4.2 solutions

Эффект рекомбинации

зависит от характера распределения ионов между электродами каме давления газа, наполняющего камеру, от напряженности электрическ Учесть все явления при выводе общего уравнения-ампернойкривой вольт характеристики затруднительнооторых.Однакослучаяхв нек при определенных условиях и ограничениях могут быть выведены теоретические зависи тока ионизационной камеры. В частности, эти зависимости установл ионизационных камер, представляющих собой плоскопараллельный кон пластинами большого размера, электрическое поле которого можно сч однородным в ионизированном объеме.

При отсутствииэффектов рекомбинации интенсивность-сигналов спектра ЯМР должна снижаться с ростом концентрации ПМ1Д и температуры. Н

наблюдается снижение одних и усиление других линий при одном общем парамагнетизма.

Можно полагать,эффектчто рекомбинации изменяется не только-за из количества циркулирующего газа,- относиттакжельнойиз утечки энергии из зоны, котораяуменьшатьсябудет с увеличением размераОн несколькозоны.

меньше ожидаемого-заэффектаиз рекомбинации ( см. рис. 3), однако по порядку величины оба значения близки.

В заключение отметим,эффектачто учетрекомбинации позволяет рассчитать величину сопротивления автосмещенияRc. Автосмещение целесообразно использовать для поддержания неизменным оптимального угла отсечк возможных изменениях амплитуды возбуждения.

Видим, что мощность Р0, эффектомсвязаннаярекомбинациис , так же Uкак0и и/ 0, определяется амплитудой первой гармоникиQ1 при соблюдениизаряда условия (5.23) не зависит от- й амплитудыгармоники ЛзарядаQN.

У перекрестноопыляющихся видов этот процесс происходит естествен у самоопылителей для полученияэффекта рекомбинации приходится скрещивать друг с другом разные первичные тетраплоидные формы

Большая величина требуемой активности обусловлена неполным испол энергии электронов,I Л тако, Отметим,как что в обеих оценках мы не учитывалиэффект рекомбинации ионов различного знака . Однако, если поля, создаваемые статическими зарядами, велики, то роль рекомбинации Экспериментально роль этого фактора будет выясненаенкиниже. Приведе требуемой активности источников для решения задач А и Б являются приблизительными и требуют экспериментальной проверки, однако он на значительно меньшие активности, необходимые -для решения задач нейтрализации поверхностныхрядов. Кромеза того, применениеИСТОЧНИКОВР внутри хранилищ совершенно безопасно для людей, находящихся вне

[9]

Чем выше концентрация радикалов в растворнее,ихтемреакцииэффектив рекомбинации, поэтому в ряде случаев эти реакции приобретают пре интерес. При препаративной работе с короткоживущрадикаламисвободным часто приходится сталкиваэффектамиьсяклеточнойс рекомбинации и локальной концентрации в электродных[10]процессах.

Вполне возможно, что-говеркроссинзавершается задолго до того, как вступи действие механизм - мейозапоследний ответствен только за расхождение хроматид ( сегрегация) и передачу их дочерним клеткам. Но в тако

или перекрест, есть следствие кроссинговера, который произошел р кроссинговер с помощью микроскопа разглядеть не удается, так как

лежат слишком близко друг к другуэффект( темрекомбинациине менеечетко выявляется в последующем поколении[11] .

Одна группа фактических данных относитсявыделяющимсяк продуктам,при действии ионизирующих излучений на углеводороды. Он пришел к выв

реакции в легких углеводородах, даже в газовой фазе, подобны реа протекающим в высших углеводородах и полиэтилене, включая как де и сшивание. томПри неэ рассматривалсяэффект рекомбинации радикалов в клетке, который должен приводить к снижению результирующей скоро

деструкции в твердом полимере по сравнению со скоростью этого пр газовой фазе[12] .

В плоскостном транзисторе ток эмиттера почти равен току коллекто проходит через малое сопротивление ( порядка 100 ом) эмиттерного попадает на клеммы коллектора почти неизменнымнотеперь( по величине),он может протекать через нагрузочное сопротивление в несколько тыся видеть, что таким путем может быть получено значительное усилени мощности. Однако часть дырок рекомбинируетЭффектв базовой области. рекомбинации снижает уснилепо мощности. Рекомбинация также ограничив предельные частоты транзистора. Кроме того, доля электронного и токов, проходящих через каждый переход, частично определяется уд сопротивлениями этих трех областей. Переходнаяв основномхарактеристика определяется тем временем, в течение которого дырка существует в области до рекомбинации[13] .

Полупроводникj - типа/ является вакуумом для электрооводникаовполупри

типа. В отличие от молекул газа, однако, время жизни электронов полупроводнике-тииар невелико. Они рекомбинируют с дырками полупрово р-типа. Число свободных электронов становится тем меньше, чем бол длительное время находятсяупроводникеони пол-типа,р в частности, чем больше они удаляются от полупроводника-типа. Этот иобедненный слой называют

также областью объемного заряда. С образованием объемного заряда обедненной зоне все больше и больше затрудняется диффузия других из полупроводника-типа,и пока, наконец, не будет переходить столько эл сколько требуется для поддержания уже имеющегося объемного заряд компенсацииэффекта рекомбинации . Все сказанное в отношении диффузии электронов полупроводника-типа полупроводникj - типа /относится и к дыркам полупроводника-типар[14].