- •1. Рост эпитаксиальных пленок
- •2.Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках
- •3. Перераспределение примесей при эпитаксии
- •Методы получения эпитаксиальных слоев кремния
- •Хлоридный метод
- •Пиролиз моносилана
- •Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках
- •Перераспределение примесей при эпитаксии
Перераспределение примесей при эпитаксии
Для изготовления полупроводниковых интегральных схем необходимо получать эпитаксиальные слои с различной концентрацией примеси (от 1020 до 1015 см–3) и различными градиентами концентрации. При эпитаксиальном наращивании в принципе могут быть получены любые концентрационные профили при условии точной дозировки примеси в газовой фазе.
Однако достижению больших градиентов концентраций примеси в пленке могут препятствовать диффузия и автолегирование. Особенно существенны эти процессы в том случае, когда эпитаксиальные слои наращиваются на подложке противоположного типа проводимости или с высокой концентрацией легирующей примеси. В таком случае некоторое количество этой примеси переносится в растущий эпитаксиальный слой на начальных стадиях процесса, когда наряду с осаждением кремния на подложке возможно частичное испарение. Травление также приводит к испарению примеси и загрязнению ею окружающей среды. На последующих этапах эпитаксиального процесса эти загрязнения могут стать дополнительным источником примеси.
В свою очередь, примесь, легирующая эпитаксиальную пленку, может проникать в подложку. При эпитаксиальном наращивании, таким образом, имеет место обмен примесями между газообразной и твердой фазами, что приводит к перераспределению примесей в эпитаксиальном слое.
Литература к лекции 12.
1.М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А. Ревелева. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. 2007. 397с.
Дополнительная литература
Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров.М.: Радио и связь, 1987.
2. Броудай И., Мерей Д. Физические основы микротехнологии. - М.: Мир, 1985.
4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие для прибостроит. спец. вузов / М.; Высш. шк., 1986 г.
5. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропрорцессоров и микросборок: Учебник для вузов / М.: Радио и связь, 1989 г