- •3. Асинхронная машина с заторможенным ротором.
- •4. Схема замещения асинхронной машины.
- •5. Электромагнитный момент и механическая характеристика асинхронного двигателя.
- •6. Регулирование асинхронных двигателей (запуск, торможение, изменение скорости вращения).
- •7. Рабочие характеристики асинхронных двигателей.
- •8. Неноминальные режимы работы асинхронных двигателей.
- •9. Асинхронные двигатели с массивным ротором.
- •12. Создание вращающегося магнитного поля трехфазной обмоткой.
- •13. Создание вращающегося магнитного поля двухфазной обмоткой. Двухфазные асинхронные двигатели.
- •14. Создание вращающегося магнитного поля однофазной обмоткой. Однофазные асинхронные двигатели.
- •Тема 10
- •1. Устройство и принцип действия синхронной электрической машины.
- •3. Электромагнитный момент, угловая и механическая характеристика синхронного двигателя.
- •5. Устройство и принцип действия синхронного генератора.
- •6. Запуск синхронного генератора.
- •1. Полупроводники. Собственная и примесная проводимость п/п.
- •3. Прямое и обратное включение pn-перехода.
- •4. Полупроводниковые диоды. Обозначение, схемы включения.
- •5. Биполярные транзисторы. Принципы работы, классификация, условные графические обозначения и схемы включения.
- •6. Полевые транзисторы. Принципы работы, классификация, условные обозначения и схемы включения.
- •7. Режимы работы транзистора. Режим отсечки (закрыт).
- •8. Режимы работы транзистора. Режим насыщения.
- •9. Режимы работы транзистора. Активный режим.
- •10. Усилительные свойства транзистора. Каскад с общим эмиттером.
- •11. Усилители электрических сигналов. Классификация. Дифференциальный усилитель.
- •12. Усилители электрических сигналов. Классификация. Операционный усилитель.
- •13. Усилители постоянного тока, импульсные усилители.
- •Электрические импульсы и их параметры.
- •2. Ключевой режим работы транзистора. Нормально замкнутый и нормально-разомкнутый ключ.
- •4. Цифровые узлы комбинационного типа. Шифраторы и дешифраторы, сумматоры.
- •5. Цифровые узлы с памятью. Триггеры, регистры, счетчики.
- •1. Измерения тока и напряжения.
- •2. Измерения мощности и энергии.
- •3. Измерения неэлектрических величин. Датчики давления, уровня, расхода, механического перемещения.
3. Прямое и обратное включение pn-перехода.
Прямое включение — это такое включение pn-перехода, при котором происходит понижение потенциального барьера и через переход протекает относительно большой ток.
Для этого электрическое поле, создаваемое внешним источником, должно быть направлено встречно внутреннему полю перехода. Следовательно, «+» источника должен быть подключен к р-области, а «-» к n-области. Поскольку сопротивление р- и n-областей мало, практически все напряжение источника оказывается приложенным к рn-переходу. Полярность напряжения внешнего источника, приложенного к рn-переходу, условно показана знаками «+» и «-» над переходом. Понижение потенциального барьера приводит к увеличению тока диффузии, а на величину дрейфового тока не влияет. Поэтому через рn-переход и во внешней цепи будет протекать прямой ток, равный разности токов диффузии и дрейфового: Ιпр = Ιднф - Ιдр.
В n-область из р-области инжектируют дырки, а из n-области в р-область — свободные электроны.
В результате инжекции в полупроводнике образуется избыточная (по сравнению с равновесной) концентрация неосновных носителей заряда. Инжектированные неосновные носители заряда, диффундируя в глубь данной области, рекомбинируют с основными носителями этой области. Поэтому избыточная концентрация неосновных носителей заряда по мере увеличения расстояния от перехода уменьшается.
Таким образом, инжектированные носители заряда обладают лишь определенным конечным временем жизни τ.
Обратное включение — это такое включение рn-перехода, при котором происходит повышение потенциального барьера.
Для этого «+» источника подключают к n-области, а «-» к р-области
Повышение потенциального барьера приводит к уменьшению тока диффузии, а дрейфовый ток практически остается неизменным, так как он зависит, как мы знаем, не от напряженности электрического поля, а от концентрации неосновных носителей заряда в р-и n-областях. В результате через pn-переход и во внешней цепи будет протекать небольшой разностный ток, называемый обратным током, равный разности токов дрейфового и диффузии: Ι обр = Ιдр – Ιдиф,.
При повышении внешнего напряжения от нулевого значения ток диффузии быстро уменьшается до нуля (при Uобр порядка десятых долей вольта) и обратный ток становится равным дрейфовому (тепловому) току, то есть Ιобр = Ιт.
Таким образом, обратный ток через рn-переход — это ток, образованный неосновными носителями заряда, которых при комнатной температуре мало, поэтому ток Ι обр. небольшой.
Поскольку при обратном включении рn-перехода неосновные носители заряда данной области могут только уходить из нее через рn-переход в смежную область, а в обратном направлении их переход невозможен из-за повышенного источником потенциального барьера, в данной области понижается концентрация неосновных носителей заряда и становится ниже равновесной.
Процесс отвода неосновных носителей заряда в смежную область через рп-переход при подаче на него обратного напряжения называется экстракцией.