- •Полупроводниковые приборы
- •Содержание
- •Введение
- •1. Исследование выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям
- •Справочные данные на диоды
- •2Д213а, 2д213б, 2д213в, 2д213г, кд213а, кд213б, кд213в, кд213г
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Д311, д311а, д311б
- •Предельные эксплуатационные данные
- •2. Исследование характеристик кремниевого стабилитрона и их анализ
- •Справочные данные на стабилитроны д814а, д814б, д814в, д814г, д814д
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •3. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Транзисторы кт361а, кт361б, кт361в, кт361г, ктз61е
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •5. Определение малосигнальных и физических параметров биполярных транзисторов и составление эквивалентных схем замещения.
- •6. Исследование полевого транзистора с управляющимp-n-переходом
- •2Пзоза, 2пзозб, 2пзозв, 2пзозг, 2пз03д, 2пзозе, 2пзози, кпзоза, кпзозб, кпзозв, кпзозг, кпзозд, кпзозе, кпзозж, кпзози
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •7. Исследование полевого транзистора с изолированным затвором.
- •8. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •81. Цель работы
- •8.2. Программа работы
- •8.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •8.4. Описание лабораторной установки
- •8.5. Указания к выполнению работы
- •8.6. Содержание отчета
- •8.7. Вопросы для самоконтроля
- •8.8. Рекомендованная литература
- •9.4. Описание лабораторной установки
- •9.5. Указания к выполнению работы
- •9.6. Содержание отчета
- •9.7. Вопросы для самоконтроля
- •9.8. Рекомендованная литература
- •10. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •10.1. Цель работы
- •10.2. Программа работы
- •10.3. Краткие теоретические сведения
- •10.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •Приложение 1. Описание лабораторного стенда 87л-01 «Луч»
- •Приложение 2. Рекомендации по работе с измерительными приборами
2Пзоза, 2пзозб, 2пзозв, 2пзозг, 2пз03д, 2пзозе, 2пзози, кпзоза, кпзозб, кпзозв, кпзозг, кпзозд, кпзозе, кпзозж, кпзози
Проходные вольт – амперные характеристики n- иp- канальных полевых транзисторов с управляющимp-nпереходом
Транзисторы кремниевые эпитаксиально - планарные полевые с затвором на основе p-n-перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ) и низкой (2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Электрические параметры
Коэффициент шума на частоте 100 МГц при Uси = 10 В, Uзи = 0, Rг = 1,0 кОм
2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ не более 4 дБ
Электродвижущая сила шума при Uси = 10 В, Uзи = 0 не более:
на f = 20 Гц: 2ПЗОЗА, КПЗОЗА 30 нВ/
на f= 1,0 кГц: 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ 20 нВ/
КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ 100 нВ/
Среднеквадратичный шумовой заряд при Uси = 10 В, Uзи = 0,Сг = 10 пФ, ф=1 мкс
2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ не более 0,6 10-16 Кл
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50 … 1500 Гц:
при Т=298 К:
2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ 1-4мА/В
2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ . .,. 2-5 мА/В
2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ 3-7 мА/В
2ПЗОЗД, КПЗОЗД не менее 2,6 мА/В
2ПЗОЗЕ, КПЗОЗЕ не менее 4,0 мА/В
2ПЗОЗИ, КПЗОЗИ 2-6 мА/В
при Т=213 К не менее:
2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ 1,0 мА/В
2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗИ 2,0 мА/В
2ПЗОЗГ . . . 3,0 мА/В
2ПЗОЗД 2,6 мА/В
2ПЗОЗЕ 4,0 мА/В
при Т=233 К не менее:
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ ........ 1,0 мА/В
КПЗОЗВ, КПЗОЗИ . 2,0 мА/В
КПЗОЗГ 3,0 мА/В
КПЗОЗД 2,6 мА/В
КПЗОЗЕ 4,0 мА/В
при Т =398 К не менее:
2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ 0,5 мА/В
2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗИ 1,0.мА/В
2ПЗОЗГ 1,5 мА/В
2ПЗОЗД 1,3 мА/В
2ПЗОЗЕ 2,0 мА/В
при Т =358 К не менее:
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ 0,5 мА/В
КПЗОЗВ, КПЗОЗИ 1,0 мА/В
КПЗОЗГ 1,5 мА/В
КПЗОЗД 1,3 мА/В
КПЗОЗЕ . 2,0 мА/В
Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0
2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ 0,5-2,5 мА
2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ 1,5-5,0 мА
2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ 3,0-12мА
2ПЗОЗД, КПЗОЗД 3,0-9,0 мА
2ПЗОЗЕ, КПЗОЗЕ 5,0-20 мА
КПЗОЗЖ 0,3-3,0 мА
2ПЗОЗИ, КПЗОЗИ 1,5-5,0 мА
Напряжение отсечки при Uси =10 В, Iс = 0,01 мА:
2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ 0,5-3,0 В
2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ 1,0-4,0 В
2ПЗОЗГ, 2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ не более 8,0 В
КПЗОЗЖ 0,3-3,0 В
2ПЗОЗИ 1,0-3,0 В
КПЗОЗИ 0,5-2,0 В
Ток утечки затвора при Uзи =10 В не более:
при Т =298 К:
2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ,
2ПЗОЗИ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ 1,0 нА
2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ 0,1 нА
КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ . 5 нА
при Т = 398 К 2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗГ,
2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ 1,0 мкА
при Т =358 К КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ,
КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ 1,0 мкА
Ток утечки затвора при Uзи = 30 В не более 10 мкА
Емкость входная при Uси = Ю В, Uзи = 0, f= 10 МГц не более 6,0 пФ
Емкость проходная при Uси = 10В, Uзи = 0, f= 10 МГц, не более 2,0 пФ
Сопротивление изоляции канал-корпус не менее 20 МОм