курсовой проект / кп nd / 2%

3.2 Модуль ПЗУ

Для расширения памяти программ микроконтроллера в соответствии с заданием выберем К556РТ5. Это ППЗУ, изготовленная по ТТЛШ-технологии. Технические характеристики ПЗУ представлены в таблице 4.

Таблица 4 – Основные электрические параметры микросхемы К556РТ5

Название параметра	Значение параметра
Емкость	512х8 (4К)
Напряжение питания в статическом режиме	Ucc=5±0,5 В
Время выборки	80 нс
Потребляемая мощность	1000 мВт
Тип выхода	ТТЛ-ОК
Ток потребления, мА	190

Условное обозначение микросхемы К556РТ5 приведено на рисунке 9.

Операция-программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30 ... 50 мА. Технические средства для выпол­нения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем.

Рисунок 9 – Микросхема К556РТ5

Типичный вариант реализации микросхемы ППЗУ представлен на рисунке

Рисунок 10 – Структурная схема микросхемы К556РТ5