Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лаба_Ламкин_1.docx
Скачиваний:
52
Добавлен:
08.02.2019
Размер:
106.61 Кб
Скачать

Обработка результатов.

  1. Исследовался фотодиод №1 (фд1).

Рисунок 3. График ВАХ фотодиода при темноте и различных освещенностях.

Рисунок 4. Световая характеристика фотодиода.

Рисунок 5. Световые характеристики фотодиода при различных нагрузках.

Рисунок 6. Нагрузочная характеристика фотодиода.

Величина фотоотклика, возникающего в фотодиоде при освещении его излучением Ф мощностью P, определяется квантовой эффективностью, или квантовым выходом, представляющим собой число фотогенерированных электронно-дырочных пар, отнесенное к числу падающих фотонов

,

где Jф – плотность фототока, А – площадь освещаемой поверхности фотодиода.

Таким образом:

3.

Однако обычно сравнительным критерием качества фотодиодов является чувствительность, которая определяется как отношение фототока к величине светового потока:

Чувствительность связана с квантовым выходом фотодиода:

Тогда получаем:

А/Вт

4.

В случае разомкнутой цепи (режим холостого хода) фотоЭДС Uхх определяется из (1.2) при I = 0:

При максимальной освещенности Uxx=0,5 В, а Iкз=1,34 мА:

5.

Определить максимальную мощность в вентильном режиме при различных нагрузках.

Iсд

20

мА

 

 

 

 

 

 

 

R,Ком

0

1

12

62

100

200

300

5MOm

10MOm

Iфд

-0,36

-0,33

-0,04

-0,01

0

0

0

0

0

Uфд

0

0,32

0,48

0,49

0,49

0,49

0,49

0,49

0,49

P, мВт

0

-0,1056

-0,0192

-0,0049

0

0

0

0

0

Максимальная мощность будет при R= 12 кОм.

ВЫВОД: В ходе лабораторной работы были исследованы характеристики и основные параметры полупроводниковых фотодиодов.

Из полученных результатов можно сказать, что в фотодиоде без освещения не почти не протекает ток (при отсутствии поглощенных фотоново), что видно из темного ВАХ, а также, как и ожидалось, чем больше освещенность, тем большие значения у силы тока фотодиода, т.к. электроны основного состояния, поглощая энергии фотонов переходят в возбужденные уровни. Изученный фотодиод имеет величину фотоотклика, равную 0,94. Также был рассчитан показатель чувствительности фотодиода, равный 0,55. Кроме того, при исследовании нагрузочной характеристики фотодиода выяснилось, что максимальная мощность достигается не в минимальном (или максимальном) значении сопротивления, а при определенном, в случае исследуемого фотодиода сопротивление, при котором достигается максимальная мощность равно 12кОм.

Соседние файлы в предмете Квантовая и оптическая электроника