Экзаменационный билет №14

1.	Компоненты оптоэлектроники.
2.	Концентрация электронов в зоне проводимости. Концентрация дырок в валентной зоне.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3

Экзаменационный билет №15

1.	Примесная электропроводность. Акцепторные и донорные примеси.
2.	Статические характеристики биполярного транзистора (входная и выходная), включенного по схеме с общей базой.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3

Экзаменационный билет №16

1.	Структура биполярного транзистора. Физические процессы транзисторов..
2.	Полупроводник p-типа, n-типа, вырожденный. Основные и неосновные носители заряда.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3

Экзаменационный билет №17

1.	Электронная и дырочная электропроводность.
2.	Три режима работы биполярного транзистора.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3