- •1. Вольтамперная характеристика тиристора.
- •2. Выпрямительный диод. Диод Шоттки. Параметры.
- •3. Основные характеристики биполярного транзистора.
- •4. Интегральная микросхема имс. Классификация.
- •Классификация по: Технология изготовления
- •Вид обрабатываемого сигнала
- •5. Частотные свойства биполярного транзистора
- •6. Конструкция пленочной интегральной микросхемы.
- •7. Схема включения биполярного транзистора с нагрузкой в цепи коллектора. Построение нагрузочной прямой.
- •8. Оптоэлектронные приборы. Принцип действия. Применение.
- •9. Принцип работы биполярного транзистора
- •11. Примесная проводимость полупроводников.
- •12. Приборы с зарядовой связью (пзс).
- •13. Ключ на биполярном транзисторе
- •14. Применение тиристора.
- •15. Стабилитрон. Вольтамперная характеристика
- •16. Принцип действия тиристоров.
- •17. Фоторезистор. Принцип действия. Применение.
- •18. Графический расчет цепи диода с резистивной нагрузкой.
- •19. Схема Дарлингтона.
- •20. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером.
- •21. Контакт полупроводник – полупроводник. P-n переход.
- •22. Разновидности мдп транзисторов
- •23. Свойства полупроводников. Основные материалы.
- •24. Светодиод. Принцип действия. Параметры.
- •25. Импульсные диоды. Частотные ограничения в импульсных диодах
- •26. Разновидность тиристорных приборов.
- •27. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
- •28. Схемы включения мдп транзисторов
- •29. Контакт металл – полупроводник
- •30. Расчет цепи диода с резистивной нагрузкой.
- •31. Пассивные элементы пленочных имс.
- •32. Фототранзистор. Принцип действия. Параметры.
- •33. Варикап. Применение варикапов
- •34. Частотные свойства мдп транзистора.
- •35. Удельная проводимость полупроводников
- •36. Пороговое напряжение включения мдп транзистора
- •37. Уровень Ферми собственных и примесных полупроводников
- •38. Конструкция полупроводниковой интегральной микросхемы.
- •39. Параметры биполярного транзистора: коэффициент передачи и усиления по току.
- •40. Расчет параметров светодиода.
- •41. Транзисторы, диоды полупроводниковых имс, и их отличие от дискретных.
- •42. Расчет цепи стабилитрона с r ограничит
- •43. Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах.
- •44. Симистор. Принцип работы. Вольтамперная характеристика.
- •45. Собственная проводимость полупроводников
- •46. Мдп транзистор с индуцированным каналом
- •47. Тунельный диод. Принцип работы. Применение.
- •48. Схема включения биполярного транзистора с общим коллектором
- •49. Фотодиод. Принцип работы, параметры.
- •50. Принцип работы мдп-транзистора. Характеристики мдп транзистора.
32. Фототранзистор. Принцип действия. Параметры.
Фототранзистор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения.
Фототранзистор имеет структуру n-p-n или p-n-p транзистора и может усиливать ток. Дырки электронно-дырочных пар, рождённых излучением, находятся в базе, а электроны переходят в эмиттер или коллектор. При увеличении положительного потенциала базы происходит усиление фототока за счёт инжекции электронов из эмиттера в базу.
Биполярный фототранзистор — полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами — предназначен для преобразования светового потока в электрический ток. Фототранзисторы обладают значительной большей, чем фотодиоды, чувствительностью — порядка сотни миллиампер на люмен. Биполярный фототранзистор подобен обычному биполярному транзистору, между выводами коллектора и базы которого включен фотодиод. Таким образом, ток фотодиода оказывается током фототранзистора и создает усиленный в n раз ток в цепи коллектора. Если на фототранзистор подается только электрический сигнал, его параметры почти не отличаются от параметров обычного транзистора.
Фототранзистор можно включать по схемам со свободным коллектором, со свободной базой и со свободным эмиттером. На фототранзистор можно подавать оптические и электрические сигналы. Без входного электрического сигнала, который обычно необходим для смещения, компенсирующего наводки, фототранзистор работает как фотодиод с высокой интегральной чувствительностью, небольшой граничной частотой и большим темновым током. Фототранзисторы целесообразно использовать для регистрации больших световых сигналов; при регистрации малых световых сигналов следует подать положительное смещение на базу. Применяют два варианта включения фототранзисторов: диодное — с использованием только двух выводов (эмиттера и коллектора) и транзисторное — с использованием трех выводов, когда на вход подают не только световой, но и электрический сигналы. Фототранзисторы используются в качестве фотоприемников и транзисторных оптопарах.
Недостатком фототранзисторов является большая инерционность, что ограничивает их применение в качестве быстродействующих выключателей.
33. Варикап. Применение варикапов
Варикап (англ. vari(able) — переменный и cap(acity) — ёмкость) — полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряжения. Обладает высокой добротностью (малыми потерями электрической энергии), малым температурным коэффициентом ёмкости, независимостью от частоты практически во всём диапазоне радиочастот, стабильностью параметров во времени. Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и др.
При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе существуют потенциальный барьер и внутреннее электрическое поле. Если к диоду приложить обратное напряжение, то высота этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны в глубь n-области, в результате чего происходит расширение обеднённой области p-n перехода, которую можно представить как простейший плоский конденсатор, в котором обкладками служат границы области. В таком случае, в соответствии с формулой для ёмкости плоского конденсатора, с ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Это уменьшение ограничено лишь толщиной базы, далее которой переход расширяться не может. По достижении этого минимума с ростом обратного напряжения ёмкость не изменяется.
Рисунок. Зависимость емкости варикапа от напряжения.