8.6. Содержание отчета

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

- наименование и цель работы;

- принципиальную схему лабораторной установки;

- описание хода выполненной работы с включением по его тексту:

- временные диаграммы:

1. напряжение на диоде в режиме с максимальным размахом выходного сигнала ГИ (S – разомкнут)

2. ток диода в режиме с максимальным размахом выходного сигнала ГИ (S – разомкнут)

3. напряжение на диоде в режиме с низким уровнем инжекции (S – разомкнут)

4. напряжение на диоде в режиме с максимальным размахом выходного сигнала ГИ (S – замкнут)

5. ток диода в режиме с максимальным размахом выходного сигнала ГИ (S – замкнут)

6. обратный ток диода с отчетливо различимой ступенькой в режиме с максимальным размахом выходного сигнала ГИ (S – замкнут)

- таблицы с экспериментальными и расчётными данными;

- расчёты, не сведённые в таблицу;

- график зависимости U=U₃(E_г);

- анализ полученных результатов, оформленный в виде выводов по работе.

8.7. Вопросы для самоконтроля

1. В чём заключается цель и программа лабораторной работы?

2. Какие присоединения нужно выполнить при подготовке лабораторной установки к работе?

3. Как снимаются диаграммы напряжения на испытуемом диоде и тока через него?

4. Каким прибором измеряется амплитуда прямоугольных импульсов, вырабатываемых генератором импульсов?

5. Какими способами определяется время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике и чем каждый из них заключается?

6. Как экспериментально определить контактную разность потенциалов р-n-перехода?

7. Каково назначение выключателя Sв схеме лабораторной установки? Когда он должен быть включен и когда выключен? Каково назначение резисторовR1 иR2 в схеме лабораторной установки?

8. Каково назначение диода VD6 в схеме лабораторной установки?

9. Что должен содержать отчёт по лабораторной работе?

10. Что такое диффузионная ёмкость р-n-перехода и как её величина зависит от величины и полярности приложенного к р-n-переходу напряжения?

11. Что такое барьерная ёмкость р-n-перехода и при каких условиях она играет наиболее заметную роль?

12. Как выглядит эквивалентная схема замещения р-n-перехода? Каков смысл каждого из её элементов?

13. * Процессы, протекающие в р-n-переходе при подаче на него скачком прямого напряжения. Пояснить временные диаграммы тока диода и напряжений на р-n-переходе, на сопротивлении базы, на диоде в целом при подаче скачком прямого напряжения.

14.* Пояснить качественный характер временных диаграмм тока диода и напряжений на р-n-переходе, на сопротивлении базы, на диоде в целом при подаче скачком прямого напряжения?

15.* Процессы протекающие в р-n-переходе при снятии скачком прямого напряжения. Пояснить качественный характер временных диаграмм тока и напряжений при снятии скачком прямого напряжения.

16. Как определить время жизни неосновных носителей заряда по временной диаграмме напряжения на диоде?

17.* Процессы протекающие в р-n-переходе при подаче скачком обратного напряжения после протекания прямого тока. Пояснить характер временных диаграмм тока и напряжений при подаче скачком обратного напряжения.

18.* Пояснить качественный характер временных диаграмм тока и напряжений при подаче скачком обратного напряжения.

19. Как определить время жизни неосновных носителей заряда по временной диаграмме тока диода?

20. Чем определяется быстродействие полупроводниковых диодов?

Примечание: * - вопросы, наиболее часто задаваемые к защите лабораторной работы. При ответе на ВСЕвопросы необходимо на рисунке структуры полупроводникового прибора показать,какиеносители зарядовкуда, под действиемчегодвижутся, и кчему(появлению каких токов) это приводит.