемещений 1 - 1' и 2 - 2'.
16
Сужение углов между сегментами
Требуется уменьшение сегментов и удаление лишних точек
сжатие элементов струны
образование петли при сужении элементов
17
Образование областей затенения
X
Y
Области затенения
Скорость травления точек, которые затенены другими отрезками, принимается равной фоновой изотропной скорости травления.
18
|
|
|
|
Выделение участков затенения |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Области затенения определяются |
|
|
X |
|
|
|
путем сравнения координат точек |
||||||||||
Y |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(xi, yi) с вертикальными |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
направляющими, проходящими |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
через те точки перегиба, которые |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
формируют границу тени. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тенеобразующими будут точки, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
расположенные на участках |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
монотонного возрастания |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Области затенения |
(убывания) координаты у, в |
|||||||||||
|
|
|
|
которых производная y / x |
меняет знак с плюса на минус.
На участках возрастания y вертикальная линия, проведенная через точку перегиба, отделяет в качестве затененных отрезки границы с меньшими значениями координаты x.
На участках убывания y затеняются отрезки с большими, чем в точке |
19 |
перегиба, значениями координаты x. |
Обобщенная геометрическая модель травления
В самом общем случае может быть промоделирован процесс, включающий несколько составляющих скорости травления и несколько потоков травящих частиц, разной интенсивности и направленных под разными углами.
Модель травления на базе разложения в ряд Фурье:
θi – угол между направлением травящего пучка и нормалью к поверхности factori – относительная интенсивность i-ого травящего пучка
Aj – коэффициенты разложения в ряд Фурье скорости травления как фукции угла θi Для каждого материала может быть задано любое количество
коэффициентов Aj.
20