11. Примесная проводимость полупроводников.

Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей. Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную(Полупроводники, в которых свободные электроны и «дырки» появляются в процессе ионизации атомов, из которых построен весь кристалл, называют полупроводниками с собственной проводимостью.), и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей. Поставка электронов в зону проводимости и дырок в валентную зону может быть за счет примесей, котроые могут ионизоваться уже при низкой температуре. Энергия их активации значительно меньше энергии, необходимой для ионизации основных атомов вещества. Примеси, поставляющие электроны в зону проводимости, занимают уровни в запретной зоне вблизи дна зоны проводимости. Они называются донорными. Приммеси, захватывающие электроны из зоны проводимости, располагаются на уровнях в запретной зоне вблизи потолка валентной зоны и называются акцепторными. Примеси с энергией Wo<0.1 эВ являются оптимальными. Их относят к "мелким" примесям. Мелкие уровни определяют электропроводность полупроводников в диапазоне температур 200-400 К, "глубокие" примеси ионизуются при повышенных температурах. Глубокие примеси, влияя на процессы рекомбинации, определяют фотоэлектрические свойства полупроводников. С помощью глубоких примесей можно компенсировать мелкие и получить материал с высоким удельным сопротивлением. Например, глубокими акцепторами можно полностью компенсировать влияние мелких донорных примесей.

12. Приборы с зарядовой связью (пзс).

ПЗС относятся к классу твердотельных полупроводниковых приемников. (ПЗС) - интегральная схема, представляющая собой совокупность МДП-структур, сформированных на общей полупроводниковой подложке (металл - диэлектрик - полупроводник).

В ПЗС электрический сигнал представлен зарядом. При соответствующей последовательности тактовых импульсов напряжения на электродах МДП-конденсаторов зарядовые пакеты можно переносить между соседними элементами прибора. Поэтому такие приборы и названы приборами с переносом заряда или с зарядовой связью.

В основе работы ПЗС лежит явление внутреннего фотоэффекта.

13. Ключ на биполярном транзисторе

Ключ - элемент, который под воздействием управляющего сигнала производит различные коммутации. При включении активного элемента с общим эмиттером (истоком) ключ выполняет логическую операцию НЕ, т.е. инвертирует входной сигнал. Ключ имеет два состояния: замкнутое и разомкнутое. Для реализации ключей используют диоды, биполярные и полевые транзисторы. Для ключей характерно: малое оста-

точное напряжение на ключе, в проводящем состоянии; высокое сопротивление

в непроводящем состоянии и, как следствие малый ток, протекающий через

транзистор; малая мощность, потребляемая от источника. По быстродействию

ключи на полевых транзисторах уступают ключам на биполярных транзисторах

.